Appareillage et méthodologie d'étude des surfaces de GaAs en cours de croissance en épitaxie phase vapeur
| العنوان: | Appareillage et méthodologie d'étude des surfaces de GaAs en cours de croissance en épitaxie phase vapeur |
|---|---|
| المؤلفون: | H. Paradan, F. Hottier, J.B. Theeten |
| المصدر: | Revue de Physique Appliquée Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1976, 11 (5), pp.587-595. ⟨10.1051/rphysap:01976001105058700⟩ |
| بيانات النشر: | HAL CCSD, 1976. |
| سنة النشر: | 1976 |
| مصطلحات موضوعية: | solid vapour interface, Materials science, UHV chamber, Auger effect, 02 engineering and technology, in situ measurements, 01 natural sciences, H sub 2 GaAs AsCl sub 3 system, electron diffraction examination of materials, LEED, 0103 physical sciences, RHEED, ellipsometry measurements, 010302 applied physics, low energy electron diffraction, vapour phase epitaxial growth, AES, GaAs surfaces, semiconductor, 021001 nanoscience & nanotechnology, crystal growth mechanism, gallium arsenide, semiconductor growth, chemical vapour deposition, [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives, III V semiconductors, 0210 nano-technology, 100 GaAs epitaxial layers, CVD reactor |
| الوصف: | La caractérisation, à l'échelle microscopique, de l'interface solide-vapeur au cours d'une réaction d'épitaxie en phase vapeur apporterait des éléments essentiels à la compréhension des mécanismes de croissance cristalline. On décrit ici un appareillage capable d'accéder à l'interface de croissance in vivo. Pour cela, un réacteur d'épitaxie vapeur a été aménagé pour permettre des mesures d'ellipsométrie. Pour compléter les informations obtenues, un système de sas permet un transfert direct dans un bâti ultra-vide où on examine la surface en diffraction électronique LEED et RHEED et en spectrométrie AUGER. On illustre le fonctionnement du système sur le cas de couches épitaxiales de GaAs (100) préparées dans le système H2-GaAs-AsCl 3. |
| اللغة: | French |
| تدمد: | 0035-1687 2777-3671 |
| DOI: | 10.1051/rphysap:01976001105058700⟩ |
| URL الوصول: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::497e1121ba7346ddcfa9e20867d813fc https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244093 |
| Rights: | OPEN |
| رقم الانضمام: | edsair.doi.dedup.....497e1121ba7346ddcfa9e20867d813fc |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| تدمد: | 00351687 27773671 |
|---|---|
| DOI: | 10.1051/rphysap:01976001105058700⟩ |