المؤلفون: Banerjee, Debashree, Nadar, Maharaja B., Upadhyay, Pankaj, Singla, Raksha, Sankaranarayanan, Sandeep, Khachariya, Dolar, Pande, Nakul, Takhar, Kuldeep, Ganguly, Swaroop, Saha, Dipankar

مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, Condensed Matter - Materials Science

URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1503.02279

المؤلفون: Wang, Yun-Yu, Sankaranarayanan, Sandeep, Kaushik, Naveen, Wang, Zhouguang, Smith, Mike, Jin, Qiang, Rossi, Tommaso

المصدر: Microscopy Today ; volume 32, issue 3, page 16-21 ; ISSN 1551-9295 2150-3583

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1093/mictod/qaae027
https://academic.oup.com/mt/article-pdf/32/3/16/58142281/qaae027.pdf

المؤلفون: Sankaranarayanan, Sandeep, Chouksey, Shonal, Saha, Pratim, Pendem, Vikas, Udai, Ankit, Aggarwal, Tarni, Ganguly, Swaroop, Saha, Dipankar

المصدر: Scientific Reports ; volume 8, issue 1 ; ISSN 2045-2322

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-26725-6
https://www.nature.com/articles/s41598-018-26725-6.pdf
https://www.nature.com/articles/s41598-018-26725-6

المؤلفون: Aggarwal, Tarni, Udai, Ankit, Banerjee, Debashree, Pendem, Vikas, Chouksey, Shonal, Saha, Pratim, Sankaranarayanan, Sandeep, Ganguly, Swaroop, Bhattacharya, Pallab, Saha, Dipankar

مصطلحات موضوعية: InGaN/GaN nanostructures, transient absorption spectroscopy, pump–probe spectroscopy, carrier dynamics, Physics, Science

