-
1Academic Journal
المؤلفون: V. N. Abryutin, I. I. Maronchuk, N. A. Potolokov, D. D. Sanikovich, N. I. Сherkashina, В. Н. Абрютин, И. И. Марончук, Н. А. Потолоков, Д. Д. Саникович, Н. И. Черкашина
المساهمون: The study was funded by a grant from the Innovation Promotion Fund, project No. 63431., Исследование выполнено за счет средств гранта Фонда содействия инновациям, проект № 63431.
المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 3 (2022); 214-226 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 3 (2022); 214-226 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-3
مصطلحات موضوعية: моделирование, impurity composition, purification methods, filtration, vacuum distillation, mass spectrometry, modeling, примесной состав, методы очистки, фильтрация, вакуумная дистилляция, масс-спектрометрия
وصف الملف: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/490/380; Ажажа В.М., Вьюгов П.Н., Ковтун Г.П., Неклюдов И.М. Получение и применение некоторых высокочистых редких металлов. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. 2004; (6(14)): 3—6. http://dspace.nbuv.gov.ua/bitstream/handle/123456789/81248/01-Azhazha.pdf; Ковтун Г.П., Кондрик А.И. Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2003; (6): 3—6. http://dspace.nbuv.gov.ua/bitstream/handle/123456789/70708/01-Condrik.pdf; Кондрик А.И., Ковтун Г.П. Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CT и CZT. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2019; (5-6): 43—50. https://doi.org/10.15222/TKEA2019.5-6.43; Щербань А.П., Ковтун Г.П. Получение кадмия высокой чистоты для микроэлектроники. Вестник Харьковского национального университета имени В.Н. Каразина. Серия физическая «Ядра, частицы, поля». 2004; (642(3(25))): 27—34. http://nuclear.univer.kharkov.ua/lib/642_3(25)_04_p27-34.pdf; Грибов Б.Г. Критически важные материалы электронной техники. В кн.: Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. Тезисы докл. XII конф. Нижний Новгород, 31 мая – 3 июня 2004 г. Нижний Новгород: Издатель Ю.А. Николаев; 2004: 4—6.; Ковтун Г.П., Кравченко А.И., Щербань А.П. Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2001; (3): 6—8.; Ажажа В.М., Ковтун Г.П., Неклюдов И.М. Комплексный подход к получению высокочистых материалов для электроники. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002; (6): 3—6.; Высокочистые вещества / Под ред. М.Ф. Чурбанова, Ю.А. Карпова, П.В. Зломанова, В.А. Федорова. М.: Научный мир; 2018: 994 с. https://www.elibrary.ru/fjftev; Наумов А.В., Кульчицкий Н.А. Состояние рынков кадмия, теллура и соединений на их основе. Известия высших учебных заведений. Цветная металлургия. 2010; (6): 58—65. https://www.elibrary.ru/nbhycr; Козин Л.Ф., Бережной Е.О., Козин К.Л. Закономерности глубокой очистки кадмия методом дистилляции. Высокочистые вещества. 1996; (5): 11—29.; Калашник О.Н., Нисельсон Н.А. Очистка простых веществ дистилляцией с гидротермальным окислением примесей. Высокочистые вещества. 1987; (2): 74—78.; Щербань А.П., Ковтун Г.П., Горбенко Ю.В., Солопихин Д.А., Вирич В.Д., Пироженко Л.А. Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2017; (1-2): 55—60. https://doi.org/10.15222/ TKEA2017.1-2.55; Патент (РФ) № 2687403, МПК C01B 19/02, C22B 9/04. Гришечкин М.Б., Хомяков А.В., Можевитова Е.Н., Аветисов И.Х. Способ получения высокочистого теллура методом дистилляции с пониженным содержанием селена. Заявл. 08.10.2018, опубл.: 13.05.2019. https://yandex.ru/patents/doc/RU2687403C1_20190513; Гришечкин М.Б. Применение газофазных технологий для глубокой очистки веществ на основе редких элементов: Дис. … канд. хим. наук. М.: ФГБОУ ВО Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева; 2021. 256 с. http://www.irea.org.ru/education/dissertation-council/Диссертация_Гришечкин_ФИН.pdf; Александров Б.Н., Дьяков И.Г. Очистка технического кадмия методом вакуумной дистилляции с применением подогреваемого конденсатора. Физика металлов и металловедение. 1962; 14(4): 569—573.; Аветисов И.Х., Гришечкин М.Б., Можевитина Е.Н., Хомяков А.В., Зыкова М.П., Аветисов Р.И. Глубокая очистка теллура для производства материалов электронной техники. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2016; 19(4): 235—240. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-235-240; Potolokov N.A., Fedorov V.A. Ultrapurification of tellurium and cadmium by distillation and crystallization. Inorganic Materials. 