نتائج البحث - "Yoshihiro Kokubun"

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Academic Journal

Formation of NiGa2O4 thin films on Ga2O3 substrates / Ga2O3基板上へのNiGa2O4薄膜の形成

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2957

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Academic Journal

NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合ダイオードのスイッチング応答の温度依存性 / Temperature Dependence of Switching Response of NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diodes

المؤلفون: Kentaro Kikuchi, Koji Yano, Shinji Nakagomi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 矢野浩司, 菊地賢太郎

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3071

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3

Academic Journal

(001) β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性 / Crystal Orientation of NiO Thin Films Formed on (001) β-Ga2O3 Substrates

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Takashi Yasuda, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 安田隆

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3630

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4

Academic Journal

Crystal Orientation of NiO Thin Films Formed on β-Ga2O3 Substrates / β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Takashi Yasuda, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 安田隆

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :4112

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5

Academic Journal

NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性 / UV Detection Properties of NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Photodiodes

المؤلفون: Hikaru Sasaki, Shinji Nakagomi, Shinya Meguro, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 佐々木光, 國分義弘, 目黒真也

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :4113

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6

Academic Journal

(111) MgO基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向性 / Crystal Orientation of β-Ga2O3 Thin Films Formed on (111) MgO Substrates

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Takashi Yasuda, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 安田隆

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3897

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7

Academic Journal

NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合ダイオードの電流-電圧特性の温度依存性 / Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Hetero-junction Diode between NiO and beta-Ga2O3

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Shohei Kubo, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 久保匠平, 國分義弘

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3938

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8

Academic Journal

Crystal Orientation of beta-Ga2O3 Thin Films Formed on MgO Substrates / MgO基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向性

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3924

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9

Academic Journal

Growth of NiO Thin Films on Ga2O3 and its Applications to Heterojunction Diodes / β-Ga2O3基板上へのNiO薄膜の成長とヘテロ接合ダイオードへの応用

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Shohei Kubo, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 久保匠平, 國分義弘

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3995

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10

Academic Journal

Crystal Orientation of β-Ga2O3 Films Formed on NiO and its Heterojunction / NiO上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向とそのヘテロ接合

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Shohei Kubo, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 久保匠平, 國分義弘

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3990

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11

Academic Journal

Crystal Orientation of β-Ga2O3 Thin Films Formed on Vicinal c-Plane Sapphire Substrates / c面サファイア・オフ基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向性

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3639

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12

Academic Journal

Ga アセチルアセトナートを原料に用いた β−Ga2O3 の減圧 MOCVD 成長 / Low Pressure MOCVD Growth of β−Ga2O3 Using Ga-Acethyacetonate

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Takashi Togashi, Takashi Yasuda, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 安田隆, 富樫隆

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3589

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Academic Journal

GaNとβ-Ga2O3のヘテロ構造に基づくショットキーダイオード / Schottky Diode Based on Hetero Structure between GaN and β-Ga2O3

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Taka-aki Sato, Yoshihiro Kokubun, Yusuke Takahashi, 中込真二, 佐藤孝彰, 國分義弘, 高橋勇祐

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3578

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Academic Journal

Influence of Heat-treatment Temperature on NiO Growth on MgO by Sol−Gel Method / ゾル－ゲル法によるMgO基板上でのNiO薄膜成長に及ぼす焼成温度の影響

المؤلفون: Masato Koyanagi, Shinji Nakagomi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 小柳真彗

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3563

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Academic Journal

Electrical Properties of beta-Ga2O3 / SiC Heterojunction Diodes / β-Ga2O3／SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :217

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Academic Journal

Crystal Orientation of beta-Ga2O3 Thin Films Formed on m-Plane Sapphire Substrate / m面サファイア基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向性

المؤلفون: Satoru Kaneko, Shinji Nakagomi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 金子智

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3784

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Academic Journal

Preparation of NiO Thin Films on MgO Substrates by Sol-Gel Method / ゾル-ゲル法によるMgO基板上へのNiO薄膜の作製

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Takahiro Abe, Yoshihiro Kokubun, Yuta Amano, 中込真二, 國分義弘, 天野優太, 阿部隆大

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :4041

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Academic Journal

Deep Ultraviolet Photodiodes based on beta-Ga2O3 / SiC Heterojunction / β-Ga2O3 / SiCヘテロ接合に基づく深紫外フォトダイオード

المؤلفون: Keisuke Hiratsuka, Shinji Nakagomi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 平塚慧祐

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :4057

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Academic Journal

Lattice Strain in NiO Epitaxial Films Grown by Sol-Gel Method / ゾル‐ゲル法により成長したNiOエピタキシャル膜の格子歪

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Yasuhiro Meguro, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 目黒康裕

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3873

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Academic Journal

MOCVD Growth of β-Ga2O3 using Ga Acethylacetonate / ガリウムアセチルアセトナートを用いた酸化ガリウムのMOCVD成長

المؤلفون: Shinji Nakagomi, Takashi Yasuda, Terushige Takahashi, Yoshihiro Kokubun, 中込真二, 國分義弘, 安田隆, 高橋映成

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3845

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