يعرض 1 - 4 نتائج من 4 نتيجة بحث عن '"Ti/Al/Ni"', وقت الاستعلام: 0.32s تنقيح النتائج
  1. 1

    المصدر: Materials science forum 963 (2019): 485–489. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.963.485
    info:cnr-pdr/source/autori:Spera M.; Greco G.; Lo Nigro R.; Di Franco S.; Corso D.; Fiorenza P.; Giannazzo F.; Zielinski M.; La Via F.; Roccaforte F./titolo:Fabrication and characterization of ohmic contacts to 3C-SiC layers grown on silicon/doi:10.4028%2Fwww.scientific.net%2FMSF.963.485/rivista:Materials science forum/anno:2019/pagina_da:485/pagina_a:489/intervallo_pagine:485–489/volume:963

  2. 2

    المصدر: Materials science forum 924 (2018): 377–380. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.924.377
    info:cnr-pdr/source/autori:Vivona M.; Greco G.; Bongiorno C.; Di Franco S.; Lo Nigro R.; Scalese S.; Rascuna S.; Saggio M.; Roccaforte F./titolo:Study of Ti%2FAl%2FNi ohmic contacts to P-type implanted 4H-SiC/doi:10.4028%2Fwww.scientific.net%2FMSF.924.377/rivista:Materials science forum/anno:2018/pagina_da:377/pagina_a:380/intervallo_pagine:377–380/volume:924

  3. 3

    المصدر: Applied surface science 420 (2017): 331–335. doi:10.1016/j.apsusc.2017.05.065
    info:cnr-pdr/source/autori:Vivona, M.; Greco, G.; Bongiorno, C.; Lo Nigro, R.; Scalese, S.; Roccaforte, F./titolo:Electrical and structural properties of surfaces and interfaces in Ti%2FAl%2FNi Ohmic contacts to p-type implanted 4H-SiC/doi:10.1016%2Fj.apsusc.2017.05.065/rivista:Applied surface science/anno:2017/pagina_da:331/pagina_a:335/intervallo_pagine:331–335/volume:420

  4. 4

    المصدر: Materials Science in Semiconductor Processing
    Materials science in semiconductor processing 93 (2019): 295–298. doi:10.1016/j.mssp.2019.01.015
    info:cnr-pdr/source/autori:Spera, M. 1,2,3; Greco, G. 1; Lo Nigro, R. 1; Bongiorno, C. 1; Giannazzo, F. 1; Zielinski, M. 4; La Via, F. 1; Roccaforte, F. 1/titolo:Ohmic contacts on n-type and p-type cubic silicon carbide (3C-SiC) grown on silicon/doi:10.1016%2Fj.mssp.2019.01.015/rivista:Materials science in semiconductor processing/anno:2019/pagina_da:295/pagina_a:298/intervallo_pagine:295–298/volume:93