يعرض 1 - 13 نتائج من 13 نتيجة بحث عن '"N. A. Tulina"', وقت الاستعلام: 0.48s تنقيح النتائج
  1. 1
  2. 2
  3. 3
    Academic Journal

    المساهمون: This work was supported by the RFBR grants No. 19-29-03011mk and No. 19-29-03021mk., Работа поддержана грантами РФФИ № 19-29-03011мк и № 19-29-03021мк.

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 22, № 4 (2019); 246-252 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 22, № 4 (2019); 246-252 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2019-4

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/345/307; Strukov D. B., Snider G. S., Stewart D. R., Williams R. S. The missing memristor found // Nature. 2008. V. 453. P. 80—83. DOI:10.1038/nature06932; Ventra M. D., Pershin Yu. V., Chua L. O. Circuit elements with memory: memristors, memcapacitors, and meminductors // Proc. IEEE. 2009. V. 97, Iss. 10. P. 1717—1724. DOI:10.1109/JPROC.2009.2021077; Jeong D. S., Thomas R., Katiyar R. S., Scott J. F., Kohlstedt H., Petraru A., Hwang Ch. S. Emerging memories: resistive switching mechanisms and current status // Rep. Prog. Phys. 2012. V. 75, N 7. Art. No. 076502. DOI:10.1088/0034-4885/75/7/076502; Yang J. J., Strukov D. B., Stewart D. R. Memristive devices for computing // Nature Nanotech. 2013. V. 8. P. 13—24. DOI:10.1038/nnano.2012.240; Петров А., Алексеева Л., Иванов А., Лучинин В., Романов А., Чикев T., Набатамэ Т. На пути к нейроморфной мемристорной компьютерной платформе // Наноиндустрия. 2016. Вып. 1. С. 94—109. DOI:10.22184/1993-8578.2016.63.1.94.109; Pershin Yu. V., Ventra M. D. Memory effects in complex materials and nanoscale systems // Adv. Phys. 2011. V. 60. P. 145—227. DOI:10.1080/00018732.2010.544961; Tulina N. A., Sirotkin V. V. Electron instability in doped-manganites-based heterojunctions // Physica C: Superconductivity. 2004. V. 400, Iss. 3–4. P. 105—110. DOI:10.1016/j.physc.2003.07.002; Tulina N. A., Borisenko I. Yu., Sirotkin V. V. Reproducible resistive switching effect for memory applications in heterocontacts based on strongly correlated electron systems // Phys. Lett. A. 2008. V. 372, Iss. 44. P. 6681—6686. DOI:10.1016/j.physleta.2008.09.015; Tulina N. A., Borisenko I. Yu., Sirotkin V. V. Bipolar resistive switchings in Bi2Sr2CaCu2O8+δ // Solid State Communications. 2013. V. 170. P. 48—52. DOI:10.1016/j.ssc.2013.07.023; Tulina N. А., Rossolenko А. N., Shmytko I. М., Кolesnikov N. N., Borisenko D. N., Bozhko S. I., Ionov А. М. Rectification and resistive switching in mesoscopic heterostructures based on Bi2Se3 // Materials Letters. 2015. V. 158. P. 403—405. DOI:10.1016/j.matlet.2015.06.060; Tulina N. A., Rossolenko A. N., Ivanov А. А., Sirotkin V. V., Shmytko I. M., Borisenko I. Yu., Ionov А. М. Nd2-xCexCuO4-y/Nd2-xCexOy boundary and resistive switchings in mesoscopic structures on base of epitaxial Nd1.86Ce0.14CuO4-у films // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2016. V. 527. P. 41—45. DOI:10.1016/j.physc.2016.05.015; Сироткин В. В., Тулина Н. А., Россоленко А. Н., Борисенко И. Ю. Исследование методом численного моделирования влияния анизотропии на резистивные переключения в гетероструктурах на основе оксидных соединений // Известия РАН, сер. Физическая. 2016. Т. 80, № 5. С. 551—553. DOI:10.7868/S0367676516050197; Тулина Н. А., Россоленко А. Н., Шмытько И. М., Колесников Н. Н., Борисенко Д. Н., Сироткин В. В., Борисенко И. Ю. Частотные свойства гетероструктур на основе селенида висмута в эффектах резистивных переключений. Эксперимент, численное моделирование // Известия РАН, сер. Физическая. 2016. Т. 80, № 6. С. 741—743. DOI:10.7868/S0367676516060387; Tulina N. A. Memristor properties of high temperature superconductors. URL: https://arxiv.org/abs/1801.09428; Tulina N. A., Rossolenko A. N., Shmytko I. M., Ivanov А. А., Sirotkin V. V., Borisenko I. Yu., Tulin V. A. Properties of percolation channels in planar memristive structures based on epitaxial films of a YBa2Cu3O7-δ high temperature superconductor // Supercond. Sci. Technol. 2018. V. 32, N 1. Art. No. 015003. DOI:10.1088/1361-6668/aae966; Тулина Н. А., Россоленко А. Н., Шмытько И. М., Колесников Н. Н., Борисенко Д. Н., Сироткин В. В., Борисенко И. Ю., Тулин В. А. Исследование динамических эффектов в мемристорных структурах на основе селенида висмута. Нужен ли мемристору «хвост шаттла» // Известия РАН, сер. Физическая. 2019. Т. 83, № 6. С. 813—817. DOI:10.1134/S0367676519060358; Тулина Н. А., Россоленко А. Н., Шмытько И. М., Иванов А. А., Ионов А. М., Божко С. И., Сироткин В. В., Борисенко И. Ю., Тулин В. А. Функциональные свойства анизотропных перовскитных соединений в мемристорных структурах для применения в электронике // Наноиндустрия. 2019. N S. С. 237—240. DOI:10.22184/NanoRus.2019.12.89.237.240; URL: http://www.nanoindustry.su/files/article_pdf/7/article_7591_5.pdf; Марчук Г. И. Методы вычислительной математики. М.: Наука, 1977. 456 с.; Trottenberg U., Oosterlee C. W., Schüller A. Multigrid. London: Acad. Press, 2001. 631 p.; Сироткин В. В. Высокоэффективный декомпозиционный алгоритм для моделирования тепловых режимов мощных транзисторов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2016. Т. 16, № 3. С. 181—183.; https://met.misis.ru/jour/article/view/345

  4. 4
    Academic Journal
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
    Academic Journal
  9. 9
  10. 10
  11. 11
  12. 12
    Academic Journal
  13. 13
    Academic Journal