GaN and Ga2O3 Heterostructure Grown by MBE and Their Interfacial Properties

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: GaN and Ga2O3 Heterostructure Grown by MBE and Their Interfacial Properties
المؤلفون: Ho, Shao-Ting
بيانات النشر: Cornell University Library, 2020.
سنة النشر: 2020
DOI: 10.7298/1y2m-nk82
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d96dbc6cbaaef0d22097d67bc4ea7dcb
رقم الانضمام: edsair.doi...........d96dbc6cbaaef0d22097d67bc4ea7dcb
قاعدة البيانات: OpenAIRE