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  1. 1
    Academic Journal
    Novel 2D/3D Heterojunction for UV Light‐Emitting Diodes Using Hexagonal Boron Nitride as Hole Injection Layer

    المؤلفون: Perepeliuc, Andre, Gujrati, Rajat, Vuong, Phuong, Ottapilakkal, Vishnu, Tran, Thi May, Bouras, Mohamed, Kassem, Ali, Srivastava, Ashutosh, Moudakir, Tarik, Patriarche, Gilles, Voss, Paul, L, Sundaram, Suresh, Salvestrini, Jean Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Institut Lafayette, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Georgia Institute of Technology Atlanta, ANR-15-IDEX-0004,LUE,Isite LUE(2015), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)

    المصدر: EISSN: 2699-9293 ; Advanced Photonics Research ; https://hal.science/hal-04758198 ; Advanced Photonics Research, 2024, 2400092, pp.1-6. ⟨10.1002/adpr.202400092⟩

    مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

    الاتاحة: https://hal.science/hal-04758198
    https://hal.science/hal-04758198v1/document
    https://hal.science/hal-04758198v1/file/Novel%202-D_3-D%20heterojunction%20for%20UV%20LEDs%20using%20hBN.pdf
    https://doi.org/10.1002/adpr.202400092

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  2. 2
    Academic Journal
    Multiple Shapes Micro‐LEDs with Defect Free Sidewalls and Simple Liftoff and Transfer Using Selective Area Growth on Hexagonal Boron Nitride Template

    المؤلفون: Gujrati, Rajat, Srivastava, Ashutosh, Vuong, Phuong, Ottapilakkal, Vishnu, Sama, Yves, N, Ngo, Thi Huong, Moudakir, Tarik, Patriarche, Gilles, Gautier, Simon, Voss, Paul, L, Sundaram, Suresh, Salvestrini, Jean Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Institut Lafayette, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-19-CE08-0025,INMoSt,Cellules solaires multi-jonctions multi-fils à base de nano-pyramides d'InGaN(2019)

    المصدر: ISSN: 2365-709X ; Advanced Materials Technologies ; https://hal.science/hal-04495400 ; Advanced Materials Technologies, 2023, 8 (15), pp.2300147. ⟨10.1002/admt.202300147⟩.

    مصطلحات موضوعية: selective area growth, simple mechanical lift-off and transfer, van der Waals epitaxy, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics

    Relation: hal-04495400; https://hal.science/hal-04495400; https://hal.science/hal-04495400/document; https://hal.science/hal-04495400/file/MicroLEDS-AFM.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-04495400
    https://hal.science/hal-04495400/document
    https://hal.science/hal-04495400/file/MicroLEDS-AFM.pdf
    https://doi.org/10.1002/admt.202300147

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  3. 3
    Academic Journal
    Scaling up of Growth, Fabrication, and Device Transfer Process for GaN‐based LEDs on H‐BN Templates to 6‐inch Sapphire Substrates

    المؤلفون: Vuong, Phuong, Moudakir, Tarik, Gujrati, Rajat, Srivastava, Ashutosh, Ottapilakkal, Vishnu, Gautier, Simon, Voss, Paul, L, Sundaram, Suresh, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), ANR-19-CE08-0025,INMoSt,Cellules solaires multi-jonctions multi-fils à base de nano-pyramides d'InGaN(2019), ANR-15-IDEX-0004,LUE,Isite LUE(2015)

    المصدر: ISSN: 2365-709X ; Advanced Materials Technologies ; https://hal.science/hal-04460173 ; Advanced Materials Technologies, 2023, 8 (18), ⟨10.1002/admt.202300600⟩.

    مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

    Relation: hal-04460173; https://hal.science/hal-04460173; https://hal.science/hal-04460173/document; https://hal.science/hal-04460173/file/Scaling%20up%20of%20LEDs%20on%20h-BN%20Templates%20to%206-inch%20Sapphire.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-04460173
    https://hal.science/hal-04460173/document
    https://hal.science/hal-04460173/file/Scaling%20up%20of%20LEDs%20on%20h-BN%20Templates%20to%206-inch%20Sapphire.pdf
    https://doi.org/10.1002/admt.202300600

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  4. 4
    Academic Journal
    Influence of Sapphire Substrate Orientation on the van der Waals Epitaxy of III-Nitrides on 2D Hexagonal Boron Nitride: Implication for Optoelectronic Devices

    المؤلفون: Vuong, Phuong, Sundaram, Suresh, Ottapilakkal, Vishnu, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Srivastava, Ashutosh, Mballo, Adama, Moudakir, Tarik, Gautier, Simon, Voss, Paul, L, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Georgia Institute of Technology Atlanta, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Lafayette, ANR-10-EQPX-0050,TEMPOS,Microscopie electronique en transmission sur le plateau Palaiseau Orsay Saclay(2010)

    المصدر: ISSN: 2574-0970 ; ACS Applied Nano Materials ; https://hal.science/hal-04460183 ; ACS Applied Nano Materials, 2022, 5 (1), pp.791-800. ⟨10.1021/acsanm.1c03481⟩.

    مصطلحات موضوعية: van der Waals epitaxy Metal-organic chemical vapor phase epitaxy (MOVPE) twodimensional materials hexagonal Boron Nitride III-nitrides substrate orientations, van der Waals epitaxy, Metal-organic chemical vapor phase epitaxy (MOVPE), twodimensional materials, hexagonal Boron Nitride, III-nitrides, substrate orientations, [SPI]Engineering Sciences [physics]

    Relation: hal-04460183; https://hal.science/hal-04460183; https://hal.science/hal-04460183/document; https://hal.science/hal-04460183/file/Influence%20of%20Sapphire%20Substrate%20Orientation%20on%20Van%20der%20Waals%20Epitaxy%20of%20III-Nitrides%20on%202D%20Hexagonal%20Boron%20Nitride.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-04460183
    https://hal.science/hal-04460183/document
    https://hal.science/hal-04460183/file/Influence%20of%20Sapphire%20Substrate%20Orientation%20on%20Van%20der%20Waals%20Epitaxy%20of%20III-Nitrides%20on%202D%20Hexagonal%20Boron%20Nitride.pdf
    https://doi.org/10.1021/acsanm.1c03481

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  5. 5
    Academic Journal
    High Electron Mobility Transistor (HEMT) based hydrogen sensor for deep-surface applications: Effect of Air and N2 atmosphere

    المؤلفون: Taher, Md. Iktiham Bin, Kumar, Mohit, Halfaya, Yacine, Lazerges, Mathieu, Sama, Nossikpendou Yves, Bouzid, Karim, Moudakir, Tarik, Ngo, Thi Huong, Bouhnane, Hafsa, Othmani, Safa, Randi, Aurelien, Guermont, Thomas, Pironon, Jacques, Gautier, Simon

    المساهمون: Université de Lorraine

    المصدر: International Journal of Hydrogen Energy ; volume 55, page 1514-1522 ; ISSN 0360-3199

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.ijhydene.2023.12.070
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S036031992306370X?httpAccept=text/xml
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  6. 6
    Academic Journal
    Effectiveness of selective area growth using van der Waals h-BN layer for crack-free transfer of large-size III-N devices onto arbitrary substrates

    المؤلفون: Karrakchou, Soufiane, Sundaram, Suresh, Ayari, Taha, Mballo, Adama, Vuong, Phuong, Srivastava, Ashutosh, Gujrati, Rajat, Ahaitouf, Ali, Patriarche, Gilles, Leichle, Thierry, Gautier, Simon, Moudakir, Tarik, Voss, Paul, L, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Équipe Microsystèmes électromécaniques (LAAS-MEMS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), ANR Labex Ganex, ANR Inmost (AAP 2019), ANR-19-CE08-0025,INMoSt,Cellules solaires multi-jonctions multi-fils à base de nano-pyramides d'InGaN(2019), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)

    المصدر: ISSN: 2045-2322.

