Deep Trench Isolation and Through Silicon Via Wetting Characterization by High-Frequency Acoustic Reflectometry
| العنوان: | Deep Trench Isolation and Through Silicon Via Wetting Characterization by High-Frequency Acoustic Reflectometry |
|---|---|
| المؤلفون: | Vincent Thomy, Christophe Virgilio, Julien Carlier, Bertrand Nongaillard, Pierre Campistron, Laurence Gabette, Malika Toubal, Philippe Garnier, Lucile Broussous, Pascal Besson |
| المساهمون: | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 (IEMN-DOAE), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-INSA Institut National des Sciences Appliquées Hauts-de-France (INSA Hauts-De-France), Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN (MAMINA - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-INSA Institut National des Sciences Appliquées Hauts-de-France (INSA Hauts-De-France)-Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Bio-Micro-Electro-Mechanical Systems - IEMN (BIOMEMS - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Mertens, PW, Meuris, M, Heyns, M, Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) |
| المصدر: | 13th International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS) 13th International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS), Sep 2016, Knokke, Belgium. ⟨10.4028/www.scientific.net/SSP.255.129⟩ |
| بيانات النشر: | HAL CCSD, 2016. |
| سنة النشر: | 2016 |
| مصطلحات موضوعية: | Materials science, Nanostructure, Analytical chemistry, 02 engineering and technology, Integrated circuit, 01 natural sciences, Deep Trench Isolation, law.invention, Surface tension, [SPI]Engineering Sciences [physics], law, 0103 physical sciences, General Materials Science, Wafer, wetting kinetics, acoustic reflectometry, 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], Through-silicon via, business.industry, Through Silicon Via, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Microstructure, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Characterization (materials science), high aspect ratio, Optoelectronics, Wetting, 0210 nano-technology, business |
| الوصف: | International audience; Wetting efficiency of microstructures or nanostructures patterned on Si wafers is a real concern in integrated circuits manufacturing. We present here a high-frequency acoustic method which enables the local determination of the wetting state of a liquid on real DTI and TSV structures. Partial wetting states for non-hydrophobic surfaces or low surface tension liquids are detectable with this method. Filling time of TSV structures has also been measured. |
| اللغة: | English |
| DOI: | 10.4028/www.scientific.net/SSP.255.129⟩ |
| URL الوصول: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6c4e58278a094cde48643ff199311ffd https://hal-uphf.archives-ouvertes.fr/hal-03280231 |
| Rights: | CLOSED |
| رقم الانضمام: | edsair.doi.dedup.....6c4e58278a094cde48643ff199311ffd |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.4028/www.scientific.net/SSP.255.129⟩ |
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