Anisotropic etching of Si (100) studied by scanning electron microscopy

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Anisotropic etching of Si (100) studied by scanning electron microscopy
المؤلفون: Stoev, I.
المصدر: Sensors and Actuators A: Physical; 1996, Vol. 51 Issue: 2 p113-116, 4p
قاعدة البيانات: Supplemental Index
الوصف
تدمد:09244247
DOI:10.1016/0924-4247(95)01015-S