المؤلفون: Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych

المصدر: Microsystems, Electronics and Acoustics; Vol. 24 No. 3 (2019); 20 - 32 ; Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24 № 3 (2019); 20 - 32 ; Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24 № 3 (2019); 20 - 32 ; 2523-4455 ; 2523-4447 ; 10.20535/2523-4455.2019.24.3

مصطلحات موضوعية: III-нітриди, нітрид галію, нітрид алюмінію, нітрид індію, механізми розсіювання, міждолинне розсіювання, часи релаксації, сильне електричне поле, балістичний транспорт, динамічні характеристики, гранична частота, 621.382, III-нитриды, нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия, механизмы рассеяния, междолинное рассеяние, времена релаксации, сильное электрическое поле, баллистический транспорт, динамические характеристики, граничная частота, III-nitrides, gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, scattering mechanisms, inter-valley scattering, relaxation times

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://elc.kpi.ua/article/view/178841/185996; http://elc.kpi.ua/article/view/178841

الاتاحة: http://elc.kpi.ua/article/view/178841
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.3.178841

المؤلفون: Baida, Iryna Petrivna, Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych

المصدر: Microsystems, Electronics and Acoustics; Vol. 24 No. 2 (2019); 14 - 24 ; Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24 № 2 (2019); 14 - 24 ; Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24 № 2 (2019); 14 - 24 ; 2523-4455 ; 2523-4447 ; 10.20535/2523-4455.2019.24.2

مصطلحات موضوعية: механізми розсіювання, сплавний потенціал, часи релаксації, субмікронні гетероструктурні транзистори, квантові ями, 621.382.323, 621.382.82, механизмы рассеивания, сплавной потенциал, времена релаксации, субмикронные гетероструктурные транзисторы, квантовые ямы, scattering mechanisms, alloy scattering, relaxation times, submicrometer hеterostructure transistors, quantum walls

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://elc.kpi.ua/article/view/169269/177750; https://elc.kpi.ua/article/view/169269

الاتاحة: https://elc.kpi.ua/article/view/169269
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.2.169269

المؤلفون: Moskaliuk, Volodymyr

المصدر: EUREKA: Health Sciences; No. 1 (2016); 19-24 ; EUREKA: Health Sciences; № 1 (2016); 19-24 ; 2504-5679 ; 2504-5660

مصطلحات موضوعية: postoperative paresis, trigger, serotonin, SERT

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://journal.eu-jr.eu/health/article/view/36/1115; http://journal.eu-jr.eu/health/article/view/36/42; http://journal.eu-jr.eu/health/article/view/36

الاتاحة: http://journal.eu-jr.eu/health/article/view/36
https://doi.org/10.21303/2504-5679.2016.00036

المؤلفون: Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych

المصدر: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32

مصطلحات موضوعية: Електроніка, Microelectronics, Микроэлектронника, III-нитриды, нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия, механизмы рассеяния, междолинное рассеяние, времена релаксации, сильное электрическое поле, баллистический транспорт, динамические характеристики, граничная частота, III-нітриди, нітрид галію, нітрид алюмінію, нітрид індію, механізми розсіювання, міждолинне розсіювання, часи релаксації, сильне електричне поле, балістичний транспорт, динамічні характеристики, гранична частота, 621.382, III-nitrides, gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, scattering mechanisms, inter-valley scattering, relaxation times, strong electric field, ballistic transport, dynamic performance, cutoff frequency

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::bb3c2d069c1ff2fecfa6b0654c6f1981
http://elc.kpi.ua/article/view/178841

المؤلفون: Kulikov, Konstantin, Baida, Iryna, Moskaliuk, Volodymyr, Timofeyev, Volodymyr

المصدر: 2018 IEEE 38th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO) ; volume 7, page 101-105

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/elnano.2018.8477497
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8468309/8477432/08477497.pdf?arnumber=8477497

Additional Titles: Высокочастотные свойства GaN, AlN та InN в сильных полях
High-Frequency Properties of GaN, AlN and InN in Strong Fields

المؤلفون: Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych; Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych; Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych; Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

المصدر: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 3 (2019); 20 - 32; Микросистемы, Электроника и Акустика; Мікросистеми, Електроніка та Акустика; 2523-4455; 2523-4447

مصطلحات الفهرس: Електроніка, III-нітриди; нітрид галію; нітрид алюмінію; нітрид індію; механізми розсіювання; міждолинне розсіювання; часи релаксації; сильне електричне поле; балістичний транспорт; динамічні характеристики; гранична частота, 621.382, Микроэлектронника, III-нитриды; нитрид галлия; нитрид алюминия; нитрид индия; механизмы рассеяния; междолинное рассеяние; времена релаксации; сильное электрическое поле; баллистический транспорт; динамические характеристики; граничная частота, Microelectronics, III-nitrides; gallium nitride; aluminum nitride; indium nitride; scattering mechanisms; inter-valley scattering; relaxation times; strong electric field; ballistic transport; dynamic performance; cutoff frequency, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

URL: http://elc.kpi.ua/article/view/178841
http://elc.kpi.ua/article/view/178841/185996
http://elc.kpi.ua/article/view/178841/185996

Additional Titles: Релаксационные процессы в субмикронных гетеротранзисторах с системой квантовых ям
Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям

المؤلفون: Baida, Iryna Petrivna; Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського", Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych; Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського", Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych; Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського", Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych; Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського"

المصدر: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 2 (2019); 14 - 24; Микросистемы, Электроника и Акустика; Мікросистеми, Електроніка та Акустика; 2523-4455; 2523-4447

مصطلحات الفهرس: Electronics, scattering mechanisms; alloy scattering, relaxation times; submicrometer hеterostructure transistors; quantum walls, 621.382.323; 621.382.82, Электронника, механизмы рассеивания; сплавной потенциал; времена релаксации; субмикронные гетероструктурные транзисторы; квантовые ямы, Електроніка, механізми розсіювання; сплавний потенціал; часи релаксації; субмікронні гетероструктурні транзистори; квантові ями, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion, Математичне моделювання; Комп'ютерне моделювання, Analytycal study; Computer modeling, Аналитическое исследование; Компьютерное моделирование

URL: http://elc.kpi.ua/article/view/169269
http://elc.kpi.ua/article/view/169269/177750
http://elc.kpi.ua/article/view/169269/177750

المؤلفون: Fediai, Artem, Moskaliuk, Volodymyr

المصدر: 2013 IEEE XXXIII International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology (ELNANO) ; page 107-111

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/elnano.2013.6552012
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6547265/6551989/06552012.pdf?arnumber=6552012

المؤلفون: Fedyay, Artem, Moskaliuk, Volodymyr

المصدر: Proceedings of International Conference on Modern Problem of Radio Engineering, Telecommunications & Computer Science; 1/ 1/2012, p455-456, 2p