نتائج البحث - "Semiconductor interface"

Relation: #PLACEHOLDER_PARENT_METADATA_VALUE#; info:eu-repo/grantAgreement/AEI//PID2020-113142RB-C21; Publisher's version; http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.155218; Sí; Applied Surface Science 609 (2023); http://hdl.handle.net/10261/303117

الاتاحة: http://hdl.handle.net/10261/303117
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.155218

View record in BASE

7

Academic Journal

Amorphous Carbon Monolayer: A van der Waals Interface for High-Performance Metal Oxide Semiconductor Devices.

المصدر: ACS Nano ; ISSN:1936-086X

مصطلحات موضوعية: MOS capacitors, MOS interlayer, amorphous carbon monolayer, interface trap density, semiconductor interface

Relation: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c12780; https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/39737835

الاتاحة: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c12780
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/39737835

View record in BASE

8

Academic Journal

Theory of Covalent Adsorbate Frontier Orbital Energies on Functionalized Light-Absorbing Semiconductor Surfaces

المؤلفون: Yu, Min, Doak, Peter, Tamblyn, Isaac, Neaton, Jeffrey B

المصدر: The Journal of Physical Chemistry Letters. 4(10)

مصطلحات موضوعية: Physical Sciences, Macromolecular and Materials Chemistry, Chemical Sciences, Physical Chemistry, Affordable and Clean Energy, density functional theory, energy level alignment, many-body perturbation theory, organic−semiconductor interface, surface polarization, thiophene-functionalized silicon, Chemical sciences, Physical sciences

URL الوصول: https://escholarship.org/uc/item/4jh6462r

View record in eScholarship

9

Academic Journal

WO3/BiVO4Photoanodes: Facets Matching at the Heterojunction and BiVO4Layer Thickness Effects

المؤلفون: Grigioni I., Di Liberto G., Dozzi M. V., Tosoni S., Pacchioni G., Selli E.

المساهمون: I. Grigioni, G. Di Liberto, M.V. Dozzi, S. Tosoni, G. Pacchioni, E. Selli

مصطلحات موضوعية: band alignment, BiVO, density functional theory, photoelectrochemistry, semiconductor interface, WO, Settore CHIM/02 - Chimica Fisica

Time: 4, 3

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/pmid/34485843; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000688250200104; volume:4; issue:8; firstpage:8421; lastpage:8431; numberofpages:11; journal:ACS APPLIED ENERGY MATERIALS; http://hdl.handle.net/2434/891855; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85114052779

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2434/891855
https://doi.org/10.1021/acsaem.1c01623

View record in BASE

10

Academic Journal

Density of States of a Nanoscale Semiconductor Interface as a Transduction Signal for Sensing Molecules

المؤلفون: Edgar F. Pinzón (11203513), Adriano dos Santos (4895794), Paulo R. Bueno (1460872)

Relation: https://figshare.com/articles/journal_contribution/Density_of_States_of_a_Nanoscale_Semiconductor_Interface_as_a_Transduction_Signal_for_Sensing_Molecules/15074389

الاتاحة: https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00387.s001

View record in BASE

11

Academic Journal

Heterostructured Vertical Organic Transistor for High-Performance Optoelectronic Memory and Artificial Synapse

المؤلفون: Changsong Gao (10085276), Huihuang Yang (3109314), Enlong Li (8036519), Yujie Yan (4509160), Lihua He (145436), Huipeng Chen (610874), Zhixian Lin (10490594), Tailiang Guo (2562676)

Relation: https://figshare.com/articles/journal_contribution/Heterostructured_Vertical_Organic_Transistor_for_High-Performance_Optoelectronic_Memory_and_Artificial_Synapse/16755362

الاتاحة: https://doi.org/10.1021/acsphotonics.1c01167.s001

View record in BASE

12

Academic Journal

Influence of the Metal–Semiconductor Interface Model on Power Conservation Principle in a Simulation of Bipolar Devices

المؤلفون: Janusz Wozny, Zbigniew Lisik, Jacek Podgorski

المصدر: Electronics; Volume 10; Issue 24; Pages: 3120

مصطلحات موضوعية: drift-diffusion, electrothermal, power conservation, metal–semiconductor interface, GaN, Si, SiC, bipolar

وصف الملف: application/pdf

Relation: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/electronics10243120

الاتاحة: https://doi.org/10.3390/electronics10243120

View record in BASE

13

Academic Journal

The Experimental Study of the Cerium Dioxide Silicon Interface of MIS Structures ; Експериментальне дослiдження межi роздiлу дiоксид церiю – кремнiй МДН структур ; Экспериментальное исследование границы раздела диоксид церия – кремний МДП структур

المؤلفون: Korolevych, L. M., Borisov, A. V., Voronko, A. O.

