Academic Journal

Spontaneous High-Dynamic-Range Random Current Spiking in BaF 2 Memristors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Spontaneous High-Dynamic-Range Random Current Spiking in BaF 2 Memristors
المؤلفون: Lin, Chen-Hsun, Chuang, Yung-Tang, Chen, Cheng-Yueh, Chen, Hung-Ming, Yu, Wen-Yi, Shyue, Jing-Jong, Lin, Hao-Wu
المساهمون: National Science and Technology Council
المصدر: ACS Applied Electronic Materials ; ISSN 2637-6113 2637-6113
بيانات النشر: American Chemical Society (ACS)
سنة النشر: 2025
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: English
DOI: 10.1021/acsaelm.4c01945
الاتاحة: https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01945
https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsaelm.4c01945
Rights: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
رقم الانضمام: edsbas.77A224AE
قاعدة البيانات: BASE