2012; 48(11): 1082—1087. https://doi.org/10.1134/S0020168512110106; Пфанн В. Зонная плавка / пер с англ. М.: Металлуриздат; 1960. 272 с.; Александров Б.Н., Веркин Б.И. Очистка электролитически чистого кадмия методами зонной перекристаллизации и вакуумной дистилляции. Физика металлов и металловедение. 1960; 9(3): 362—365.; Щербань А.П., Ковтун Г.П., Даценко О.А. Классификация поведения примесей в цинке, кадмии и теллуре при кристаллизационной очистке. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. 2004; (6(14)): 16—20. http://dspace.nbuv.gov.ua/bitstream/handle/123456789/81250/03-Kovtun.pdf?sequence=1; Патент (РФ) № 2777064. МПК C01B 19/02, C22B 9/04. Давыдова Е.В., Егоров М.А., Марончук И.И., Саникович Д.Д. Способ глубокой очистки металлов. Заявл.: 17.06.2021; опубл.: 22.07.2022. https://patentimages.storage.googleapis.com/2e/e4/28/125c8a932942fa/RU2776574C1.pdf; Патент (РФ) 2777064 № 277064. МПК C01B 19/02, C22B 9/04, C22B 9/02. Давыдова Е.В., Егоров М.А., Марончук И.И., Саникович Д.Д. Устройство для глубокой очистки металлов. Заявл.: 17.06.2021; опубл.:01.08.2022. https://patentimages.storage.googleapis.com/87/58/10/12c6a34b7e8f24/RU2777064C1.pdf; Абрютин В.Н., Давыдова Е.В., Егоров М.А., Марончук И.И., Саникович Д.Д. Глубокая очистка теллура, цинка и кадмия для применения в электронике. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2022; 25(2): 164—174. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-2-164-174; Maronchuk I.I., Sanikovich D.D., Potapkov P.V., Vel′chenko A.A. Improvement of the processes of liquid-phase epitaxial growth of nanoheteroepitaxial structures. Journal of Engineering Physics and Thermophysics. 2018; 91(2): 491—497. https://doi.org/10.1007/s10891-018-1769-0; Maronchuk I.I., Sanikovitch D.D., Cherkashin A.S., Nitchev H., Dimova-Malinovska D. Improving the growth of Ge quantum dots by liquid-phase epitaxy. Journal of Physics: Conference Series. 2017; (794): 012012. https://doi.org/10.1088/1742-6596/794/1/012012; Zazvorka J., Hlidek P., Franc J., Pekarek J., Grill R. Photoluminescence study of surface treatment effects on detector-grade CT. In: Semiconductor Science and Technology. 2016; 31(2): 250—258. https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/2/025014; Zázvorka J. Doctoral thesis, photoconductivity, photoluminescence and charge collection in semiinsulating CT and CZT. Prague: Institute of Physics of Charles University; 2016. 49 p. https://dspace.cuni.cz/handle/20.500.11956/82430; https://met.misis.ru/jour/article/view/490
-
2Academic Journal
المؤلفون: V. N. Abryutin, E. V. Davydova, M. A. Egorov, I. I. Maronchuk, D. D. Sanikovich, В. Н. Абрютин, Е. В. Давыдова, М. А. Егоров, И. И. Марончук, Д. Д. Саникович
المساهمون: The study was funded under a grant of the Innovation Assistance Foundation, Project No. 63431., Исследование выполнено за счет средств гранта Фонда содействия инновациям, проект № 63431.
المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 2 (2022); 164-174 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 2 (2022); 164-174 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-2
مصطلحات موضوعية: масс-спектрометрия, zinc, tellurium, impurity composition, purification methods, filtration, vacuum distillation, mass spectrometry, цинк, теллур, примесной состав, методы очистки, фильтрация, вакуумная дистилляция
وصف الملف: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/465/375; Кондрик А.И., Ковтун Г.П. Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2003; (6): 3—6. http://dspace.nbuv.gov.ua/bitstream/handle/123456789/70708/01-Condrik.pdf; Кондрик А.И., Ковтун Г.П. Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CT и CZT. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2019; (5-6): 43—50. https://doi.org/10.15222/TKEA2019.5-6.43; Черняев B.H., Зернов В.Б., Поведская Л.Г., Ершова С.А., Клофач И.И. Исследование глубокой очистки кадмия и цинка ректификацией и зонной перекристаллизацией. Журнал прикладной химии. 1966; 39(6): 1259—1266.; Козин Л.Ф., Бережной Е.О., Козин К.Л. Закономерности глубокой очистки кадмия методом ректификации. Неорганические материалы. 1999; 35(8); 940—945.; Александров Б.Н., 3удов В.Г. Поведение примесей в кадмии при вакуумной дистилляции. Известия АН СССР. Металлы. 1974; (1): 43—47.; Калашник О.Н., Нисельсон Л.