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Band ordering and relativistic effects on HgTe and CdTe electronic structure ; Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
| العنوان: | Band ordering and relativistic effects on HgTe and CdTe electronic structure ; Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe |
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| المؤلفون: | Hinostroza Vargas Machuca, Cristhian David, Rivera Riofano, Pablo Héctor |
| المصدر: | Revista de Investigación de Física; Vol. 24 Núm. 3 (2021); 78-82 ; Revista de Investigación de Física; Vol. 24 No. 3 (2021); 78-82 ; 1728-2977 ; 1605-7724 |
| بيانات النشر: | Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| سنة النشر: | 2021 |
| المجموعة: | Universidad Nacional Mayor de San Marcos: Revistas de investigación UNMSM |
| مصطلحات موضوعية: | Semiconductors, Density functional theory, Band structure, Spin-orbit coupling, Semiconductores, Teoría de funcionales de densidad, estructura de banda, acoplamiento espín-órbita |
| الوصف: | The topological materials permit transport of polarized charges through edge and surface states in2D y 3D systems. These edge and surfaces states are protected by topological symmetry order that isbased in spin-orbit coupling and in the invariance under time reversal operator.The main purpose of this work is to analyze the evolution of the surface state from HgTe and CdTealloys observing the band inversion and the effect of d atomic orbital on the band inversion and thespin-orbit coupling intensity.Results where obtained using density functional theory with a local spin density approximation andthe Hubbard correction (SLDA+U) considering relativistic effects and spin polarization. ; Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador de reversión temporal. El propósito principal de este trabajo es analizar la evolución del estado de superficie en las aleaciones HgTe y CdTe observando la inversión de bandas y el efecto de los orbitales atómicos d en la inversión de las bandas y la intensidad del acoplamiento espín-órbita. Los resultados fueron obtenidos usando la teoría de funcionales de densidad con aproximación local de densidad de espín y la corrección de Hubbard (SLDA+U) considerando efectos relativistas y polarización de espín. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | Spanish; Castilian |
| Relation: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20448/17244; https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20448 |
| DOI: | 10.15381/rif.v24i3.20448 |
| الاتاحة: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20448 https://doi.org/10.15381/rif.v24i3.20448 |
| Rights: | Derechos de autor 2021 Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca, Pablo Héctor Rivera Riofano ; http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 |
| رقم الانضمام: | edsbas.16670445 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.15381/rif.v24i3.20448 |
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