Offset gate field effect transistors with high drain breakdown potential and low Miller feedback capacitance
العنوان: | Offset gate field effect transistors with high drain breakdown potential and low Miller feedback capacitance |
---|---|
المؤلفون: | Dill, Hans G. |
بيانات النشر: | ETH Zurich, 1967. |
سنة النشر: | 1967 |
مصطلحات موضوعية: | Electric engineering, FIELD EFFECT TRANSISTORS, FET (ELECTRONICS), FELDEFFEKTTRANSISTOREN, FET (ELEKTRONIK) |
اللغة: | English |
DOI: | 10.3929/ethz-a-000085667 |
URL الوصول: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df7e00e506fc85785e0a1eae6f75255f |
رقم الانضمام: | edsair.doi...........df7e00e506fc85785e0a1eae6f75255f |
قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
كن أول من يترك تعليقا!