المؤلفون: González Fernández, Alfredo A.

المساهمون: University/Department: Universitat de Barcelona. Facultat de Física

Thesis Advisors: Domínguez, Carlos (Domínguez Horna), Aceves Pascual, Mariano, Garrido Fernández, Blas

المصدر: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

مصطلحات موضوعية: Nanoelectrònica, Nanoelectrónica, Nanoelectronics, Nanoestructures, Nanoestructuras, Nanostructures, Fotònica, Fotónica, Photonics, Silici, Silicio, Silicon, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Semiconductores de metal-óxido complementarios, Complementary metal oxide semiconductors, Ciències Experimentals i Matemàtiques

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: http://hdl.handle.net/10803/285863

المؤلفون: Juvert Sández, Joan

المساهمون: University/Department: Universitat de Barcelona. Facultat de Física

Thesis Advisors: Domínguez, Carlos (Domínguez Horna), Garrido Fernández, Blas

المصدر: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

مصطلحات موضوعية: Microelectrònica, Microelectrónica, Microelectronics, Luminescència, Luminiscencia, Luminescence, Compostos de silici, Compuestos de silicio, Silicon compounds, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Semiconductores de metal-óxido complementarios, Complementary metal oxide semiconductors, Ciències Experimentals i Matemàtiques

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: http://hdl.handle.net/10803/275940

المؤلفون: Vilella Figueras, Eva

المساهمون: University/Department: Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica

Thesis Advisors: Diéguez Barrientos, Àngel

المصدر: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

مصطلحات موضوعية: Electrònica, Electrónica, Electronics, Circuits electrònics, Circuitos electrónicos, Electronic circuits, Semiconductors, Semiconductores, Col·lisions (Física nuclear), Colisiones (Física nuclear), Collisions (Nuclear physics), Metall-òxid-semiconductors complementaris, Semiconductores de metal-óxido complementarios, Complementary metal oxide semiconductors, Fotodíode d'allau, Fotodiodo de avalancha, Avalanche photodiode

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: http://hdl.handle.net/10803/131100

المؤلفون: Valle Fraga, Juan José, Sánchez Chiva, José María, Fernández, Daniel, Madrenas Boadas, Jordi

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. IS2- Sensors Intel·ligents i Sistemes Integrats

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Circuits electrònics, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics, Metal oxide semiconductors, Complementary, Digital electronics, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Electrònica digital

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://www.nature.com/articles/s41378-022-00423-w; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/RTI2018-099766-B-I00/ES/INTEGRACION DE CMOS-MEMS AVANZADOS PARA SISTEMAS DE NUEVA GENERACION A ESCALA MILIMETRICA/; Valle, J. [et al.]. Design, fabrication, characterization and reliability study of CMOS-MEMS Lorentz-force magnetometers. "Microsystems and Nanoengineering", 16 Setembre 2022, vol. 8, núm. 103.; http://hdl.handle.net/2117/378948

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/378948
https://doi.org/10.1038/s41378-022-00423-w

المؤلفون: Riba Ruiz, Jordi-Roger

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Elèctrica, Universitat Politècnica de Catalunya. MCIA - Motion Control and Industrial Applications Research Group

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica, Metal oxide semiconductors, Complementary, Image converters, High voltages, Corona discharges, High-voltage applications, Visible, Ultraviolet, CMOS, Detection, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Convertidors d'imatge, Alta tensió

وصف الملف: 19 p.; application/pdf

Relation: https://www.mdpi.com/1424-8220/22/15/5886; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2020-114240RB-I00/ES/TECNICAS DE PROTECCION AVANZADAS CONTRA EL ARCO ELECTRICO PARA APLICACIONES AERONAUTICAS BASADO EN IDENTIFICACION DE PARAMETROS Y TRATAMIENTO DE DATOS/; info:eu-repo/grantAgreement/AGAUR/2PE/2017 SGR 967; Riba, J. Application of image sensors to detect and locate electrical discharges: a review. "Sensors (Switzerland)", 6 Agost 2022, vol. 22, núm. 15, article 5886, p. 1-19.; http://hdl.handle.net/2117/372549

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/372549
https://doi.org/10.3390/s22155886

المؤلفون: Fernández, Daniel, Michalik, Piotr, Valle Fraga, Juan José, Banerji, Saoni, Sánchez Chiva, José María, Madrenas Boadas, Jordi

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. IS2- Sensors Intel·ligents i Sistemes Integrats

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics, Metal oxide semiconductors, Complementary, CMOS sensors, CMOS-micro-electromechanical system (MEMS), Micromachining, Monolithic integration, System-on-chip (SoC), Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: 18 p.; application/pdf

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/9979786; eu-repo/grantAgreement/MICINN/2PE/PID2021-123535OB-I00; Fernández, D. [et al.]. Monolithic sensor integration in CMOS technologies. "IEEE sensors journal", 9 Desembre 2022, vol. 23, núm. 2, p. 1479-1496.; http://hdl.handle.net/2117/384934

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/384934
https://doi.org/10.1109/JSEN.2022.3224866

