المؤلفون: Barbot, J., Fontanini, R., Segatto, M., Coignus, J., Triozon, F., Carabasse, C., Bedjaoui, M., Andrieu, F., Esseni, D., Grenouillet, L.

المصدر: Journal of Applied Physics; 12/7/2023, Vol. 134 Issue 21, p1-10, 10p

مصطلحات موضوعية: ALUMINUM oxide, LEAD titanate

المؤلفون: Niquet, Y. M., Duchemin, I., Nguyen, V. -H., Triozon, F., Rideau, D.

المصدر: Applied Physics Letters 106, 023508 (2015)

مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Materials Science

URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1504.01881

المؤلفون: Fontanini, R., Barbot, J., Segatto, M., Lancaster, S., Duong, Q., Driussi, F., Grenouillet, L., Triozon, F., Coignus, J., Mikolajick, T., Slesazeck, S., Esseni, D.

المساهمون: Fontanini, R., Barbot, J., Segatto, M., Lancaster, S., Duong, Q., Driussi, F., Grenouillet, L., Triozon, F., Coignus, J., Mikolajick, T., Slesazeck, S., Esseni, D.

وصف الملف: ELETTRONICO

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/isbn/978-1-6654-3748-6; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000790809500060; ispartofbook:Proceedings of ESSDERC; IEEE 51st European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC); firstpage:255; lastpage:258; numberofpages:4; info:eu-repo/grantAgreement/EC/H2020/871737; https://hdl.handle.net/11390/1215985; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85123016441

الاتاحة: https://hdl.handle.net/11390/1215985
https://doi.org/10.1109/ESSDERC53440.2021.9631812

المؤلفون: Hirchaou, Y., Bauvent, T., Goes, W., Hylin, E.C., Blaise, P., Li, J., Pillonnet, G., Martinie, S., Triozon, F.

المصدر: 2024 IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC) ; page 557-560

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/esserc62670.2024.10719407
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10719398/10719399/10719407.pdf?arnumber=10719407

المؤلفون: Rrustemi, B., Piotrowicz, C., Jaud, M-A., Triozon, F., Vandendaele, W., Mohamad, B., Gwoziecki, R., Ghibaudo, G.

المساهمون: Commissariat a l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

المصدر: Solid-State Electronics ; volume 194, page 108356 ; ISSN 0038-1101

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2022.108356
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110122001289?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110122001289?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Stojetz, B., Roche, S., Miko, C., Triozon, F., Forro, L., Strunk, C.

مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics

URL الوصول: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0607034

المؤلفون: Aouad, M., Martinie, S., Triozon, F., Poiroux, T., Vinet, M., Ghibaudo, G.

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), European Project: 871764,SEQUENCE

المصدر: EUROSOI-ULIS 2020 - Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon ; https://hal.science/hal-04821261 ; EUROSOI-ULIS 2020 - Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, Sep 2020, Caen, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365297⟩ ; https://ieeexplore.ieee.org/document/9365297

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: Caen, France

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//871764/EU/Cryogenic 3D Nanoelectronics -Des approches non conventionnelles pour développer l’électronique cryogénique - DOI 10.3030/871764/SEQUENCE

الاتاحة: https://hal.science/hal-04821261
https://doi.org/10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365297

المؤلفون: Triozon, F., Vidal, J., Mosseri, R., Mayou, D.

المصدر: Phys. Rev. B 65, 220202 (2002)

مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Disordered Systems and Neural Networks

URL الوصول: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0111577

المؤلفون: Foerster, D., Triozon, F.

مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Strongly Correlated Electrons

URL الوصول: http://arxiv.org/abs/cond-mat/9611138

المؤلفون: Barbot J., Fontanini R., Segatto M., Coignus J., Triozon F., Carabasse C., Bedjaoui M., Andrieu F., Esseni D., Grenouillet L.

المساهمون: Barbot, J., Fontanini, R., Segatto, M., Coignus, J., Triozon, F., Carabasse, C., Bedjaoui, M., Andrieu, F., Esseni, D., Grenouillet, L.

