المؤلفون: Renault, O., Pascon, A. M., Rotella, H., Kaja, K., Mathieu, C., Rault, J. E., Blaise, P., Poiroux, T., Barrett, N., Fonseca, L. R. C.

المصدر: Journal of Physics D: Applied Physics 47, 295303 (2014)

مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Materials Science

URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1806.04908

المؤلفون: Aouad, M., Martinie, S., Triozon, F., Poiroux, T., Vinet, M., Ghibaudo, G.

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), European Project: 871764,SEQUENCE

المصدر: EUROSOI-ULIS 2020 - Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon ; https://hal.science/hal-04821261 ; EUROSOI-ULIS 2020 - Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, Sep 2020, Caen, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365297⟩ ; https://ieeexplore.ieee.org/document/9365297

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: Caen, France

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//871764/EU/Cryogenic 3D Nanoelectronics -Des approches non conventionnelles pour développer l’électronique cryogénique - DOI 10.3030/871764/SEQUENCE

الاتاحة: https://hal.science/hal-04821261
https://doi.org/10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365297

المؤلفون: Ghibaudo, G., Aouad, M., Casse, M., Poiroux, T., Theodorou, Christoforos

المساهمون: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP), Université Grenoble Alpes (UGA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)

المصدر: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-03260956 ; Solid-State Electronics, 2021, 176, pp.107949. ⟨10.1016/j.sse.2020.107949⟩.

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, [PHYS.PHYS.PHYS-DATA-AN]Physics [physics]/Physics [physics]/Data Analysis, Statistics and Probability [physics.data-an]

الاتاحة: https://hal.science/hal-03260956
https://hal.science/hal-03260956v1/document
https://hal.science/hal-03260956v1/file/Ghibaudo-SSE-Diffusion-final.pdf
https://doi.org/10.1016/j.sse.2020.107949

المؤلفون: Wakam, F. Tcheme, Lacord, J., Bawedin, M., Martinie, S., Cristoloveanu, S., Poiroux, T.

المساهمون: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP), Université Grenoble Alpes (UGA), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-10-LABX-0055,MINOS Lab,Minatec Novel Devices Scaling Laboratory(2010), European Project: 687931,H2020,H2020-ICT-2015,REMINDER(2016)

المصدر: 2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
https://cea.hal.science/cea-04777932
2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2019, Grenoble, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041917⟩

مصطلحات موضوعية: A2RAM, DRAM, SOI, memory, TCAD simulation, SPICE, Model, [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics

جغرافية الموضوع: Grenoble, France

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//687931/EU/Revolutionary embedded memory for internet of things devices and energy reduction/REMINDER

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-04777932
https://doi.org/10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041917

المؤلفون: Wakam, F. Tcheme, Lacord, J., Bawedin, M., Martinie, S., Cristoloveanu, S., Poiroux, T.

المساهمون: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-10-LABX-0055,MINOS Lab,Minatec Novel Devices Scaling Laboratory(2010), European Project: 687931,H2020,H2020-ICT-2015,REMINDER(2016)

المصدر: 2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
https://cea.hal.science/cea-04777855
2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2019, Grenoble, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041878⟩

مصطلحات موضوعية: IT-DRAM, A2RAM, Boron monolayer, TCAD, [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics

جغرافية الموضوع: Grenoble, France

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//687931/EU/Revolutionary embedded memory for internet of things devices and energy reduction/REMINDER

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-04777855
https://doi.org/10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041878

المؤلفون: Ghibaudo, G., Aouad, M., Casse, M., Martinie, S., Poiroux, T., Balestra, F.

المساهمون: European Commission

المصدر: Solid-State Electronics ; volume 170, page 107820 ; ISSN 0038-1101

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2020.107820
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110120300812?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110120300812?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Pradeep, Krishna, Karatsori, T., Poiroux, T., Juge, A., Scheer, P., Gouget, G., Josse, E., Ghibaudo, Gérard

المساهمون: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), European Project: 662175,H2020,ECSEL-2014-2,WAYTOGO FAST(2015)

المصدر: 2018 ESSDERC Proceedings
2018 ESSDERC - 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
https://hal.science/hal-02065295
2018 ESSDERC - 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2018, Dresden, Germany. pp.242-245, ⟨10.1109/ESSDERC.2018.8486847⟩

