A new PSO-based approach to study the nanoscale DG MOSFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A new PSO-based approach to study the nanoscale DG MOSFETs
المؤلفون: Bendib, T., Djeffal, F., Abdi, M. A.
المصدر: 5th International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era ; page 1-5
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2010
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/dtis.2010.5487571
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/dtis.2010.5487571
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/5481254/5487535/05487571.pdf?arnumber=5487571
رقم الانضمام: edsbas.7E8612BF
قاعدة البيانات: BASE