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:001112248400017; volume:134; issue:21; journal:JOURNAL OF APPLIED PHYSICS; https://hdl.handle.net/11390/1269727; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85179010930

الاتاحة: https://hdl.handle.net/11390/1269727
https://doi.org/10.1063/5.0176374

المؤلفون: Barbé, J.-Ch, Barraud, S., Rozeau, O., Martinie, S., Lacord, J., Blaise, P., Zeng, Z., Bourdet, L, Triozon, F., Niquet, Y

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), European Project: 688101,H2020,H2020-ICT-2015,SUPERAID7(2016)

المصدر: 2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
https://cea.hal.science/cea-01973405
2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2017, Kamakura, Japan. ⟨10.23919/SISPAD.2017.8085250⟩

مصطلحات موضوعية: NEGF, Nanosheets, TCAD, Process Integration, Leti-NSP, Nanowires, Compact model, Benchmark, MHC, [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: Kamakura, Japan

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//688101/EU/Stability Under Process Variability for Advanced Interconnects and Devices Beyond 7 nm node/SUPERAID7

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-01973405
https://cea.hal.science/cea-01973405v1/document
https://cea.hal.science/cea-01973405v1/file/5-Barbe_SISPAD2017.pdf
https://doi.org/10.23919/SISPAD.2017.8085250

المؤلفون: Berthelon, Rémy, Andneu, F., Triozon, F., Cassé, M., Bourdet, L., Ghibaudo, G., Rideau, D., Niquet, Y.M., Barraud, S., Nguyen, P., Le Royer, C., Lacord, J., Tabone, C., Rozeau, O., Dutartre, D., Claverie, Alain, Josse, E., Arnaud, F., Vinet, M.

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), nano 2017, ANR-13-NANO-0009,NOODLES,Modélisation de nanodispositifs pour des applications à faible consommation(2013), European Project: 662175,H2020,ECSEL-2014-2,WAYTOGO FAST(2015)

المصدر: 2017 VLSI-Technology Technical Digest
2017 IEEE Symposium on VLSI Technology
https://hal.science/hal-02050220
2017 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2017, Kyoto, Japan. pp.T224-T225, ⟨10.23919/VLSIT.2017.7998180⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: Kyoto, Japan

Time: Kyoto, Japan

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//662175/EU/Which Architecture Yields Two Other Generations Of Fully depleted Advanced Substrate and Technologies/WAYTOGO FAST

الاتاحة: https://hal.science/hal-02050220
https://doi.org/10.23919/VLSIT.2017.7998180

المؤلفون: Barraud, S., Lapras, V., Samson, M., Previtali, B., Hartmann, J, M, Rambal, N., Vizioz, C, Loup, V., Comboroure, C., Triozon, F., Bernier, N., Cooper, D., Vinet, M.

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), European Project: 688101,H2020,H2020-ICT-2015,SUPERAID7(2016)

المصدر: 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
https://cea.hal.science/cea-01973414
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), Sep 2017, Sendaï, Japan
http://www.ssdm.jp/2017/

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: Sendaï, Japan

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//688101/EU/Stability Under Process Variability for Advanced Interconnects and Devices Beyond 7 nm node/SUPERAID7; cea-01973414; https://cea.hal.science/cea-01973414; https://cea.hal.science/cea-01973414/document; https://cea.hal.science/cea-01973414/file/7-Barraud_SSDM2017.pdf

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-01973414
https://cea.hal.science/cea-01973414/document
https://cea.hal.science/cea-01973414/file/7-Barraud_SSDM2017.pdf

المؤلفون: Barraud, S., Lapras, V., Previtali, B., Samson, M., Lacord, J., Martinie, S., Jaud, M.-A, Athanasiou, S, Triozon, F., Rozeau, O., Hartmann, J, M, Vizioz, C, Comboroure, C, Andrieu, F, Barbé, J, C, Vinet, M, Ernst, T

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), ANR-10-EQPX-0030,FDSOI11,Plateforme FDSOI pour le node 11nm(2010), European Project: 688101,H2020,H2020-ICT-2015,SUPERAID7(2016)

المصدر: 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
https://cea.hal.science/cea-01973409
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2017, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM.2017.8268473⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: San Francisco, United States

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//688101/EU/Stability Under Process Variability for Advanced Interconnects and Devices Beyond 7 nm node/SUPERAID7; cea-01973409; https://cea.hal.science/cea-01973409; https://cea.hal.science/cea-01973409/document; https://cea.hal.science/cea-01973409/file/6-Barraud_IEDM2017.pdf

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-01973409
https://cea.hal.science/cea-01973409/document
https://cea.hal.science/cea-01973409/file/6-Barraud_IEDM2017.pdf
https://doi.org/10.1109/IEDM.2017.8268473

المؤلفون: Rozeau, O., Martinie, S., Poiroux, T., Triozon, F., Barraud, S., Lacord, J., Niquet, Y., M., Tabone, C., Coquand, R., Augendre, E., Vinet, M., Faynot, O., Barbé, J.-Ch

