يعرض 1 - 18 نتائج من 18 نتيجة بحث عن '"V. Ya. Reznik"', وقت الاستعلام: 0.51s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2012); 43-50 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2012); 43-50 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-2

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/111/104; Falster, R. Rapid thermal processing and control of oxygen precipitation behavior in silicon wafers / R. Falster, V. V. Voronkov // Mater. Sci. Forum. − 2008. − V. 573—574. − P. 45—60.; Мильвидский, М. Г. Современное состояние технологии полупроводникового кремния / М. Г. Мильвидский / Материаловедение. − 2006. − № 11. − С. 15—26.; Pat. USA N 6250914 / H. Katsumata, H. Ito, H. Takahashi, T. Ohashi, S. Tobashi, K. Iwata; 2000.; Pat. USA N 6032724 / M. Hatta; 1997.; Pat. USA N 5791895 / Н.−S. Kyung, W.−S. Choi, J.−H. Shin; 1996.; Pat. USA N 6002109 / K. E. Johnsgard, B. S.Mattson, J. McDiarmid; 1995.; Fisher, A. Slip−free processing of 300 mm silicon batch wafers / A. Fisher, G. Richter, W. Kurner, P. Kucher // J. Appl. Phys. − 2000. − V. 87. − P. 1543; Kulkarni, M. S. Dynamics of point defects and formation of microdefects in Czochralski crystal growth: modeling, simulation and experiments / M. S. Kulkarni, V. Voronkov, R. Falster // Electrochem. Soc. Proc. − 1998. − V. 98−1. − P. 468.; Prostomolotov, A. Thermal optimization of Cz bulk growth and wafer annealing for crystalline dislocation−free silicon / A. Prostomolotov, N. Verezub, M. Mezhennyi, V. Resnik // J. Cryst. Growth. − 2011. − V. 318, N 1. − P. 187—192.; https://met.misis.ru/jour/article/view/111

  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
  11. 11
  12. 12
  13. 13
  14. 14
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18