يعرض 1 - 2 نتائج من 2 نتيجة بحث عن '"Rho, Tae-Beom"', وقت الاستعلام: 0.31s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    Impact of Output Conductance on Current-Gain Cut-Off Frequency in In x Ga 1-x As/In 0.52 Al 0.48 As Quantum-Well High-Electron-Mobility Transistors on InP Substrate.

    المؤلفون: Kim, Hyo-Jin, Lee, In-Geun, Jo, Hyeon-Bhin, Rho, Tae-Beom, Tsutsumi, Takuya, Sugiyama, Hiroki, Matsuzaki, Hideaki, Lee, Jae-Hak, Kim, Tae-Woo, Kim, Dae-Hyun

    المصدر: Electronics (2079-9292); Jan2023, Vol. 12 Issue 2, p259, 9p

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM wells, MODULATION-doped field-effect transistors, INDIUM gallium nitride

    Full Text Finder

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Academic Journal
    A unified method to extract the effective mobility in InGaAs metal-insulator-semiconductor field-effect-transistors using scattering-parameters

    المؤلفون: Rho, Tae-Beom, Jo, Hyeon-Bhin, Kim, Tae-Woo, Kim, Dae-Hyun

    المساهمون: National Research Foundation of Korea, Ministry of Education

    المصدر: Solid-State Electronics ; volume 162, page 107644 ; ISSN 0038-1101

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2019.107644
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S003811011930468X?httpAccept=text/xml
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S003811011930468X?httpAccept=text/plain

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء