Academic Journal

Highly Reproducible Heterosynaptic Plasticity Enabled by MoS2/ZrO2–x Heterostructure Memtransistor.

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Highly Reproducible Heterosynaptic Plasticity Enabled by MoS2/ZrO2–x Heterostructure Memtransistor.
المؤلفون: Jang, Hye Yeon, Kwon, Ojun, Nam, Jae Hyeon, Kwon, Jung-Dae, Kim, Yonghun, Park, Woojin, Cho, Byungjin
المصدر: ACS Applied Materials & Interfaces; 11/23/2022, Vol. 14 Issue 46, p52173-52181, 9p
قاعدة البيانات: Supplemental Index
الوصف
تدمد:19448244
DOI:10.1021/acsami.2c15497