التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
A 0.24 μm SiGe BiCMOS technology featuring 6.5V CMOS, fT/fMAX of 15/14 GHz VPNP, and fT/fMAX of 60/125 GHz HBT. |
| المؤلفون: |
Candra, P., Dahlstrom, M., Zierak, M., Voegeli, B., Watson, K., Gray, P., He, Z.X., Rassel, R.M., Von Bruns, S., Schmidt, N., Camillo-Castillo, R., Previty-Kelly, R., Gautsch, M., Norris, A., Gordon, M., Chapman, P., Hershberger, D., Lukaitis, J., Feilchenfeld, N., Joseph, A. |
| المصدر: |
2008 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting; 2008, p97-100, 4p |
| قاعدة البيانات: |
Complementary Index |