Electronic Bandgap and Exciton Binding Energy of Layered Semiconductor TiS3
| العنوان: | Electronic Bandgap and Exciton Binding Energy of Layered Semiconductor TiS3 |
|---|---|
| المؤلفون: | Molina-Mendoza A.J., Barawi M., Biele R., Flores E., Ares J.R., Sánchez C., Rubio-Bollinger G., Agraït N., D'Agosta R., Ferrer I.J., Castellanos-Gomez A. |
| المصدر: | Repositorio Institucional del Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia (IMDEA Nanociencia) |
| بيانات النشر: | "Dpto. de Física de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, Madrid, E-28049, Spain"," Materials of Interest in Renewable Energies Group (MIRE Group), Dpto. de Física de Materiales, Universidad Autónoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, Madrid, E-28049, Spain"," ETSF Scientific Development Center, Dpto. de Física de Materiales, Universidad del País Vasco, San Sebastián, E-20018, Spain"," Instituto de Ciencia de Materiales “Nicolás Cabrera,”, Campus de Cantoblanco, Madrid, E-18049, Spain"," Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), Universidad Autónoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, Madrid, E-28049, Spain"," Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia (IMDEA-nanociencia), Campus de Cantoblanco, Madrid, E-18049, Spain"," IKERBASQUE, Basque Foundation for Science, Bilbao, E-48013, Spain", 2015. |
| سنة النشر: | 2015 |
| URL الوصول: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=RECOLECTA___::d6a147d92a118d464aa015702452c23a http://hdl.handle.net/20.500.12614/1209 |
| Rights: | OPEN |
| رقم الانضمام: | edsair.RECOLECTA.....d6a147d92a118d464aa015702452c23a |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| الوصف غير متاح. |