Properties of Ion–Electron Emission from the Surface of Semiconductor Material During Reactive Ion–Beam Etching ; ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	Properties of Ion–Electron Emission from the Surface of Semiconductor Material During Reactive Ion–Beam Etching ; ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ
المؤلفون:	A. S. Kurochka, A. A. Sergienko, S. P. Kurochka, V. I. Kolybelkin, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
المصدر:	Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2014); 104-108 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2014); 104-108 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2014-2
بيانات النشر:	MISIS
سنة النشر:	2015
المجموعة:	Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
مصطلحات موضوعية:	область пространственного заряда, ion−beam etching, secondary electron current, autoelectronic emission, electron affinity, surface electron states, the space charge region, ионно−лучевое травление, ток вторичных электронов, автоэлектронная эмиссия, сродство к электрону, поверхностные электронные состояния
نوع الوثيقة:	article in journal/newspaper
وصف الملف:	application/pdf
اللغة:	Russian
Relation:	https://met.misis.ru/jour/article/view/129/122; Киреев, В. Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии / В. Ю. Киреев. − М. : ФГУП «ЦНИИХМ», 2008. – 428 с.; Броудай, И. Физические основы микротехнологии / И. Броудай, Дж. Мерей − М. : Мир, 1985. − 496 с.; Ковалев,А.Н.Современныенаправленияипроблемысоздания полевых транзисторов на AlGa N/GaN−гетероструктурах / А. Н. Ковалев // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2002. − No 2. − С. 4—15.; Орликовский, А. А. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы / А. А. Орликовский // Микроэлектроника. − 2001. − Т. 30. − No 5. − С. 323—344.; Коронкевич,В.П.Современныелазерныеинтерферометры / В. П. Коронкевич, В. А. Ханов. − М. : Наука, 1985. − 180 с.; Митрофанов, Е. А. Масс−спектрометрические методы контроля технологических процессов травления и формирования пленок / Е. А. Митрофанов, Ю. П. Макшев // Вакуумная техника и технология. − 1992. − Т. 11. − No 4. − С. 59—68.; Дудин, С. В. Диагностика плазменных технологических схем: методическое пособие по курсу С. В. Дудин, А. В. Зыков, В. И. Фареник. − Харьков : Харьковский нац. ун−т им. В. Н. Казина, 2009. − 32 с.; Курочка, А. С. Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно−лучевого травления пленочных гетерокомпозиций: дисс. . канд. тех. наук / А. С. Курочка − М., 2013. − 149 с.; Петров,Н.Н.Эмиссионныепроцессыприионнойбомбардировке твердых тел / Н. Н. Петров // XXII конф. по эмиссионной электронике. – М., 1994. – Т. 1. – С. 9.; Сергиенко, А. А. Особенности кинетической ионно− электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно−лучевого травления: дисс. . канд. техн. наук. / А. А. Сергиенко − М. : МИСиС, 2006. − 144 c.; Симакин, С. Б. Неразрушающий контроль процесса ионно−лучевого травления наноразмерных гетероструктур / С. Б. Симакин, А. А. Сергиенко, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, С. П. Курочка, Ю. А. Ходос, Н. А. Харламов, М. А. Пушкарев // Заводская лаборатория. − 2011. − Т. 77. − No 3. − С. 28—34.; Гольдберг, Ю. А. Омический контакт металл—полупроводник АIIIBV: методы создания и свойства / Ю. А. Гольдберг // ФТП. − 1994. − Т. 28, вып. 10. − С. 1681—1698.; Киселев,В.Ф.Основыфизикиповерхноститвердоготела / Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Затеев А. В. − М. : МГУ, 1999. − 284 c. 14. Добрецов, Л. Н. Эмиссионная электроника / Л. Н. Добрецов, М. В. Гомоюнова − М. : Наука, 1996. − 564 c.; https://met.misis.ru/jour/article/view/129
DOI:	10.17073/1609-3577-2014-2-104-108
الاتاحة:	https://met.misis.ru/jour/article/view/129 https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-104-108
Rights:	Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access). ; Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
رقم الانضمام:	edsbas.1645F8D2
قاعدة البيانات:	BASE

View record in BASE

ResultId	1
Header	edsbas BASE edsbas.1645F8D2 856 3 Academic Journal academicJournal 855.848266601563
PLink	https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&scope=site&db=edsbas&AN=edsbas.1645F8D2&custid=s6537998&authtype=sso
FullText	Array ( [Availability] => 0 ) Array ( [0] => Array ( [Url] => https://met.misis.ru/jour/article/view/129# [Name] => EDS - BASE [Category] => fullText [Text] => View record in BASE [MouseOverText] => View record in BASE ) )
