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المؤلفون: Sébastien Duguay, Vincent Lu, Edwin Arevalo, F. Hilario, P.L. Julliard, Fabien Deprat, J. Borrel, P. Dumas, Wei Zou, W. Zhao, Didier Blavette
المساهمون: STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Applied Materials Gloucester, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)
المصدر: Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2021, 129 (19), pp.195706. ⟨10.1063/5.0049782⟩
Journal of Applied Physics, 2021, 129 (19), pp.195706. ⟨10.1063/5.0049782⟩مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], Materials science, Silicon, Diffusion barrier, Phosphorus, Analytical chemistry, General Physics and Astronomy, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Atom probe, Trapping, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, law.invention, chemistry, law, Phase (matter), 0103 physical sciences, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 0210 nano-technology, Carbon, Stoichiometry, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
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المؤلفون: L. Martin Samos, Nicolas Richard, P.L. Julliard, Denis Rideau, Anne Hémeryck, A. LeRoch, Vincent Goiffon, Filadelfo Cristiano, Antoine Jay, S. de Gironcoli
المساهمون: Commissariat à l'Energie Atomique et aux énergies alternatives - CEA (FRANCE), Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS (FRANCE), Institut National Polytechnique de Toulouse - Toulouse INP (FRANCE), Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse - INSA (FRANCE), Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace - ISAE-SUPAERO (FRANCE), STMicroelectronics (FRANCE), Université Toulouse III - Paul Sabatier - UT3 (FRANCE), Université Toulouse - Jean Jaurès - UT2J (FRANCE), Université Toulouse 1 Capitole - UT1 (FRANCE), CNR Istituto Officina dei Materiali - IOM (Rome, Italy), Équipe Modélisation Multi-niveaux des Matériaux (LAAS-M3), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace (ISAE-SUPAERO), CEA DAM ILE-DE-FRANCE - Bruyères-le-Châtel [Arpajon] (CEA DAM IDF), CNR Istituto Officina dei Materiali (IOM), Consiglio Nazionale delle Ricerche [Roma] (CNR), Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati / International School for Advanced Studies (SISSA / ISAS), European Project: 871813,H2020-EU.2.1.1. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT) ,MUNDFAB (2020), Centre d'Études de Limeil-Valenton (CEA-DAM), Direction des Applications Militaires (DAM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), National Research Council of Italy | Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR)
المصدر: 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2021, Dallas, United States. pp.128-132, ⟨10.1109/SISPAD54002.2021.9592553⟩
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2021, Dallas, United States. ⟨10.1109/SISPAD54002.2021.9592553⟩
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2021, Dallas, United States. pp.128-132, ⟨10.1109/SISPAD54002.2021.9592553⟩مصطلحات موضوعية: Band gap, Radiation effects, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Signal, Settore FIS/03 - Fisica della Materia, Atomic measurements, Metastability, 0103 physical sciences, cross sections, Cluster (physics), Traitement du signal et de l'image, Electronics, defects, 010302 applied physics, Physics, [PHYS]Physics [physics], Modulation, Semiconductor device measurement, business.industry, defects electronic states, Time measurement, 021001 nanoscience & nanotechnology, Discrete Fourier transforms, Computational physics, Semiconductor, Dark current, random telegraph signal, (SISPAD)(SISPAD)Dark current, 0210 nano-technology, business, electronic states, Switches
وصف الملف: application/pdf
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المؤلفون: Filadelfo Cristiano, F. Hilario, Frederic Monsieur, P.L. Julliard, P. Dumas, Anne Hémeryck, Denis Rideau
المساهمون: Équipe Modélisation Multi-niveaux des Matériaux (LAAS-M3), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)
المصدر: 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2020, Kobe, Japan. pp.43-46, ⟨10.23919/SISPAD49475.2020.9241608⟩مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Work (thermodynamics), Materials science, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Layer thickness, Amorphous solid, 0103 physical sciences, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Wafer, Kinetic Monte Carlo, Composite material, 0210 nano-technology, Layer (electronics)