Investigation of Safe Operating Area on 4H-SiC 600V VDMOSFET with TLP and UIS Test Methods

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Investigation of Safe Operating Area on 4H-SiC 600V VDMOSFET with TLP and UIS Test Methods
المؤلفون: Chao-Yang Ke, Yu-Chia Tsui, Bing-Yue Tsui, Ming-Dou Ker
المصدر: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
بيانات النشر: IEEE, 2023.
سنة النشر: 2023
DOI: 10.1109/irps48203.2023.10118299
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::07df3155df8aea89716f1085bcd3ad0c
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118299
Rights: CLOSED
رقم الانضمام: edsair.doi...........07df3155df8aea89716f1085bcd3ad0c
قاعدة البيانات: OpenAIRE
الوصف
DOI:10.1109/irps48203.2023.10118299