High performance CMOS FDSOI devices activated at low temperature
| العنوان: | High performance CMOS FDSOI devices activated at low temperature |
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| المؤلفون: | Louis Hutin, J. Mazurier, D. Barge, L. Pasini, Olivier Weber, Frédéric Mazen, F. Piegas Luce, Claire Fenouillet-Beranger, M. Vinet, Antoine Cros, E. Ghegin, B. Mathieu, S. Chhun, J. Borrel, Frederic Boeuf, Quentin Rafhay, Anthony Payet, Michel Haond, Perrine Batude, M. Casse, Fuccio Cristiano, Benoit Sklenard, Zineb Saghi, Joris Lacord, D. Blachier, J.P. Barnes, Gerard Ghibaudo, Francois Andrieu, V. Mazzocchi, N. Rambal, J. Micout, Vincent Delaye, V. Lapras, Laurent Brunet, R. Daubriac, Pascal Besson |
| المساهمون: | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Nano 2017, ANR-10-EQPX-0030,FDSOI11,Plateforme FDSOI pour le node 11nm(2010), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées |
| المصدر: | Proceedings of the 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2016, Honolulu, United States. ⟨10.1109/VLSIT.2016.7573407⟩ |
| بيانات النشر: | HAL CCSD, 2016. |
| سنة النشر: | 2016 |
| مصطلحات موضوعية: | 010302 applied physics, Materials science, business.industry, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 020202 computer hardware & architecture, PMOS logic, CMOS, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Optoelectronics, business, NMOS logic |
| الوصف: | International audience; 3D sequential integration requires top FETs processed with a low thermal budget (500-600°C). In this work, high performance low temperature FDSOI devices are obtained thanks to the adapted extension first architecture and the introduction of mobility boosters (pMOS: SiGe 27% channel / SiGe:B 35% RSD and nMOS: SiC:P RSD). This first demonstration of n and p extension first FDSOI devices shows that low temperature activated device can match the performance of a device with state-of-the-art high temperature process (above 1000°C). |
| اللغة: | English |
| DOI: | 10.1109/VLSIT.2016.7573407⟩ |
| URL الوصول: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::733572509907569cf7c31dbc0cecdb89 https://hal.laas.fr/hal-01730659 |
| رقم الانضمام: | edsair.doi.dedup.....733572509907569cf7c31dbc0cecdb89 |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.1109/VLSIT.2016.7573407⟩ |
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