SÍNTESE E CARACTERIZAÇÃO ESTRUTURAL DO GRAFENO SOBRE GE(100) OBTIDO POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA NA FASE VAPOR

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: SÍNTESE E CARACTERIZAÇÃO ESTRUTURAL DO GRAFENO SOBRE GE(100) OBTIDO POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA NA FASE VAPOR
المؤلفون: CESAR AUGUSTO DIAZ MENDOZA
المساهمون: MARCELO EDUARDO HUGUENIN MAIA DA COSTA, RODRIGO PRIOLI MENEZES, LUIZ FERNANDO ZAGONEL, CLAUDIO RADTKE, ANDRE SANTAROSA FERLAUTO
المصدر: Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)
Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (PUC-RIO)
instacron:PUC_RIO
بيانات النشر: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO, 2018.
سنة النشر: 2018
الوصف: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO COORDENAÇÃO DE APERFEIÇOAMENTO DO PESSOAL DE ENSINO SUPERIOR CONSELHO NACIONAL DE DESENVOLVIMENTO CIENTÍFICO E TECNOLÓGICO PROGRAMA DE SUPORTE À PÓS-GRADUAÇÃO DE INSTS. DE ENSINO PROGRAMA DE EXCELENCIA ACADEMICA A integração do grafeno nos dispositivos nanoeletrônicos depende da disponibilidade de processos de deposição de forma direta sobre o substrato. A deposição direta pode fornecer grafeno uniforme, com alta qualidade e em grande área sobre substratos semicondutores como sílicio ou germânio. Nesta tese, foi sintetizado grafeno diretamente sobre germânio dopado tipo p e com uma orientação cristalina (100) empregando a deposição química na fase vapor. Foi estudada a influência da relação de fluxo entre os gases CH4 e H2 no crescimento de grafeno. As técnicas empregadas para verificar a qualidade das amostras e o tipo de crescimento obtido foram a espectroscopia Raman, microscopia de varredura eletrônica, de tunelamento e de força atômica, e a espectroscopia de tunelamento. Determinamos que para as condições empregadas, o crescimento de grafeno sobre germânio é autolimitado, com a deposição de apenas uma única camada, com poucos defeitos na sua rede cristalina e com o nível de Fermi característico de um material com dopagem tipo n. The integration of graphene into nanoelectronic devices is dependent on the availability of direct deposition processes, which can provide uniform, large-area and high-quality graphene on semiconductor substrates such as Ge or Si. In this dissertation, we synthesized graphene directly on ptype Ge(100) substrates by chemical vapor deposition. The influence of the CH4:H2 flow ratio on the graphene growth was investigated. Raman Spectroscopy, Raman mapping, Scanning Electron Microscopy, Atomic Force Microscopy and Scanning Tunnelling Microscopy/Scanning Tunnelling Spectroscopy were the techniques employed to verify the quality of the samples and the type of growth. We determined that for the conditions employed, the growth of graphene is self-limited, with only a single layer deposition, with few defects in its crystalline lattice and with Fermi level characteristic of a material with doping type n.
اللغة: Portuguese
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::c990b02693484c1bf8fcff7f5e8c395a
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