وصف الملف: application/pdf

Relation: Aggarwal, Tarni; Udai, Ankit; Banerjee, Debashree; Pendem, Vikas; Chouksey, Shonal; Saha, Pratim; Sankaranarayanan, Sandeep; Ganguly, Swaroop; Bhattacharya, Pallab; Saha, Dipankar (2021). "Investigation of Ultrafast Carrier Dynamics in InGaN/GaN‐Based Nanostructures Using Femtosecond Pump–Probe Absorption Spectroscopy." physica status solidi (b) 258(10): n/a-n/a.; https://hdl.handle.net/2027.42/170834; physica status solidi (b); D. Nag, T. Aggarwal, R. Sarkar, S. Bhunia, S. Ganguly, D. Saha, A. Laha, J. Opt. Soc. Am. B 2019, 36, 616.; G. M. Christian, S. Schulz, M. J. Kappers, C. J. Humphreys, R. A. Oliver, P. Dawson, Phys. Rev. B 2018, 98, 155301.; S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 1983, 42, 427.; H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353.; S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike, K. Manabe, T. Tanaka, H. Amano, I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 1112.; S. Nakamura, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, L1457.; S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 2390.; S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol., A 1995, 13, 705.; S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687.; R. Sarkar, K. Ghosh, S. Bhunia, D. Nag, K. R. Khiangte, A. Laha, Nanotechnology 2019, 30, 065603.; R. P. Prasankumar, P. C. Upadhya, A. J. Taylor, Phys. Status Solidi B 2009, 246, 1973.; V. Pendem, P. K. Saha, S. Chouksey, S. Ganguly, D. Saha, J. Lumin. 2021, 229, 117703.; V. Pendem, A. Udai, T. Aggarwal, S. Ganguly, D. Saha, Nanotechnology 2019, 30, 274002.; R. A. Arif, H. Zhao, Y. K. Ee, N. Tansu, IEEE J. Quantum Electron. 2008, 44, 573.; E. M. Grumstrup, M. M. Gabriel, E. E. M. Cating, E. M. Van Goethem, J. M. Papanikolas, Chem. Phys. 2015, 458, 30.; J. Cabanillas-Gonzalez, G. Grancini, G. Lanzani, Adv. Mater. 2011, 23, 5468.; Y. J. Yan, L. E. Fried, S. Mukamel, J. Phys. Chem. 1989, 93, 8149.; V. I. Klimov, J. Phys. Chem. B 2000, 104, 6112.; A. H. Zewail, Angew. Chem., Int. Ed. 2000, 39, 2586.; A. H. Zewail, J. Phys. Chem. A 2000, 104, 5660.; S. Chouksey, S. Sankaranarayanan, V. Pendem, P. K. Saha, S. Ganguly, D. Saha, Nano Lett. 2017, 17, 4596.; S. Chouksey, S. Sreenadh, S. Ganguly, D. Saha, Nanotechnology 2019, 30, 194003.; P. K. Saha, T. Aggarwal, A. Udai, V. Pendem, S. Ganguly, D. Saha, ACS Photonics 2020, 7, 2555.; M. Zhang, A. Banerjee, C.-S. Lee, J. M. Hinckley, P. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 221104.; D. Nag, R. Sarkar, S. Bhunia, T. Aggarwal, K. Ghosh, S. Sinha, S. Ganguly, D. Saha, R.-H. Horng, A. Laha, Nanotechnology 2020, 31, 495705.; A. Banerjee, T. Frost, S. Jahangir, P. Bhattacharya, IEEE J. Quantum Electron. 2014, 50, 228.; D. Nag, T. Aggarwal, S. Sinha, R. Sarkar, S. Bhunia, Y.-F. Chen, S. Ganguly, D. Saha, R.-H. Horng, A. Laha, ACS Photonics 2021, 8, 926.; H. Yu, Z. Zheng, Y. Mei, R. Xu, J. Liu, H. Yang, B. Zhang, T. Lu, H. Kuo, Prog. Quantum Electron. 2018, 57, 1.; S. Watson, S. Viola, G. Giuliano, S. P. Najda, P. Perlin, T. Suski, L. Marona, M. Leszczyński, P. Wisniewski, R. Czernecki, G. Targowski, M. A. Watson, H. White, D. Rowe, L. Laycock, A. E. Kelly, in Advanced Free-Space Optical Communication Techniques and Applications II (Eds.: L. Laycock, H.J. White ), Proc. SPIE Vol. 9991, SPIE, Bellingham, WA 2016, p. 99910A.; W. Chen, X. Wen, M. Latzel, M. Heilmann, J. Yang, X. Dai, S. Huang, S. Shrestha, R. Patterson, S. Christiansen, G. Conibeer, ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 31887.; C. K. Sun, F. Vallée, S. Keller, J. E. Bowers, S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 2004.; S. C. Kan, D. Vassilovski, T. C. Wu, K. Y. Lau, Appl. Phys. Lett. 1992, 61, 752.; P. W. M. Blom, C. Smit, J. E. M. Haverkort, J. H. Wolter, Phys. Rev. B 1993, 47, 2072.; R. Nagarajan, T. Fukushima, S. W. Corzine, J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 1835.; H. Yu, Z. Zheng, Y. Mei, R. Xu, J. Liu, H. Yang, B. Zhang, T. Lu, H. Kuo, Progress in Quantum 1993, 29, 1648.; S. C. Kan, D. Vassilovski, T. C. Wu, K. Y. Lau, IEEE Photon. Technol. Lett. 1992, 4, 428.; D. Saha, D. Basu, P. Bhattacharya, Phys. Rev. B 2010, 82, 205309.; D. Banerjee, R. Adari, M. Murthy, P. Suggisetti, S. Ganguly, D. Saha, J. Appl. Phys. 2011, 109, 07C317.; A. Othonos, J. Appl. Phys. 1998, 83, 1789.; J. Shah, Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures, Springer, Heidelberg 1999.; J. D. Servaites, M. A. Ratner, T. J. Marks, Energy Environ. Sci. 2011, 4, 4410.; R. Berera, R. van Grondelle, J. T. M. Kennis, Photosynth. Res. 2009, 101, 105.; V. Pendem, P. Saha, T. Aggarwal, S. Chouksey, A. Udai, S. Ganguly, D. Saha, in OSA Advanced Photonics Congress (AP) 2019 (IPR, Networks, NOMA, SPPCom, PVLED), OSA, Washington, D.C. 2019, p. PW3C.4.; S. Chouksey, P. K. Saha, V. Pendem, T. Aggarwal, A. Udai, S. Ganguly, D. Saha, Appl. Surf. Sci. 2020, 518, 146225.; J. P. Leburton, J. Appl. Phys. 1984, 56, 2850.; K. Park, A. Mohamed, M. Dutta, M. A. Stroscio, C. Bayram, Sci. Rep. 2018, 8, 15947.; I. Magnusdottir, A. V. Uskov, S. Bischoff, B. Tromborg, J. Mørk, J. Appl. Phys. 2002, 92, 5982.; A. S. Baltenkov, A. Z. Msezane, Eur. Phys. J. D 2016, 70, 81.; M. Asada, Y. Miyamoto, Y. Suematsu, IEEE J. Quantum Electron. 