    مصطلحات موضوعية: Electronic devices, Two-dimensional materials, [SPI]Engineering Sciences [physics]

    Relation: hal-03120983; https://hal.science/hal-03120983; https://hal.science/hal-03120983/document; https://hal.science/hal-03120983/file/Effectiveness%20of%20selective%20area%20growth%20using%20van%20der%20Waals%20h-BN%20layer%20for%20crack-free%20transfer%20of%20large-size%20III-N%20devices%20onto%20arbitrary%20substrates.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-03120983
    https://hal.science/hal-03120983/document
    https://hal.science/hal-03120983/file/Effectiveness%20of%20selective%20area%20growth%20using%20van%20der%20Waals%20h-BN%20layer%20for%20crack-free%20transfer%20of%20large-size%20III-N%20devices%20onto%20arbitrary%20substrates.pdf
    https://doi.org/10.1038/s41598-020-77681-z

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  7. 7
    Academic Journal
    Control of the Mechanical Adhesion of III–V Materials Grown on Layered h-BN

    المؤلفون: Vuong, Phuong, Sundaram, Suresh, Mballo, Adama, Patriarche, Gilles, Leone, Stefano, Benkhelifa, Fouad, Karrakchou, Soufiane, Moudakir, Tarik, Gautier, Simon, Voss, Paul, L, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (Fraunhofer IAF), Fraunhofer (Fraunhofer-Gesellschaft), ANR Labex Ganex, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)

    المصدر: ISSN: 1944-8244.

    مصطلحات موضوعية: III-nitrides, semiconductors, mechanical transfer, flexible (opto) electronics, transferrable nanodevices, 2D boron nitride, [SPI.MECA.MEMA]Engineering Sciences [physics]/Mechanics [physics.med-ph]/Mechanics of materials [physics.class-ph], [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics

    Relation: hal-03350674; https://hal.science/hal-03350674; https://hal.science/hal-03350674/document; https://hal.science/hal-03350674/file/Control%20of%20the%20Mechanical%20Adhesion%20of%20III%E2%88%92V%20Materials%20Grown%20on%20Layered%20h%E2%80%90BN%20%281%29.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-03350674
    https://hal.science/hal-03350674/document
    https://hal.science/hal-03350674/file/Control%20of%20the%20Mechanical%20Adhesion%20of%20III%E2%88%92V%20Materials%20Grown%20on%20Layered%20h%E2%80%90BN%20%281%29.pdf
    https://doi.org/10.1021/acsami.0c16850

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  8. 8
    Conference
    AlGaN-based MQWs emitting at 280nm for Vertical Cavity Surface Emitting Lasers

    المؤلفون: Le Gac, Gaëlle, Li, Xin, Sundaram, Suresh, El Gmili, Youssef, Moudakir, Tarik, Disseix, Pierre, Reveret, François, Lagarde, Delphine, Leymarie, Joël, Bouchoule, Sophie, Patriarche, Gilles, Genty, Frédéric, Salvestrini, Jean-Paul, Dupuis, Russell, Dean, Voss, Paul L, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Institut Pascal (IP), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Clermont Auvergne (UCA)-Institut national polytechnique Clermont Auvergne (INP Clermont Auvergne), Université Clermont Auvergne (UCA)-Université Clermont Auvergne (UCA), Georgia Institute of Technology Lorraine, France, Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Optoélectronique Quantique (LPCNO), Laboratoire de physique et chimie des nano-objets (LPCNO), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, ANR-11-BS03-0012,VESUVE,LASER A CAVITE VERTICALE EMETTANT PAR LA SURFACE DANS LA GAMME DE L'ULTRA-VIOLET(2011)

    المصدر: Conference on Lasers and Electro-Optics ; https://hal.science/hal-01257060 ; Conference on Lasers and Electro-Optics, Jun 2015, Munich, Germany ; http://www.osapublishing.org/abstract.cfm?URI=CLEO_Europe-2015-CE_11_4

    مصطلحات موضوعية: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

    جغرافية الموضوع: Munich, Germany

    الاتاحة: https://hal.science/hal-01257060
    https://hal.science/hal-01257060v1/document
    https://hal.science/hal-01257060v1/file/LeGac2015.pdf

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  9. 9
    Conference
    Van der Waals epitaxy of nitride optoelectronic devices based on two-dimensional hBN

