يعرض 1 - 6 نتائج من 6 نتيجة بحث عن '"TETERKIN, V. V."', وقت الاستعلام: 0.50s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    ChemInform Abstract: Single Crystal Growth from Solid Solutions of (SnTe)x(Zn(S,Se))1‐x and Study on Their Electrophysical Properties

    المؤلفون: BUDENNAYA, L. D., GORBIK, P. P., DUBROVIN, I. V., DYAKIN, V. V., TETERKIN, V. V.

    المصدر: ChemInform ; volume 25, issue 30 ; ISSN 0931-7597 1522-2667

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1002/chin.199430024
    https://api.wiley.com/onlinelibrary/tdm/v1/articles/10.1002%2Fchin.199430024
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/chin.199430024

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Academic Journal
    Ultrasonic treatment-induced modification of the electrical properties of InAs p-n junctions.

    المؤلفون: Sukach, A. V.1, Teterkin, V. V.1 teterkin@isp.kiev.ua

    المصدر: Technical Physics Letters. Jun2009, Vol. 35 Issue 6, p514-517. 4p. 1 Chart, 2 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *ULTRASONICS, *SEMICONDUCTOR junctions, *ELECTRIC conductivity, *FREE electron theory of metals, *LOW temperatures


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    Academic Journal
    Mechanisms of recombination of nonequilibrium charge carriers in epitaxial CdxHg1− x Te ( x = 0.20–0.23) layers.

    المؤلفون: Ikusov, D. G., Sizov, F. F., Staryi, S. V., Teterkin, V. V.

    المصدر: Semiconductors; Feb2007, Vol. 41 Issue 2, p130-135, 6p, 1 Chart, 3 Graphs

    مصطلحات موضوعية: MERCURY cadmium tellurides, EPITAXY, MOLECULAR beam epitaxy, RECOMBINATION in semiconductors, CRYSTAL growth


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    Academic Journal
    Recombination mechanisms in doped n-type Hg[sub 1-x]Cd[sub x]Te crystals and properties of diffusion p[sup +]-n junctions based on them.

    المؤلفون: Teterkin, V. V., Stochanskiı, S. Ya., Sizov, F. F.

    المصدر: Semiconductors. Mar1997, Vol. 31 Issue 3, p290. 4p.

    مصطلحات موضوعية: *PHOTODIODES, *DOPED semiconductors


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    Periodical
    Absorption edge in Pb1−XSnXTe (x⩽0.23)

    المؤلفون: Sizov, F. F., Teterkin, V. V.

    المصدر: Journal of Applied Spectroscopy; February 1982, Vol. 36 Issue: 2 p226-229, 4p


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    Academic Journal
    Absorption edge in Pb1?XSnXTe (x?0.23)

    المؤلفون: Sizov, F. F., Teterkin, V. V.

    المصدر: Journal of Applied Spectroscopy ; volume 36, issue 2, page 226-229 ; ISSN 0021-9037 1573-8647

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1007/bf00665179
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/BF00665179.pdf
    http://link.springer.com/article/10.1007/BF00665179/fulltext.html
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/BF00665179

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء