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    Design und Technologie von diskreten auf Silizium basierenden vertikalen SCR Bauelementen für System-Level ESD-Schutz

    المؤلفون: Vendt, Vadim Valentinovic

    المساهمون: Kreupl, Franz (Prof. Dr.), Tornow, Marc (Prof. Dr.)

    مصطلحات موضوعية: Ingenieurwissenschaften, ddc:620, Elektrostatik, Entladung, ESD, Diskrete Bauelemente, sub-femto Farad Kapazitäten, Thyristor, Silicon-Controlled-Rectifier, vertikale Bipolar-Technology, TLP, snapback, de-latching, bipolares Verstärkungsprodukt, electrostatic, discharge, ESD, discrete device, sub-femto farad capacitance, thyristor, silicon-controlled-rectifier, vertical bipolar technology, TLP, snapback, de-latching, bipolar gain product

    وصف الملف: application/pdf

    URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______518::d5b149fdb6f013c03c34a4a4a1ed6519
    https://mediatum.ub.tum.de/1632485

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  2. 2
    Dissertation/ Thesis
    Design and Technology of Discrete Silicon-based Vertical SCR Devices for System-Level ESD Protection ; Design und Technologie von diskreten auf Silizium basierenden vertikalen SCR Bauelementen für System-Level ESD-Schutz

    المؤلفون: Vendt, Vadim Valentinovic

    المساهمون: Kreupl, Franz (Prof. Dr.), Tornow, Marc (Prof. Dr.)

    مصطلحات موضوعية: info:eu-repo/classification/ddc/620, Ingenieurwissenschaften, electrostatic, discharge, ESD, discrete device, sub-femto farad capacitance, thyristor, silicon-controlled-rectifier, vertical bipolar technology, TLP, snapback, de-latching, bipolar gain product, Elektrostatik, Entladung, Diskrete Bauelemente, sub-femto Farad Kapazitäten, vertikale Bipolar-Technology, bipolares Verstärkungsprodukt

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://mediatum.ub.tum.de/1632485; https://mediatum.ub.tum.de/doc/1632485/document.pdf; http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220725-1632485-1-6

    الاتاحة: https://mediatum.ub.tum.de/1632485
    https://mediatum.ub.tum.de/doc/1632485/document.pdf
    http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220725-1632485-1-6

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    Electronic Resource
    Design and Technology of Discrete Silicon-based Vertical SCR Devices for System-Level ESD Protection

    Additional Titles: Design und Technologie von diskreten auf Silizium basierenden vertikalen SCR Bauelementen für System-Level ESD-Schutz

    المؤلفون: Kreupl, Franz (Prof. Dr.), Kreupl, Franz (Prof. Dr.);Tornow, Marc (Prof. Dr.), Vendt, Vadim Valentinovic

    مصطلحات الفهرس: info:eu-repo/classification/ddc/620, Ingenieurwissenschaften, electrostatic, discharge, ESD, discrete device, sub-femto farad capacitance, thyristor, silicon-controlled-rectifier, vertical bipolar technology, TLP, snapback, de-latching, bipolar gain product, Elektrostatik, Entladung, ESD, Diskrete Bauelemente, sub-femto Farad Kapazitäten, Thyristor, Silicon-Controlled-Rectifier, vertikale Bipolar-Technology, TLP, snapback, de-latching, bipolares Verstärkungsprodukt, thesis, doc-type:doctoralThesis

    URL: https://mediatum.ub.tum.de/1632485
    https://mediatum.ub.tum.de/doc/1632485/document.pdf
    http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220725-1632485-1-6

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