Exploring the design space of rugged seven lithographic level silicon carbide vertical JFETs for the development of 1200-V, 50-A devices

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Exploring the design space of rugged seven lithographic level silicon carbide vertical JFETs for the development of 1200-V, 50-A devices
المؤلفون: Veliadis, V., McCoy, M., Stewart, E., McNutt, T., Van Campen, S., Potyraj, P., Scozzie, C.
المصدر: 2007 International Semiconductor Device Research Symposium
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2007
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/isdrs.2007.4422415
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/isdrs.2007.4422415
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4422221/4422222/04422415.pdf?arnumber=4422415
رقم الانضمام: edsbas.2E61DCB4
قاعدة البيانات: BASE
الوصف
DOI:10.1109/isdrs.2007.4422415