Academic Journal
Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V
| العنوان: | Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V |
|---|---|
| المؤلفون: | Ismail, A., Palau, J.-M., Lassabatère, L. |
| المساهمون: | Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| المصدر: | ISSN: 0302-0738. |
| بيانات النشر: | HAL CCSD EDP Sciences |
| سنة النشر: | 1984 |
| المجموعة: | Université de Montpellier: HAL |
| مصطلحات موضوعية: | Fermi level, III V semiconductors, surface electron states, [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives |
| الوصف: | Ce travail est consacré à l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi sur les matériaux III-V, en termes de modèle d'état, de charge dans ces états et à la surface. Partant des résultats considérés comme acquis dans la bibliographie, résultats concernant GaAs et à un degré moindre InP, nous montrons qu'un modèle à deux états peut rendre compte de la majorité d'entre eux. En particulier, l'ancrage du niveau de Fermi sur GaAs s'explique bien à condition de positionner l'accepteur au-dessus du donneur. L'interaction de différents métaux conduisant expérimentalement à des ancrages du niveau de Fermi situés, dans tous les cas, dans le tiers inférieur de la bande interdite s'explique bien par ce modèle. Si l'évolution de l'ancrage à très fort recouvrement peut être, comme l'ont fait différents auteurs, interprétée par l'apparition d'un état supplémentaire, on montre que l'hypothèse d'une évolution de la position énergétique des états avec le recouvrement conduit au même résultat. Dans le cas de InP, nous montrons que l'ancrage près de la bande de conduction s'explique en prenant en compte un état donneur positionné au-dessus d'un état accepteur. Nous expliquons les différences de positions de l'ancrage caractéristiques des différents métaux par de légères variations dans le taux de création des états par le métal. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| اللغة: | French |
| Relation: | jpa-00209913; https://hal.science/jpa-00209913; https://hal.science/jpa-00209913/document; https://hal.science/jpa-00209913/file/ajp-jphys_1984_45_10_1717_0.pdf |
| DOI: | 10.1051/jphys:0198400450100171700 |
| الاتاحة: | https://hal.science/jpa-00209913 https://hal.science/jpa-00209913/document https://hal.science/jpa-00209913/file/ajp-jphys_1984_45_10_1717_0.pdf https://doi.org/10.1051/jphys:0198400450100171700 |
| Rights: | info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| رقم الانضمام: | edsbas.21BA0B53 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| ResultId |
1 |
|---|---|
| Header |
edsbas BASE edsbas.21BA0B53 753 3 Academic Journal academicJournal 753.149658203125 |
| PLink |
https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&scope=site&db=edsbas&AN=edsbas.21BA0B53&custid=s6537998&authtype=sso |
| FullText |
Array
(
[Availability] => 0
)
Array ( [0] => Array ( [Url] => https://hal.science/jpa-00209913# [Name] => EDS - BASE [Category] => fullText [Text] => View record in BASE [MouseOverText] => View record in BASE ) ) |
| Items |
Array
(
[Name] => Title
[Label] => Title
[Group] => Ti
[Data] => Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V
)
Array ( [Name] => Author [Label] => Authors [Group] => Au [Data] => <searchLink fieldCode="AR" term="%22Ismail%2C+A%2E%22">Ismail, A.</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Palau%2C+J%2E-M%2E%22">Palau, J.-M.</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Lassabatère%2C+L%2E%22">Lassabatère, L.</searchLink> ) Array ( [Name] => Author [Label] => Contributors [Group] => Au [Data] => Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2)<br />Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ) Array ( [Name] => TitleSource [Label] => Source [Group] => Src [Data] => <i>ISSN: 0302-0738</i>. ) Array ( [Name] => Publisher [Label] => Publisher Information [Group] => PubInfo [Data] => HAL CCSD<br />EDP Sciences ) Array ( [Name] => DatePubCY [Label] => Publication Year [Group] => Date [Data] => 1984 ) Array ( [Name] => Subset [Label] => Collection [Group] => HoldingsInfo [Data] => Université de Montpellier: HAL ) Array ( [Name] => Subject [Label] => Subject Terms [Group] => Su [Data] => <searchLink fieldCode="DE" term="%22Fermi+level%22">Fermi level</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22III+V+semiconductors%22">III V semiconductors</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22surface+electron+states%22">surface