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Partially funded by the French Public Authorities through the NANO 2017, European Project: 688101,H2020,H2020-ICT-2015,SUPERAID7(2016)

المصدر: 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
https://cea.hal.science/cea-01973390
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2016, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM.2016.7838369⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: San Francisco, United States

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//688101/EU/Stability Under Process Variability for Advanced Interconnects and Devices Beyond 7 nm node/SUPERAID7

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-01973390
https://cea.hal.science/cea-01973390v1/document
https://cea.hal.science/cea-01973390v1/file/3-Rozeau-IEDM2016.pdf
https://doi.org/10.1109/IEDM.2016.7838369

المؤلفون: Bourdet, L, Li, Jing, Pelloux-Prayer, J, Triozon, F., Cassé, M., Barraud, S., Martinie, S., Rideau, D., Niquet, Y.-M

المساهمون: Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), ANR-13-NANO-0009,NOODLES,Modélisation de nanodispositifs pour des applications à faible consommation(2013)

المصدر: 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2016)
https://cea.hal.science/cea-01973687
2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2016), Sep 2016, Nuremberg, Germany. ⟨10.1109/SISPAD.2016.7605204⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: Nuremberg, Germany

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-01973687
https://cea.hal.science/cea-01973687v1/document
https://cea.hal.science/cea-01973687v1/file/2-Bourdet_SISPAD2016_abstract.pdf
https://doi.org/10.1109/SISPAD.2016.7605204

المؤلفون: Pereira, F., Rideau, D., Nier, O., Tavernier, C., Triozon, F., Garetto, D., Mugny, G., Sklenard, B., Hiblot, G., Pala, M.

المساهمون: STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Synopsys Inc., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), ANR-13-NANO-0009,NOODLES,Modélisation de nanodispositifs pour des applications à faible consommation(2013), European Project: 619325,EC:FP7:ICT,FP7-ICT-2013-11,COMPOSE3(2013)

المصدر: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
https://hal.science/hal-02063611
2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Jan 2015, Bologna, Italy. pp.49-52, ⟨10.1109/ULIS.2015.7063770⟩

مصطلحات موضوعية: FDSOI, transport, Kubo-Greenwood, QCDD, Poisson-Schrödinger, mobility, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: Bologna, Italy

Relation: info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/619325/EU/Compound Semiconductors for 3D integration/COMPOSE3

الاتاحة: https://hal.science/hal-02063611
https://doi.org/10.1109/ULIS.2015.7063770

المؤلفون: Grenouillet, L., Francois, T., Coignus, J., Vaxelaire, N., Carabasse, C., Triozon, F., Richter, C., Schroeder, U., Nowak, E.

المصدر: 2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/snw50361.2020.9131648
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9129833/9131605/09131648.pdf?arnumber=9131648

المؤلفون: Grenouillet, L., Francois, T., Coignus, J., Kerdiles, S., Vaxelaire, N., Carabasse, C., Mehmood, F., Chevalliez, S., Pellissier, C., Triozon, F., Mazen, F., Rodriguez, G., Magis, T., Havel, V., Slesazeck, S., Gaillard, F., Schroeder, U., Mikolajick, T., Nowak, E.

المساهمون: European Union's Horizon 2020 research and innovation program

المصدر: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265061
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9264988/9264985/09265061.pdf?arnumber=9265061

المؤلفون: Zoubkoff, R., Triozon, F., Niquet, Y.-M., Latil, S.

المساهمون: Department of Applied Physics and COMP CoE (Aalto University School of Science), Aalto University, Groupe Modélisation et Théorie (GMT), Service de physique de l'état condensé (SPEC - UMR3680), Institut Rayonnement Matière de Saclay (DRF) (IRAMIS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Rayonnement Matière de Saclay (DRF) (IRAMIS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Service de Physique des Matériaux et Microstructures (SP2M - UMR 9002), Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), ANR-09-NANO-0016,NANOSIM_GRAPHENE,Simulation des Nano-matériaux et Nano-dispositifs à base Graphène : Approches multi-échelles(2009)

المصدر: ISSN: 1098-0121 ; EISSN: 1550-235X.

مصطلحات موضوعية: PACS number(s): 61.48.De, 73.22.−f, 73.23.−b, 31.15.aq, [PHYS]Physics [physics]

Relation: cea-01376289; https://cea.hal.science/cea-01376289; https://cea.hal.science/cea-01376289/document; https://cea.hal.science/cea-01376289/file/PhysRevB.90.125418.pdf

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-01376289
https://cea.hal.science/cea-01376289/document
https://cea.hal.science/cea-01376289/file/PhysRevB.90.125418.pdf
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.125418