1986, 22, 1915.; J. H. Zheng, H. S. Tan, S. C. Ng, J. Phys.: Condens. Matter 1994, 6, 1695.; A. David, C. A. Hurni, N. G. Young, M. D. Craven, Appl. Phys. Lett. 2017, 111, 233501.; S. Grosse, J. H. H. Sandmann, G. von Plessen, J. Feldmann, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, J. Ahopelto, Phys. Rev. B 1997, 55, 4473.; P. D. Buckle, P. Dawson, S. A. Hall, X. Chen, M. J. Steer, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, J. Appl. Phys. 1999, 86, 2555.; T. Aggarwal, S. Ganguly, D. Saha, J. Phys. Chem. C 2021, 125, 3535.; P. K. Saha, V. Pendem, S. Chouksey, A. Udai, T. Aggarwal, S. Ganguly, D. Saha, Nanotechnology 2019, 30, 104001.; D. J. Colin Wood, Polarization Effects in Semiconductors, Springer US, Boston, MA 2008.; L. H. Peng, C. W. Chuang, L. H. Lou, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 795.; H. P. Maruska, D. A. Stevenson, J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 1973, 22, 303.; P. Upadhyay, D. Saha, Phys. Status Solidi A 2018, 215, 1800174.; R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, M. Ilegems, Phys. Rev. B 1971, 4, 1211.; J. I. Pankove, J. Lumin. 1973, 7, 114.; M. Sano, M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 1976, 15, 1943.; R. N. Hall, G. E. Fenner, J. D. Kingsley, T. J. Soltys, R. O. Carlson, Phys. Rev. Lett. 1962, 9, 366.; J. I. Pankove, Phys. Rev. Lett. 1962, 9, 283.; M. I. Nathan, W. P. Dumke, G. Burns, F. H. Dill, G. Lasher, Appl. Phys. Lett. 1962, 1, 62.; H. P. Maruska, J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 1969, 15, 327.; B. Monemar, Phys. Rev. B 1974, 10, 676.; Y.-K. Song, M. Kuball, A. V. Nurmikko, G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, M. Leonard, H. S. Kong, H. Dieringer, J. Edmond, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1418.; H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, T. Jang, J. K. Son, H. S. Paek, Y. J. Sung, H. K. Kim, K. S. Kim, O. H. Nam, Y. J. Park, J. I. Shim, IEEE Photon. Technol. Lett. 2007, 19, 1717.; A. Aiello, Y. Wu, A. Pandey, P. Wang, W. Lee, D. Bayerl, N. Sanders, Z. Deng, J. Gim, K. Sun, R. Hovden, E. Kioupakis, Z. Mi, P. Bhattacharya, Nano Lett. 2019, 19, 7852.; A. Banerjee, F. Dogan, J. Heo, A. Manchon, W. Guo, P. Bhattacharya, Nano Lett. 2011, 11, 5396.; J. Heo, S. Jahangir, B. Xiao, P. Bhattacharya, Nano Lett. 2013, 13, 2376.; T. Frost, S. Jahangir, E. Stark, S. Deshpande, A. Hazari, C. Zhao, B. S. Ooi, P. Bhattacharya, Nano Lett. 2014, 14, 4535.; W. Guo, M. Zhang, A. Banerjee, P. Bhattacharya, Nano Lett. 2010, 10, 3356.; T. Aggarwal, V. Pendem, A. Udai, P. K. Saha, S. Chouksey, S. Ganguly, D. Saha, Jpn. J. Appl. Phys. 2019, 58, SCCC15.; M. A. Johar, H.-G. Song, A. Waseem, J.-H. Kang, J.-S. Ha, Y.-H. Cho, S.-W. Ryu, Nanoscale 2019, 11, 10932.; J. Piprek, F. Römer, B. Witzigmann, Appl. Phys. Lett. 2015, 106, 101101.; P. Bhattacharya, D. Basu, A. Das, D. Saha, Semicond. Sci. Technol. 2011, 26, 014002.; D. Banerjee, S. Sankaranarayanan, D. Khachariya, M. B. Nadar, S. Ganguly, D. Saha, Appl. Phys. Lett. 2016, 109, 031111.; M. Zhang, P. Bhattacharya, W. Guo, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 011103.; S. Jahangir, T. Schimpke, M. Strassburg, K. A. Grossklaus, J. M. Millunchick, P. Bhattacharya, IEEE J. Quantum Electron. 2014, 50, 530.; C. Zhao, T. K. Ng, A. Prabaswara, M. Conroy, S. Jahangir, T. Frost, J. O’Connell, J. D. Holmes, P. J. Parbrook, P. Bhattacharya, B. S. Ooi, Nanoscale 2015, 7, 16658.; D. Banerjee, K. Takhar, S. Sankaranarayanan, P. Upadhyay, R. Ruia, S. Chouksey, D. Khachariya, S. Ganguly, D. Saha, Appl. Phys. Lett. 2015, 107, 101108.; T. Frost, A. Hazari, A. Aiello, M. Z. Baten, L. Yan, J. Mirecki-Millunchick, P. Bhattacharya, Jpn. J. Appl. Phys. 2016, 55, 032101.

الاتاحة: https://hdl.handle.net/2027.42/170834
https://doi.org/10.1002/pssb.202100223

المؤلفون: Sankaranarayanan, Sandeep, Saha, Dipankar

المساهمون: Indian Space Research Organization, DST

المصدر: Superlattices and Microstructures ; volume 98, page 174-180 ; ISSN 0749-6036

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2016.08.017
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0749603616306826?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0749603616306826?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Sankaranarayanan, Sandeep, Ganguly, Swaroop, Saha, Dipankar

المصدر: Applied Physics Express ; volume 7, issue 9, page 095201 ; ISSN 1882-0778 1882-0786

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.7567/apex.7.095201
http://stacks.iop.org/1882-0786/7/i=9/a=095201/pdf
http://stacks.iop.org/1882-0786/7/i=9/a=095201?key=crossref.3ceeb9a769365e52e1f52950f9cb49fc