Items	Array ( [Name] => Title [Label] => Title [Group] => Ti [Data] => Properties of Ion–Electron Emission from the Surface of Semiconductor Material During Reactive Ion–Beam Etching ; ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ) Array ( [Name] => Author [Label] => Authors [Group] => Au [Data] => <searchLink fieldCode="AR" term="%22A%2E+S%2E+Kurochka%22">A. S. Kurochka</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22A%2E+A%2E+Sergienko%22">A. A. Sergienko</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22S%2E+P%2E+Kurochka%22">S. P. Kurochka</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22V%2E+I%2E+Kolybelkin%22">V. I. Kolybelkin</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22А%2E+С%2E+Курочка%22">А. С. Курочка</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22А%2E+А%2E+Сергиенко%22">А. А. Сергиенко</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22С%2E+П%2E+Курочка%22">С. П. Курочка</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22В%2E+И%2E+Колыбелкин%22">В. И. Колыбелкин</searchLink> ) Array ( [Name] => TitleSource [Label] => Source [Group] => Src [Data] => Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2014); 104-108 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2014); 104-108 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2014-2 ) Array ( [Name] => Publisher [Label] => Publisher Information [Group] => PubInfo [Data] => MISIS ) Array ( [Name] => DatePubCY [Label] => Publication Year [Group] => Date [Data] => 2015 ) Array ( [Name] => Subset [Label] => Collection [Group] => HoldingsInfo [Data] => Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники ) Array ( [Name] => Subject [Label] => Subject Terms [Group] => Su [Data] => <searchLink fieldCode="DE" term="%22область+пространственного+заряда%22">область пространственного заряда</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22ion−beam+etching%22">ion−beam etching</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22secondary+electron+current%22">secondary electron current</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22autoelectronic+emission%22">autoelectronic emission</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22electron+affinity%22">electron affinity</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22surface+electron+states%22">surface electron states</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22the+space+charge+region%22">the space charge region</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22ионно−лучевое+травление%22">ионно−лучевое травление</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22ток+вторичных+электронов%22">ток вторичных электронов</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22автоэлектронная+эмиссия%22">автоэлектронная эмиссия</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22сродство+к+электрону%22">сродство к электрону</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22поверхностные+электронные+состояния%22">поверхностные электронные состояния</searchLink> ) Array ( [Name] => TypeDocument [Label] => Document Type [Group] => TypDoc [Data] => article in journal/newspaper ) Array ( [Name] => Format [Label] => File Description [Group] => SrcInfo [Data] => application/pdf ) Array ( [Name] => Language [Label] => Language [Group] => Lang [Data] => Russian ) Array ( [Name] => NoteTitleSource [Label] => Relation [Group] => SrcInfo [Data] => https://met.misis.ru/jour/article/view/129/122; Киреев, В. Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии / В. Ю. Киреев. − М. : ФГУП «ЦНИИХМ», 2008. – 428 с.; Броудай, И. Физические основы микротехнологии / И. Броудай, Дж. Мерей − М. : Мир, 1985. − 496 с.; Ковалев,А.Н.Современныенаправленияипроблемысоздания полевых транзисторов на AlGa N/GaN−гетероструктурах / А. Н. Ковалев // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2002. − No 2. − С. 4—15.; Орликовский, А. А. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы / А. А. Орликовский // Микроэлектроника. − 2001. − Т. 30. − No 5. − С. 323—344.; Коронкевич,В.П.Современныелазерныеинтерферометры / В. П. Коронкевич, В. А. Ханов. − М. : Наука, 1985. − 180 с.; Митрофанов, Е. А. Масс−спектрометрические методы контроля технологических процессов травления и формирования пленок / Е. А. Митрофанов, Ю. П. Макшев // Вакуумная техника и технология. − 1992. − Т. 11. − No 4. − С. 59—68.; Дудин, С. В. Диагностика плазменных технологических схем: методическое пособие по курсу С. В. Дудин, А. В. Зыков, В. И. Фареник. − Харьков : Харьковский нац. ун−т им. В. Н. Казина, 2009. − 32 с.; Курочка, А. С. Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно−лучевого травления пленочных гетерокомпозиций: дисс. . канд. тех. наук / А. С. Курочка − М., 2013. − 149 с.; Петров,Н.