electron states</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22[PHYS%2EHIST]Physics+[physics]%2FPhysics+archives%22">[PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives</searchLink> ) Array ( [Name] => Abstract [Label] => Description [Group] => Ab [Data] => Ce travail est consacré à l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi sur les matériaux III-V, en termes de modèle d'état, de charge dans ces états et à la surface. Partant des résultats considérés comme acquis dans la bibliographie, résultats concernant GaAs et à un degré moindre InP, nous montrons qu'un modèle à deux états peut rendre compte de la majorité d'entre eux. En particulier, l'ancrage du niveau de Fermi sur GaAs s'explique bien à condition de positionner l'accepteur au-dessus du donneur. L'interaction de différents métaux conduisant expérimentalement à des ancrages du niveau de Fermi situés, dans tous les cas, dans le tiers inférieur de la bande interdite s'explique bien par ce modèle. Si l'évolution de l'ancrage à très fort recouvrement peut être, comme l'ont fait différents auteurs, interprétée par l'apparition d'un état supplémentaire, on montre que l'hypothèse d'une évolution de la position énergétique des états avec le recouvrement conduit au même résultat. Dans le cas de InP, nous montrons que l'ancrage près de la bande de conduction s'explique en prenant en compte un état donneur positionné au-dessus d'un état accepteur. Nous expliquons les différences de positions de l'ancrage caractéristiques des différents métaux par de légères variations dans le taux de création des états par le métal. ) Array ( [Name] => TypeDocument [Label] => Document Type [Group] => TypDoc [Data] => article in journal/newspaper ) Array ( [Name] => Language [Label] => Language [Group] => Lang [Data] => French ) Array ( [Name] => NoteTitleSource [Label] => Relation [Group] => SrcInfo [Data] => jpa-00209913; https://hal.science/jpa-00209913; https://hal.science/jpa-00209913/document; https://hal.science/jpa-00209913/file/ajp-jphys_1984_45_10_1717_0.pdf ) Array ( [Name] => DOI [Label] => DOI [Group] => ID [Data] => 10.1051/jphys:0198400450100171700 ) Array ( [Name] => URL [Label] => Availability [Group] => URL [Data] => https://hal.science/jpa-00209913<br />https://hal.science/jpa-00209913/document<br />https://hal.science/jpa-00209913/file/ajp-jphys_1984_45_10_1717_0.pdf<br />https://doi.org/10.1051/jphys:0198400450100171700 ) Array ( [Name] => Copyright [Label] => Rights [Group] => Cpyrght [Data] => info:eu-repo/semantics/OpenAccess ) Array ( [Name] => AN [Label] => Accession Number [Group] => ID [Data] => edsbas.21BA0B53 ) |
| RecordInfo |
Array
(
[BibEntity] => Array
(
[Identifiers] => Array
(
[0] => Array
(
[Type] => doi
[Value] => 10.1051/jphys:0198400450100171700
)
)
[Languages] => Array
(
[0] => Array
(
[Text] => French
)
)
[Subjects] => Array
(
[0] => Array
(
[SubjectFull] => Fermi level
[Type] => general
)
[1] => Array
(
[SubjectFull] => III V semiconductors
[Type] => general
)
[2] => Array
(
[SubjectFull] => surface electron states
[Type] => general
)
[3] => Array
(
[SubjectFull] => [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives
[Type] => general
)
)
[Titles] => Array
(
[0] => Array
(
[TitleFull] => Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V
[Type] => main
)
)
)
[BibRelationships] => Array
(
[HasContributorRelationships] => Array
(
[0] => Array
(
[PersonEntity] => Array
(
[Name] => Array
(
[NameFull] => Ismail, A.
)
)
)
[1] => Array
(
[PersonEntity] => Array
(
[Name] => Array
(
[NameFull] => Palau, J.-M.
)
)
)
[2] => Array
(
[PersonEntity] => Array
(
[Name] => Array
(
[NameFull] => Lassabatère, L.
)
)
)
[3] => Array
(
[PersonEntity] => Array
(
[Name] => Array
(
[NameFull] => Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2)
)
)
)
[4] => Array
(
[PersonEntity] => Array
(
[Name] => Array
(
[NameFull] => Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
)
)
)
)
[IsPartOfRelationships] => Array
(
[0] => Array
(
[BibEntity] => Array
(
[Dates] => Array
(
[0] => Array
(
[D] => 01
[M] => 01
[Type] => published
[Y] => 1984
)
)
[Identifiers] => Array
(
[0] => Array
(
[Type] => issn-locals
[Value] => edsbas
)
[1] => Array
(
[Type] => issn-locals
[Value] => edsbas.oa
)
)
[Titles] => Array
(
[0] => Array
(
[TitleFull] => ISSN: 0302-0738
[Type] => main
)
)
)
)
)
)
)
|
| IllustrationInfo |