مصطلحات موضوعية: WKB approximation, global variability, MOSFET, compact model, direct tunneling, gate leakage current, FD-SOI, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: Dresden, Germany

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//662175/EU/Which Architecture Yields Two Other Generations Of Fully depleted Advanced Substrate and Technologies/WAYTOGO FAST

الاتاحة: https://hal.science/hal-02065295
https://doi.org/10.1109/ESSDERC.2018.8486847

المؤلفون: Rozeau, O., Martinie, S., Poiroux, T., Triozon, F., Barraud, S., Lacord, J., Niquet, Y., M., Tabone, C., Coquand, R., Augendre, E., Vinet, M., Faynot, O., Barbé, J.-Ch

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Partially funded by the French Public Authorities through the NANO 2017, European Project: 688101,H2020,H2020-ICT-2015,SUPERAID7(2016)

المصدر: 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
https://cea.hal.science/cea-01973390
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2016, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM.2016.7838369⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: San Francisco, United States

Relation: info:eu-repo/grantAgreement//688101/EU/Stability Under Process Variability for Advanced Interconnects and Devices Beyond 7 nm node/SUPERAID7

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-01973390
https://cea.hal.science/cea-01973390v1/document
https://cea.hal.science/cea-01973390v1/file/3-Rozeau-IEDM2016.pdf
https://doi.org/10.1109/IEDM.2016.7838369

المؤلفون: Jaud, M. -A., Vandendaele, W., Rrustemi, B., Viey, A. G., Martin, S., Le Royer, C., Vauche, L., Martinie, S., Gwoziecki, R., Modica, R., Iucolano, F., Poiroux, T.

المساهمون: French National Program “Program d’Investissements d’Avenir IRTNanoelec”

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 69, issue 2, page 669-674 ; ISSN 0018-9383 1557-9646

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/ted.2021.3136150
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/9690079/09663336.pdf?arnumber=9663336

المؤلفون: Villalon, A., Le Royer, C., Cooper, D., Cristoloveanu, S., Casse, M., Hartmann, J.-M., Allain, F., Tabone, C., Poiroux, T.

المساهمون: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée (DAPNIA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire Interuniversitaire des Systèmes Atmosphériques (LISA (UMR_7583)), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ISEP, labex MINOS: Laboratoire de Minatec sur la miniaturisation des dispositifs innovants de la nanoélectronique, European Project

المصدر: 9th Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits
EuroSOI 2013
https://hal.science/hal-01073033
EuroSOI 2013, Jan 2013, Paris, France. pp.8.1

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: Paris, France

الاتاحة: https://hal.science/hal-01073033

المؤلفون: Theodorou, C., Ioannidis, E., Haendler, S., Planes, N., Arnaud, F., Andrieu, F., Poiroux, T., Faynot, O., Jomaah, J., Dimitriadis, C., Ghibaudo, G.

المساهمون: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Aristotle University of Thessaloniki, STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), HERACLEITUS IIco-financed by the European Union (European Social Fund – ESF) and Greeknational funds through the Operational Program ‘‘Education andLifelong Learning’’ of the National Strategic Reference Framework(NSRF), European Project: CT208,Catrene -

المصدر: 2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble (ISCDG) - formerly known as the Semiconductor Conference Dresden (SCD)
https://hal.science/hal-02001882
2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble (ISCDG) - formerly known as the Semiconductor Conference Dresden (SCD), Sep 2012, Grenoble, France. pp.223-226, ⟨10.1109/ISCDG.2012.6360011⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics

جغرافية الموضوع: Grenoble, France

Relation: info:eu-repo/grantAgreement// CT208/EU/Research on optimal architecture and integration of 22/20 nm node core digital CMOS technology – electrical proof of concept [REACHING 22]/Catrene -

الاتاحة: https://hal.science/hal-02001882
https://doi.org/10.1109/ISCDG.2012.6360011

المؤلفون: Widiez, J., Vinet, M., Poiroux, T., Holliger, P., Previtali, B., Grosgeorges, P., Deleonibus, S., Mouis, M.