А. Очистка простых веществ дистилляцией с гидротермальным окислением примесей. Высокочистые вещества. 1987; (2): 74—78.; Александров Б.Н. Получение и исследование свойств чистых металлов. В 2-х т. Харьков: Издательство ХФТИ; 1970. Т. 1. C. 26—34.; Kovalevsky S.V., Shelpakova I.R. High-purity zinc, cadmium, tellurium, indium and gallium: preparation and analysis. Chemistry for Sustainable Development. 2000; 8(1-2): 85—87. https://www.sibran.ru/upload/iblock/963/high_purity_zinc_cadmium_tellurium_indium_and_gallium_preparation_and_analysis.PDF; All S.T., Rao J.V., Varma K.S. Prakash T.L. Purification of cadmium up to 5N+ by vacuum distillation. Bulletin of Materials Science. 2002; 25(6): 479—481.; Потолоков Н.А., Федоров В.А. Глубокая очистка теллура и кадмия методами дистилляции и кристаллизации. Неорганические материалы. 2012; 48(11): 1212—1217; Пфанн В. Зонная плавка / пер. с англ. М.: Металлуриздат; 1960. 366 с.; Александров Б.Н., Веркин Б.И. Очистка электролитически чистого кадмия методами зонной перекристаллизации и вакуумной дистилляции. Физика металлов и металловедение. 1960; 9(3): 362—365.; Горбань Е.П., Вивдюк В.Г., Елизаров А.И. и др. Оценка чистоты кадмия методом относительного остаточного сопротивления. В сб.: Научные труды ГИРЕДМЕТа. Сплавы редких металлов. М.: Металлургия; 1980. Т. 96: 109—113.; Козин Л.Ф., Бережной Е.О., Козин К.Л. Закономерности глубокой очистки кадмия методом дистилляции. Высокочистые вещества. 1996; (5): 11—29.; Высокочистые вещества / под ред. М.Ф. Чурбанова, Ю.А. Карпова, П.В. Зломанова, В.А. Фёдорова. М.: Научный мир; 2018. 994 с.; Щербань А.П., Ковтун Г.П., Горбенко Ю.В., Солопихин Д.А., Вирич В.Д., Пироженко Л.А. Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2017; (1-2): 55—60. https://doi.org/10.15222/TKEA2017.1-2.55; Патент (РФ) № 2687403, Кл. C01B 19/02 C22B 9/04. Гришечкин М.Б., Хомяков А.В., Можевитова Е.Н., Аветисов И.Х. Способ получения высокочистого теллура методом дистилляции с пониженным содержанием селена. Заявл.: 08.10.2018; опубл.: 13.05.2019. https://yandex.ru/patents/doc/RU2687403C1_20190513; Гришечкин М.Б. Применение газофазных технологий для глубокой очистки веществ на основе редких элементов: Дис. … канд. хим. наук. М.; 2021. 256 с.; Александров Б.Н., Дьяков И.Г. Очистка технического кадмия методом вакуумной дистилляции с применением подогреваемого конденсатора. Физика металлов и металловедение. 1962; 14(4): 569—573.; Марончук И.И., Марончук И.Е., Саникович Д.Д., Широков И.Б. Разработка методики очистки металлургического кремния до кремния марки «Солнечный». Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015; 18(3): 189—194. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-3-189-194; Патент (UA) № 97576, Кл. С 01В 33/037. Марончук И.И., Кулюткина Т.Ф., Марончук И.Е., Найденкова М.В. Способ очистки кремния технической чистоты. Заявл.: 09.08.2010; опубл.: 27.02.2012. https://uapatents.com/5-97576-sposib-ochishhennya-kremniyu-tekhnichno-chistoti.html; Maronchuk I.I., Maronchuk I.E., Sanikovich D.D., Gochua K.V. Purification of metallurgical silicon up to “solar” mark silicon. International Journal of Renewable Energy Research. 2016; 6(4): 1227—1231. https://doi.org/10.20508/ijrer.v6i4.4355.g6910; Заявка на патент (РФ) № 2021117792, Кл. C01B 19/02 C22B 9/04. Марончук И.И., Давыдова Е.В., Егоров М.А., Саникович Д.Д. Способ глубокой очистки металлов. Заяв.: 17.06.2021.; Заявка на патент (РФ) № 2021117786, Кл. C01B 19/02 C22B 9/04. Марончук И.И., Давыдова Е.В., Егоров М.А., Саникович Д.Д. Устройство для глубокой очистки металлов. Заявл.:17.06.2021.; Zázvorka J., Hlídek P., Franc J., Pekárek J., Grill R. Photoluminescence study of surface treatment effects on detector-grade CdTe:In. Semiconductor Science and Technology. 2016; 31(2): 025014. https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/2/025014; Zázvorka J. Photoconductivity, photoluminescence and charge collection in semiinsulating CdTe and CdZnTe: doctoral thesis. Prague, CZ: Institute of Physics of Charles University; 2016. 49 p. https://dspace.cuni.cz/handle/20.500.11956/82430; https://met.misis.ru/jour/article/view/465
-
3
المؤلفون: V. N. Abryutin, N. A. Potolokov, I. I. Maronchuk, M. N. Brekhovskikh, T. K. Menshchikova, V. A. Fedorov
المصدر: Inorganic Materials. 58:983-989
مصطلحات موضوعية: Inorganic Chemistry, General Chemical Engineering, Materials Chemistry, Metals and Alloys