مصطلحات موضوعية: MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДН структура, дiоксид церiю, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрикнапiвпровiдник, МДП структура, диоксид церия, вольт-фарадная характеристика (ВФХ), напряжение плоских зон, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник, 621.382

وصف الملف: Pp. 69-74; application/pdf

Relation: Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 85; Korolevych, L. M. The Experimental Study of the Cerium Dioxide Silicon Interface of MIS Structures / Korolevych L. M., Borisov A. V., Voronko A. O. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2021. – Вип. 85. – С. 69-74. – Бібліогр.: 17 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56109; orcid:0000-0002-4006-280X; orcid:0000-0003-4553-3591; orcid:0000-0003-2899-963X

الاتاحة: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56109

View record in BASE

14

Academic Journal

The Experimental Study of the Cerium Dioxide - Silicon Interface of MIS Structures ; Экспериментальное исследование границы раздела диоксид церия — кремний МДП структур ; Експериментальне дослідження межі розділу діоксид церію — кремній МДН структур

المؤلفون: Korolevych, L. M., Borisov, A. V., Voronko , A. O.

المصدر: Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 85 (2021); 69-74 ; Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 85 (2021); 69-74 ; Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 85 (2021); 69-74 ; 2310-0389 ; 2310-0397 ; 10.20535/RADAP.2021.85

مصطلحات موضوعية: МДН структура, діоксид церію, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щільність заряду на межі поділу діелектрик-напівпровідник, MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДП структура, диоксид церия, вольт-фарадная характеристика (ВФХ), напряжение плоских зон, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1722/1488; http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1722

الاتاحة: http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1722
https://doi.org/10.20535/RADAP.2021.85.69-74

View record in BASE

15

Academic Journal

The effect of temperature on the forward bias electrical characteristics of both pure Ni and oxidized Ni/Au Schottky contacts on n-type GaN: A case study

المؤلفون: Ali Hajjiah, Asmaa Alkhabbaz, Hussein Badran, Ivan Gordon

المصدر: Results in Physics, Vol 19, Iss , Pp 103656- (2020)

مصطلحات موضوعية: n-type GaN, Metal–semiconductor interface, Temperature-dependent I-V characteristics, Zero-bias barrier height, Barrier height inhomogeneity, Physics, QC1-999

وصف الملف: electronic resource

Relation: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211379720320830; https://doaj.org/toc/2211-3797

URL الوصول: https://doaj.org/article/34d14631d34545fc8889e714a7efc0e5

View record in DOAJ

Full Text Finder

16

Academic Journal

Thermoelectric Transport in a ZrN/ScN Superlattice

المؤلفون: Zebarjadi, Mona, Bian, Zhixi, Singh, Rajeev, Shakouri, Ali, Wortman, Robert, Rawat, Vijay, Sands, Tim

المصدر: Journal of Electronic Materials. 38(7)

مصطلحات موضوعية: Material Science, Solid State Physics and Spectroscopy, Electronics and Microelectronics, Instrumentation, Characterization and Evaluation of Materials, Optical and Electronic Materials, Thermoelectrics, metal/semiconductor interface

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://escholarship.org/uc/item/9kq0z2t8

View record in eScholarship

17

Academic Journal

Contribution to the Physical Modelling of Single Charged Defects Causing the Random Telegraph Noise in Junctionless FinFET

المؤلفون: Atabek E. Atamuratov, Mahkam M. Khalilloev, Ahmed Yusupov, A. J. García-Loureiro, Jean Chamberlain Chedjou, Kyamakya Kyandoghere

المصدر: Applied Sciences; Volume 10; Issue 15; Pages: 5327

مصطلحات موضوعية: single defect, random telegraph noise, Junctionless FinFET, oxide layer, oxide–semiconductor interface

جغرافية الموضوع: agris

وصف الملف: application/pdf

Relation: Electrical, Electronics and Communications Engineering; https://dx.doi.org/10.3390/app10155327

الاتاحة: https://doi.org/10.3390/app10155327

View record in BASE

18

Academic Journal

Interface Modification of Dntt-Based Organic Field Effect Transistors Using Boronic Acid Derivatives

المؤلفون: Nicolas, Yohann, Alıç, Tuğbahan Yılmaz, Ablat, Abduleziz, Kyndiah, Adrica, Abbas, Mamatimin, Can, Mustafa, Kuş, Mahmut

مصطلحات موضوعية: Boronic Acid Derivatives, Dielectric/Semiconductor Interface, Organic Field Effect Transistor, Phenylboronic Acid, Monolayers

Relation: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS; Makale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı; https://hdl.handle.net/20.500.13091/90; 53; WOS:000526829200008; Q1

الاتاحة: https://hdl.handle.net/20.500.13091/90
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab52e1

View record in BASE