用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片
| العنوان: | 用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 |
|---|---|
| المؤلفون: | 克里斯托夫·艾希勒, 安德烈·佐默斯, 哈拉尔德·柯尼希, 贝恩哈德·施托耶茨, 安德烈亚斯·莱夫勒, 艾尔弗雷德·莱尔 |
| المساهمون: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| سنة النشر: | 2017 |
| المجموعة: | Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics: OPT OpenIR (Chinese Academy of Sciences, CAS) / 中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库 |
| مصطلحات موضوعية: | H01S5/22 | H01S5/30 |
| جغرافية الموضوع: | 中国 |
| الوصف: | 提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。 |
| نوع الوثيقة: | other/unknown material |
| اللغة: | unknown |
| Relation: | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89951 |
| الاتاحة: | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89951 |
| Rights: | cn.org.cspace.api.content.CopyrightPolicy@51f64052 |
| رقم الانضمام: | edsbas.146475EB |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| الوصف غير متاح. |