Evolution of C-V and I-V characteristics for a commercial 600 V GaN GIT power device under repetitive short-circuit tests
| العنوان: | Evolution of C-V and I-V characteristics for a commercial 600 V GaN GIT power device under repetitive short-circuit tests |
|---|---|
| المؤلفون: | Moncef Kadi, Pascal Dherbécourt, J-Z. Fu, F. Fouquet |
| المساهمون: | École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), Groupe de physique des matériaux (GPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| المصدر: | Microelectronics Reliability Microelectronics Reliability, Elsevier, 2018, 88-90, pp.652-655. ⟨10.1016/j.microrel.2018.06.034⟩ Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.652-655. ⟨10.1016/j.microrel.2018.06.034⟩ |
| بيانات النشر: | Elsevier BV, 2018. |
| سنة النشر: | 2018 |
| مصطلحات موضوعية: | Materials science, Long pulse, 02 engineering and technology, Short-circuit, 01 natural sciences, Capacitance, GaN, law.invention, law, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, I-V and C-V characteristics, Electrical and Electronic Engineering, Safety, Risk, Reliability and Quality, 010302 applied physics, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Transistor, Biasing, Condensed Matter Physics, Aging test, Gate voltage, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Power (physics), [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Optoelectronics, business, Short circuit |
| الوصف: | International audience; In this article, a repetitive and non-destructive short-circuit aging test is developed to characterize the electrical parameters evolutions of a 600 V GaN Gate Injection Transistor (GIT). The evolutions of C-V and I-V characteristics during the repetitive short-circuit tests with a relatively low bias voltage and long pulse duration are presented and summarized. The capacitance CGD at on-state mode and the gate current at relative high gate voltage show significant degradations before and after test. |
| تدمد: | 0026-2714 |
| DOI: | 10.1016/j.microrel.2018.06.034 |
| DOI: | 10.1016/j.microrel.2018.06.034⟩ |
| URL الوصول: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5ae9efc9df47fcdd02bb7b279468f1ac https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.06.034 |
| Rights: | CLOSED |
| رقم الانضمام: | edsair.doi.dedup.....5ae9efc9df47fcdd02bb7b279468f1ac |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| تدمد: | 00262714 |
|---|---|
| DOI: | 10.1016/j.microrel.2018.06.034 |