التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
La2NiO4+d, un conducteur mixte ionique-électronique pour les mémoires à changement de Valence ; La2NiO4+d, a Mixed Ionic-Electronic Conductor for Interface-Type Valence Change Memories |
| المؤلفون: |
Maas, Klaasjan |
| المساهمون: |
Université Grenoble Alpes (ComUE), Boudard, Michel |
| سنة النشر: |
2019 |
| المجموعة: |
theses.fr |
| مصطلحات موضوعية: |
Interfaces, Memrisivité, Neuromorphique, Conducteur ionique, Changement de valence, Mémoire, Ionic conductor, Valence change, Memristivity, Neuromorphic, Memory |
| Time: |
530 |
| الوصف: |
Cette thèse porte sur la compréhension et le développement de matériaux innovants en tant que composant actif pour les mémoires résistives à changement de valence (VCM), qui constitue une sous-catégorie des mémoires résistives où des réactions d’oxydoréduction sont à l’origine du mécanisme de commutation résistive. Leur incorporation dans les circuits intégrés nécessite une tension (ou un courant) électrique pour lire et programmer la mémoire, cependant leurs fonctionnalités dépend essentiellement des propriétés chimiques des matériaux constituant la mémoire. Dans ce manuscrit nous étudions les propriétés du composé La2NiO4+δ, un conducteur mixte d’ions et d’électrons qui de par sa conduction d’ions oxydes dans le volume du matériau offre un terrain de jeu prometteur pour les VCMs. Nous avons pu obtenir des films minces de La2NiO4+δ fortement texturés sur des substrats monocristallins de SrTiO3 par dépôt chimique en phase vapeur à partir de l’injection pulsée de précurseurs métalorganiques (PiMOCVD). Des recuits sous atmosphère contrôlée ont permis de faire varier le contenu en oxygène et d’ajuster les propriétés semiconductrices-type p de La2NiO4+δ par un mécanisme d’auto-dopage. Une sur-stœchiométrie en oxygène dans la plage 0 ≤ δ ≤ 0.08 induit une variation de résistivité de 5.7 Ω.cm à 5.3x10-3 Ω.cm pour un recuit sous hydrogène ou sous oxygène, respectivement. Les films minces de La2NiO4+δ ont ensuite été utilisés comme base dans la conception d’hétérostructures métal/La2NiO4+δ/métal. Le rôle important de la jonction métal/oxyde sur les propriétés des VCMs de type interfaciales est discuté en détails. En particulier, un contact ohmique avec La2NiO4+δ est obtenu en utilisant un matériau d’électrode tel que le Pt ayant un travail de sortie élevé, alors qu’un contact rectifiant est obtenu avec Ti résultant de la présence d’une fine couche (~8 nm) de TiOx formée de manière spontanée à l’interface Ti/La2NiO4+δ. Une hétérojunction asymétrique Pt/La2NiO4+δ/Ti a été sélectionnée comme prototype afin d’évaluer les ... |
| نوع الوثيقة: |
thesis |
| اللغة: |
English |
| Relation: |
http://www.theses.fr/2019GREAI012/document |
| الاتاحة: |
http://www.theses.fr/2019GREAI012/document |
| Rights: |
Open Access ; http://purl.org/eprint/accessRights/OpenAccess |
| رقم الانضمام: |
edsbas.2331A42 |
| قاعدة البيانات: |
BASE |