    المؤلفون: Ougazzaden, Abdallah, Sundaram, Suresh, Vuong, Phuong, Mballo, Adama, Patriarche, Gilles, Srivastava, Ashutosh, Ahaitouf, Ali, Gautier, Simon, Moudakir, Tarik, Voss, Paul, Salvestrini, Jean-Paul

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), ANR Labex Ganex, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011), ANR-10-EQPX-0050,TEMPOS,Microscopie electronique en transmission sur le plateau Palaiseau Orsay Saclay(2010)

    المصدر: Gallium Nitride Materials and Devices XVI ; https://hal.science/hal-03350528 ; Gallium Nitride Materials and Devices XVI, Mar 2021, Online Only, 11686, SPIE, pp.39, 2021, ⟨10.1117/12.2584985⟩

    مصطلحات موضوعية: Epitaxy, Optoelectronic devices, Field effect transistors, Heterojunctions, Light emitting diodes, Photodetectors, Sensors, [SPI]Engineering Sciences [physics]

    Relation: hal-03350528; https://hal.science/hal-03350528

    الاتاحة: https://hal.science/hal-03350528
    https://doi.org/10.1117/12.2584985

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  10. 10
    Conference
    Effect of aluminium diffusion into 2D hBN on the mechanical release of III-N heterostructures

    المؤلفون: Vuong, Thi Quynh Phuong, Sundaram, Suresh, Mballo, Adama, Patriarche, Gilles, Karrakchou, Soufiane, Moudakir, Tarik, Gautier, Simon, Voss, Paul, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)

    المصدر: MRS 2021 ; https://cnrs.hal.science/hal-03477850 ; MRS 2021, Dec 2021, Boston, United States

    مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

    جغرافية الموضوع: Boston, United States

    Time: Boston, United States

    Relation: hal-03477850; https://cnrs.hal.science/hal-03477850

    الاتاحة: https://cnrs.hal.science/hal-03477850

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  11. 11
    Conference
    MOVPE growth of h-BN on patterned sapphire substrates and its application on selective area growth of GaN based LEDs structures

    المؤلفون: Sundaram, Suresh, Karrakchou, Soufiane, Mballo, Adama, Vuong, Thi Quynh Phuong, Halfaya, Yacine, Patriarche, Gilles, Moudakir, Tarik, Voss, Paul, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)

    المصدر: MRS 2021 ; https://cnrs.hal.science/hal-03477821 ; MRS 2021, Dec 2021, Boston, United States

    مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

    جغرافية الموضوع: Boston, United States

    Time: Boston, United States

    Relation: hal-03477821; https://cnrs.hal.science/hal-03477821

    الاتاحة: https://cnrs.hal.science/hal-03477821

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  12. 12
    Conference
    Epitaxial growth and materials characterization of single crystalline boron rich B(AI)N ternary alloys

    المؤلفون: Vuong, Thi Quynh Phuong, Mballo, Adama, Sundaram, Suresh, Patriarche, Gilles, Halfaya, Yacine, Moudakir, Tarik, Gautier, Simon, Voss, Paul, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)

    المصدر: MRS 2021 ; https://cnrs.hal.science/hal-03477839 ; MRS 2021, Dec 2021, Boston, United States

    مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

    جغرافية الموضوع: Boston, United States

    Time: Boston, United States

    Relation: hal-03477839; https://cnrs.hal.science/hal-03477839

    الاتاحة: https://cnrs.hal.science/hal-03477839

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  13. 13
    Conference
    Ohmic and Schottky contacts for BGaN based UV photo- and α,β detectors

    المؤلفون: Srour, Hussein, Salvestrini, Jean-Paul, Assouar, Badreddine, Ougazzaden, Abdallah, Ould Saad Hamady, Sidi, Ali, Ahaitouf, Gautier, Simon, Moudakir, Tarik

    المساهمون: Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Laboratoire de physique des milieux ionisés et applications (LPMIA), Université Henri Poincaré - Nancy 1 (UHP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), UMI GT CNRS, Georgia Institute of Technology Atlanta -Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

