Conference
أعرض في EDS

Atomic scale investigation of point and extended defects in ion implanted β-Ga 2 O 3

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Atomic scale investigation of point and extended defects in ion implanted β-Ga 2 O 3
المؤلفون: Huang, Hsien-Lien, Chae, Christopher, Senckowski, Alexander, Wong, Man Hoi, Hwang, Jinwoo
سنة النشر: 2022
المجموعة: The Hong Kong University of Science and Technology: HKUST Institutional Repository
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: English
Relation: https://repository.hkust.edu.hk/ir/Record/1783.1-120794; http://lbdiscover.ust.hk/uresolver?url_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rfr_id=info:sid/HKUST:SPI&rft.genre=article&rft.issn=&rft.volume=&rft.issue=&rft.date=2022&rft.spage=&rft.aulast=Huang&rft.aufirst=H.-L.&rft.atitle=Atomic+scale+investigation+of+point+and+extended+defects+in+ion+implanted+%CE%B2-Ga%3Csub%3E2%3C%2Fsub%3EO%3Csub%3E3%3C%2Fsub%3E&rft.title=
الاتاحة: https://repository.hkust.edu.hk/ir/Record/1783.1-120794
http://lbdiscover.ust.hk/uresolver?url_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rfr_id=info:sid/HKUST:SPI&rft.genre=article&rft.issn=&rft.volume=&rft.issue=&rft.date=2022&rft.spage=&rft.aulast=Huang&rft.aufirst=H.-L.&rft.atitle=Atomic+scale+investigation+of+point+and+extended+defects+in+ion+implanted+%CE%B2-Ga%3Csub%3E2%3C%2Fsub%3EO%3Csub%3E3%3C%2Fsub%3E&rft.title=
رقم الانضمام: edsbas.26301BE6
قاعدة البيانات: BASE
الوصف
الوصف غير متاح.