يعرض 1 - 2 نتائج من 2 نتيجة بحث عن '"Trabelsi, M'hamed"', وقت الاستعلام: 0.33s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    High-k Gate Stack Properties in SON Transistor Given by Voltage and Temperature Dependence of Random Telegraph Signal.

    المؤلفون: Trabelsi, M'hamed1, Militaru, Liviu2, Savio, Andrea2, Monfray, Stephane3, Souifi, Abdelkader2

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Jun2011, Vol. 58 Issue 6, p1798-1803. 6p.

    مصطلحات موضوعية: METAL oxide semiconductor field-effect transistors, DIELECTRICS, ELECTRONIC noise, LOGIC circuits, SEMICONDUCTOR defects, FLUCTUATIONS (Physics), FREQUENCIES of oscillating systems, ACTIVATION (Chemistry)


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Academic Journal
    Study of Gate Oxide/Channel Interface Properties of SON MOSFETs by Random Telegraph Signal and Low Frequency Noise.

    المؤلفون: Trabelsi, M'hamed, Militaru, Liviu, Sghaier, Nabil, Savio, Andrea, Monfray, Stephane, Souifi, Abdelkader

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology; 06/01/2011, Vol. 10 Issue 3, p402-408, 7p


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء