Design and optimization of silicon JFET in 180nm RF/BiCMOS technology.

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Design and optimization of silicon JFET in 180nm RF/BiCMOS technology.
المؤلفون: Yun Shi, Rassel, R.M., Phelps, R.A., Rainey, B., Dunn, J., Harame, D.
المصدر: 2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (BCTM); 2010, p86-89, 4p
قاعدة البيانات: Complementary Index
الوصف
ردمك:9781424485789
DOI:10.1109/BIPOL.2010.5667942