المصدر: 2005 IEEE International SOI Conference Proceedings ; page 30-31

الاتاحة: https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563523
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/10455/33183/01563523.pdf?arnumber=1563523

المؤلفون: Kilchytska, Valeriya, Md Arshad, M. K., Makovejev, S., Olsen, S., Andrieu, F., Poiroux, T., Faynot, O., Raskin, Jean-Pierre, Flandre, Denis

المساهمون: UCL - SST/ICTM/ELEN - Pôle en ingénierie électrique

المصدر: Solid-State Electronics, Vol. 70, p. 50-58 (2012)

Relation: boreal:239285; http://hdl.handle.net/2078.1/239285; urn:ISSN:0038-1101; urn:EISSN:1879-2405

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2078.1/239285

المؤلفون: Casse, M., Paz, B. Cardoso, Ghibaudo, G., Poiroux, T., Barraud, S., Vinet, M., de Franceschi, S., Meunier, Tristan, Gaillard, F.

المساهمون: Laboratoire d'électronique et des technologies de l'Information Sfax (LETI), École Nationale d'Ingénieurs de Sfax, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP), Université Grenoble Alpes (UGA), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Circuits électroniques quantiques Alpes (NEEL - QuantECA), Institut Néel (NEEL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP), Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)

المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-02991460 ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (11), pp.4636-4640. ⟨10.1109/TED.2020.3022607⟩.

مصطلحات موضوعية: Fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI), intersubband scattering, transistor, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

الاتاحة: https://hal.science/hal-02991460
https://doi.org/10.1109/TED.2020.3022607

المؤلفون: Faynot, O., Poiroux, T., Pelloie, J.L.

المصدر: Solid-State Electronics ; volume 45, issue 4, page 599-605 ; ISSN 0038-1101

الاتاحة: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00083-1
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110101000831?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110101000831?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Berthelon, R., Andrieu, F., Ortolland, S., Nicolas, R., Poiroux, T., Baylac, E., Dutartre, D., Josse, E., Claverie, A., Haond, M.

المصدر: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) ; page 88-91

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/ulis.2016.7440059
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7435614/7440031/7440059.pdf?arnumber=7440059

المؤلفون: Berthelon, Rémy, Andrieu, F., Josse, E., Bingert, R., Weber, O., Serret, E., Aurand, A., Delmedico, S., Farys, V., Bernicot, C., Bechet, E., Bernard, E., Poiroux, T., Rideau, D., Scheer, P., Baylac, E., Perreau, P., Jaud, M.A., Lacord, J., Petitprez, E., Pofelski, A., Ortolland, S., Sardin, P., Dutartre, D., Claverie, Alain, Vinet, M., Marin, J.C., Haond, M.

المساهمون: STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on ; https://hal.science/hal-01719493 ; VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on, 2016, Unknown, Unknown Region. ⟨10.1109/VLSIT.2016.7573425⟩

مصطلحات موضوعية: CMOS integrated circuits, Integrated circuit design, Integrated circuit layout, Integrated circuit testing, VLSI circuits, CMOS technology, Co-optimization, Delay improvements, Fully depleted silicon-on-insulator, Longitudinal stress, Nanobeam diffraction, Ring oscillator, Stress management, Silicon on insulator technology, [PHYS]Physics [physics]

جغرافية الموضوع: Unknown, Unknown Region

Relation: hal-01719493; https://hal.science/hal-01719493

الاتاحة: https://hal.science/hal-01719493
https://doi.org/10.1109/VLSIT.2016.7573425

المؤلفون: Berthelon, Rémy, Andrieu, F., Ortolland, S., Nicolas, R., Poiroux, T., Baylac, E., Dutartre, D., Josse, E., Claverie, Alain, Haond, M.

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), STMicroelectronics, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-02061859 ; Solid-State Electronics, 2017, 128, pp.72-79. ⟨10.1016/j.sse.2016.10.011⟩.

مصطلحات موضوعية: [PHYS]Physics [physics]

Relation: hal-02061859; https://hal.science/hal-02061859

الاتاحة: https://hal.science/hal-02061859
https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.011

المؤلفون: Borrel, J., Hutin, L., Rozeau, O., Batude, P., Poiroux, T., Nemouchi, F., Vinet, M.

المصدر: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology) ; volume 113, page T116-T117

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223710
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7198535/7223619/07223710.pdf?arnumber=7223710

المؤلفون: Martinie, S., Rozeau, O., Le Royer, C., Lacord, J., Jaud, M-A., Poiroux, T., Le Carval, G., Barbe, J-C.

المصدر: 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) ; page 313-316

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/sispad.2015.7292322
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7274904/7292241/07292322.pdf?arnumber=7292322