Н.Эмиссионныепроцессыприионнойбомбардировке твердых тел / Н. Н. Петров // XXII конф. по эмиссионной электронике. – М., 1994. – Т. 1. – С. 9.; Сергиенко, А. А. Особенности кинетической ионно− электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно−лучевого травления: дисс. . канд. техн. наук. / А. А. Сергиенко − М. : МИСиС, 2006. − 144 c.; Симакин, С. Б. Неразрушающий контроль процесса ионно−лучевого травления наноразмерных гетероструктур / С. Б. Симакин, А. А. Сергиенко, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, С. П. Курочка, Ю. А. Ходос, Н. А. Харламов, М. А. Пушкарев // Заводская лаборатория. − 2011. − Т. 77. − No 3. − С. 28—34.; Гольдберг, Ю. А. Омический контакт металл—полупроводник АIIIBV: методы создания и свойства / Ю. А. Гольдберг // ФТП. − 1994. − Т. 28, вып. 10. − С. 1681—1698.; Киселев,В.Ф.Основыфизикиповерхноститвердоготела / Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Затеев А. В. − М. : МГУ, 1999. − 284 c. 14. Добрецов, Л. Н. Эмиссионная электроника / Л. Н. Добрецов, М. В. Гомоюнова − М. : Наука, 1996. − 564 c.; https://met.misis.ru/jour/article/view/129 ) Array ( [Name] => DOI [Label] => DOI [Group] => ID [Data] => 10.17073/1609-3577-2014-2-104-108 ) Array ( [Name] => URL [Label] => Availability [Group] => URL [Data] => https://met.misis.ru/jour/article/view/129<br />https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-104-108 ) Array ( [Name] => Copyright [Label] => Rights [Group] => Cpyrght [Data] => Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access). ; Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access). ) Array ( [Name] => AN [Label] => Accession Number [Group] => ID [Data] => edsbas.1645F8D2 )
RecordInfo	Array ( [BibEntity] => Array ( [Identifiers] => Array ( [0] => Array ( [Type] => doi [Value] => 10.17073/1609-3577-2014-2-104-108 ) ) [Languages] => Array ( [0] => Array ( [Text] => Russian ) ) [Subjects] => Array ( [0] => Array ( [SubjectFull] => область пространственного заряда [Type] => general ) [1] => Array ( [SubjectFull] => ion−beam etching [Type] => general ) [2] => Array ( [SubjectFull] => secondary electron current [Type] => general ) [3] => Array ( [SubjectFull] => autoelectronic emission [Type] => general ) [4] => Array ( [SubjectFull] => electron affinity [Type] => general ) [5] => Array ( [SubjectFull] => surface electron states [Type] => general ) [6] => Array ( [SubjectFull] => the space charge region [Type] => general ) [7] => Array ( [SubjectFull] => ионно−лучевое травление [Type] => general ) [8] => Array ( [SubjectFull] => ток вторичных электронов [Type] => general ) [9] => Array ( [SubjectFull] => автоэлектронная эмиссия [Type] => general ) [10] => Array ( [SubjectFull] => сродство к электрону [Type] => general ) [11] => Array ( [SubjectFull] => поверхностные электронные состояния [Type] => general ) ) [Titles] => Array ( [0] => Array ( [TitleFull] => Properties of Ion–Electron Emission from the Surface of Semiconductor Material During Reactive Ion–Beam Etching ; ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ [Type] => main ) ) ) [BibRelationships] => Array ( [HasContributorRelationships] => Array ( [0] => Array ( [PersonEntity] => Array ( [Name] => Array ( [NameFull] => A. S. Kurochka ) ) ) [1] => Array ( [PersonEntity] => Array ( [Name] => Array ( [NameFull] => A. A. Sergienko ) ) ) [2] => Array ( [PersonEntity] => Array ( [Name] => Array ( [NameFull] => S. P. Kurochka ) ) ) [3] => Array ( [PersonEntity] => Array ( [Name] => Array ( [NameFull] => V. I. Kolybelkin ) ) ) [4] => Array ( [PersonEntity] => Array ( [Name] => Array ( [NameFull] => А. С. Курочка ) ) ) [5] => Array ( [PersonEntity] => Array ( [Name] => Array ( [NameFull] => А. А. Сергиенко ) ) ) [6] => Array ( [PersonEntity] => Array ( [Name] => Array ( [NameFull] => С. П. Курочка ) ) ) [7] => Array ( [PersonEntity] => Array ( [Name] => Array ( [NameFull] => В. И. Колыбелкин ) ) ) ) [IsPartOfRelationships] => Array ( [0] => Array ( [BibEntity] => Array ( [Dates] => Array ( [0] => Array ( [D] => 01 [M] => 01 [Type] => published [Y] => 2015 ) ) [Identifiers] => Array ( [0] => Array ( [Type] => issn-locals [Value] => edsbas ) [1] => Array ( [Type] => issn-locals [Value] => edsbas.oa ) ) [Titles] => Array ( [0] => Array ( [TitleFull] => Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2014); 104-108 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2014); 104-108 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2014-2 [Type] => main ) ) ) ) ) ) )
IllustrationInfo