    المصدر: E-MRS 2011 SPRING MEETING IUMRS ICAM 2011 & E-MRS / MRS BILATERAL CONFERENCE on ENERGY ; https://hal.science/hal-00573026 ; E-MRS 2011 SPRING MEETING IUMRS ICAM 2011 & E-MRS / MRS BILATERAL CONFERENCE on ENERGY, May 2011, Nice, France

    مصطلحات موضوعية: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]

    جغرافية الموضوع: Nice, France

    Time: Nice, France

    Relation: hal-00573026; https://hal.science/hal-00573026

    الاتاحة: https://hal.science/hal-00573026

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  14. 14
    Academic Journal
    BAlN thin layers for deep UV applications

    المؤلفون: Li, Xin, Sundaram, Suresh, Gmili, Youssef El, Moudakir, Tarik, Genty, Frédéric, Bouchoule, Sophie, Patriarche, Gilles, Dupuis, Russell D., Voss, Paul L., Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), School of Electrical and Computer Engineering - Georgia Insitute of Technology (ECE GeorgiaTech), Georgia Institute of Technology Atlanta, Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, ANR-11-BS03-0012,VESUVE,LASER A CAVITE VERTICALE EMETTANT PAR LA SURFACE DANS LA GAMME DE L'ULTRA-VIOLET(2011)

    المصدر: ISSN: 0031-8965.

    مصطلحات موضوعية: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]

    Relation: hal-01108100; https://hal.science/hal-01108100; https://hal.science/hal-01108100/document; https://hal.science/hal-01108100/file/li2015-1.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-01108100
    https://hal.science/hal-01108100/document
    https://hal.science/hal-01108100/file/li2015-1.pdf
    https://doi.org/10.1002/pssa.201400199

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  15. 15
    Academic Journal
    Bandgap energy bowing parameter of strained and relaxed InGaN layers

    المؤلفون: Orsal, Gaëlle, El Gmili, Youssef, Fressengeas, Nicolas, Streque, Jérémy, Djerboub, Ryad, Moudakir, Tarik, Suresh, Sundaram, Ougazzaden, Abdallah, Salvestrini, Jean-Paul

    المساهمون: Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)

    المصدر: ISSN: 2159-3930.

    مصطلحات موضوعية: Thin films, optical properties, Instrumentation, measurement and metrology, OCIS: 310.6860, 120.0120, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

    Relation: hal-01170545; https://hal.science/hal-01170545; https://hal.science/hal-01170545/document; https://hal.science/hal-01170545/file/ome-4-5-1030.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-01170545
    https://hal.science/hal-01170545/document
    https://hal.science/hal-01170545/file/ome-4-5-1030.pdf
    https://doi.org/10.1364/OME.4.001030

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  16. 16
    Academic Journal
    Theoretical analysis of the influence of defect parameters on photovoltaic performances of composition graded InGaN solar cells

    المؤلفون: Gorge, V., Migan-Dubois, A., Djebbour, Zakaria, Pantzas, K., Gautier, Simon, Moudakir, Tarik, Ougazzaden, Abdallah, Sundaram, Suresh

    المساهمون: Laboratoire de génie électrique de Paris (LGEP), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL)

    المصدر: ISSN: 0025-5416 ; Materials Science and Engineering ; https://hal.science/hal-00764807 ; Materials Science and Engineering, 2013, B 178, pp.142-148. ⟨10.1016/j.mseb.2012.10.033⟩.

    مصطلحات موضوعية: InGaN, Solar cell, Modeling, Defect, Graded bandgap, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]

    Relation: hal-00764807; https://hal.science/hal-00764807; https://hal.science/hal-00764807/document; https://hal.science/hal-00764807/file/Gorge2013.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-00764807
    https://hal.science/hal-00764807/document
    https://hal.science/hal-00764807/file/Gorge2013.pdf
    https://doi.org/10.1016/j.mseb.2012.10.033

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  17. 17
    Academic Journal
    Dual-purpose BGaN layers on performance of nitride-based high electron mobility transistors

    المؤلفون: Ravindran, Vinod, Boucherit, Mohamed, Soltani, Ali, Gautier, Simon, Moudakir, Tarik, Dickerson, Jeramy, Voss, Paul, L., Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette, de Jaeger, Jean-Claude, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Georgia Institute of Technology Atlanta, Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Alcatel-Thales III-V Lab (III-V Lab ), THALES France

    المصدر: ISSN: 0003-6951.

    مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

    Relation: hal-00787871; https://hal.science/hal-00787871; https://hal.science/hal-00787871/document; https://hal.science/hal-00787871/file/Ravindran_2012_1.4729154.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-00787871
    https://hal.science/hal-00787871/document
    https://hal.science/hal-00787871/file/Ravindran_2012_1.4729154.pdf
    https://doi.org/10.1063/1.4729154

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  18. 18
    Academic Journal
    Metal-organic vapor phase epitaxy of BInGaN quaternary alloys and characterization of boron content

    المؤلفون: Gautier, Simon, Orsal, Gaëlle, Moudakir, Tarik, Maloufi, N., Jomard, François, Alnot, Marc, Djebbour, Zakaria, Sirenko, Andrei, Abid, M., Pantzas, K., Ferguson, Ian, Voss, Paul L., Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Laboratoire de génie électrique de Paris (LGEP), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)

    المصدر: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-00554242 ; Journal of Crystal Growth, 2010, 312 (5), pp.641-644. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2009.11.040⟩.

    مصطلحات موضوعية: Metal-organic vapour phase epitaxy, BInGaN, Boron, InGaN, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

    Relation: hal-00554242; https://hal.science/hal-00554242; https://hal.science/hal-00554242/document; https://hal.science/hal-00554242/file/JCG2010.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-00554242
    https://hal.science/hal-00554242/document
    https://hal.science/hal-00554242/file/JCG2010.pdf
    https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.11.040

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  19. 19
    Academic Journal
    Microstructural, Compositional & Optical Characteristics of GaN Grown by MOVPE on ZnO Epilayers

    المؤلفون: Rogers, Dave, J., Hosseini-Teherani, Ferecteh, Moudakir, Tarik, Gautier, Simon, Jomard, François, Molinari, Michaël, Troyon, Michel, Mcgrouther, Damien, Chapman, John, N., Razeghi, Manijeh, Ougazzaden, Abdallah

    المساهمون: Nanovation SARL, Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microscopies et d'Etude de Nanostructures (lmen), Université de Reims Champagne-Ardenne (URCA), University of Glasgow, Center for Quantum Devices Evanston (CQD), Northwestern University Evanston, School of Electrical and Computer Engineering - Georgia Insitute of Technology (ECE GeorgiaTech), Georgia Institute of Technology Atlanta

    المصدر: ISSN: 2166-2746.

    مصطلحات موضوعية: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]

    Relation: hal-00448880; https://hal.science/hal-00448880; https://hal.science/hal-00448880/document; https://hal.science/hal-00448880/file/Rogers2009.pdf

    الاتاحة: https://hal.science/hal-00448880
    https://hal.science/hal-00448880/document
    https://hal.science/hal-00448880/file/Rogers2009.pdf
    https://doi.org/10.1116/1.3137967

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  20. 20
    Academic Journal
    Wafer-scale epitaxial lift-off of optoelectronic grade GaN from a GaN substrate using a sacrificial ZnO interlayer

    المؤلفون: Rajan, Akhil, Rogers, David J, Ton-That, Cuong, Zhu, Liangchen, Phillips, Matthew R, Sundaram, Suresh, Gautier, Simon, Moudakir, Tarik, El-Gmili, Youssef, Ougazzaden, Abdallah, Sandana, Vinod E, Teherani, Ferechteh H, Bove, Philippe, Prior, Kevin A, Djebbour, Zakaria, Mcclintock, Ryan, Razeghi, Manijeh

    المساهمون: Heriot-Watt University Edinburgh (HWU), Nanovation SARL (Nanovation), Nanovation SARL, University of Technology Sydney (UTS), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ), Northwestern University Evanston

    المصدر: ISSN: 0022-3727 ; EISSN: 1361-6463.

    مصطلحات موضوعية: [PHYS]Physics [physics], [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials

    Relation: hal-01632945; https://centralesupelec.hal.science/hal-01632945

    الاتاحة: https://centralesupelec.hal.science/hal-01632945
    https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/31/315105

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