المؤلفون: Vilella Figueras, Eva, Alonso Casanovas, Oscar, Vilà i Arbonès, Anna Maria, Diéguez Barrientos, Àngel, CERN-RD50 Collaboration

المصدر: Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

مصطلحات موضوعية: Detectors, Hadrons, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Complementary metal oxide semiconductors

وصف الملف: application/pdf

Relation: Reproducció del document publicat a: https://doi.org/10.1016/j.nima.2022.166826; Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A-Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment, 2022, vol. 1034, p. 166826; https://doi.org/10.1016/j.nima.2022.166826; http://hdl.handle.net/2445/189147; 723945

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2445/189147

المؤلفون: Aghazadeh Dafsari, Seyed Rasoul, Martínez García, Herminio, Saberkari, Alireza

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Doctorat en Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica, Complementary metal oxide semiconductors, All-pass filter, CMOS, Time delay, Broadband, True-time-delay, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: 10 p.; application/pdf

Relation: https://www.mdpi.com/books/pdfview/book/2083; Aghazadeh Dafsari, S.; Martinez, H.; Saberkari, A. 5GHz CMOS all-pass filter-based true time delay cell. A: "Signal processing and analysis of electrical circuit". Basel: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI), 2020, p. 465-474.; http://hdl.handle.net/2117/343652

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/343652
https://doi.org/10.3390/books978-3-03928-295-1

المؤلفون: Valle Fraga, Juan José, Fernández Martínez, Daniel, Gibrat, Olivier, Madrenas Boadas, Jordi

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Doctorat en Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. ISSET - Integrated Smart Sensors and Health Technologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Circuits electrònics, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics, Metal oxide semiconductors, Complementary, Digital electronics, CMOS-MEMS, Design techniques, Hydrogen fluoride, Silicon oxide, Vapor-HF, Release, Reliability, Yield, Micromechanical devices, Silicon, Metals, Etching, Passivation, CMOS process, Aluminum, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Electrònica digital

وصف الملف: 14 p.; application/pdf

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/9447709; Valle, J. [et al.]. Manufacturing Issues of BEOL CMOS-MEMS Devices. "IEEE access", 7 Juny 2021, vol. 9, p. 83149-83162.; http://hdl.handle.net/2117/352851

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/352851
https://doi.org/10.1109/ACCESS.2021.3086867

المؤلفون: Crespo Yepes, Albert, Ramos Hortal, Regina, Barajas Ojeda, Enrique, Aragonès Cervera, Xavier, Mateo Peña, Diego, Martin Martínez, Javier, Rodríguez Martínez, Rosana, Nafría Maqueda, Montserrat

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència::Convertidors de corrent elèctric, Electric inverters, Metal oxide semiconductors, Complementary, CMOS technology, On-the-fly stress characterization, Circuit performance degradation, Transistor aging, CMOS inverters, Measurement technique, Analytical modelling, Convertidors continu-altern, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0038110121001398; Crespo, A. [et al.]. Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from ‘on-the-fly' measurements. "Solid-state electronics", 1 Octubre 2021, vol. 184, núm. article 108094.; http://hdl.handle.net/2117/366511

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/366511
https://doi.org/10.1016/j.sse.2021.108094

المؤلفون: Ilagan Matibag, Prince Jay

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Cosp Vilella, Jordi

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica, Metal oxide semiconductors, Complementary, CMOS, OTA, Current recycling, Layout, Cadence, Folded Cascode, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://hdl.handle.net/2117/410530; ETSETB-230.184038

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/410530

المؤلفون: Palma Carmona, Kenneth, Moll Echeto, Francisco de Borja

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Doctorat en Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria elèctrica, DC-to-DC converters, Electric current converters, Complementary metal oxide semiconductors, Mathematical model, Integrated circuit modeling, Capacitors, Clocks, Charge transfer, Capacitance, Transistors, Charge Pumps, FDSOI, Body Bias, DC-DC converter, Energy harvesting, Convertidors continu-continu, Convertidors de corrent elèctric, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: 4 p.; application/pdf

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/8884984; Palma, K.; Moll, F. Linear, time-invariant model of the dynamics of a CMOS CC-CP. A: International Midwest Symposium on Circuits and Systems. "2019 IEEE 62nd International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS)". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019, p. 1-4.; http://hdl.handle.net/2117/190887

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/190887
https://doi.org/10.1109/MWSCAS.2019.8884984

المؤلفون: Aghazadeh, Seyed Rasoul, Martínez García, Herminio, Saberkari, Alireza, Alarcón Cot, Eduardo José

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica, Complementary metal oxide semiconductors, All-pass filter, delay, CMOS, wide-band, linearity, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: 5 p.

Relation: Aghazadeh, S. [et al.]. CMOS RF first-order all-pass filter. A: Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación. "SAAEI 2018: 25 Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2018: Barcelona, España: 4-6 Julio, 2018: proceedings book". Barcelona: International Centre for Numerical Methods in Engineering (CIMNE), 2018, p. 133-137.; http://hdl.handle.net/2117/131271; B-16545-2016

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/131271

المؤلفون: Gilasgar, Mitra, Barlabe Dalmau, Antoni, Pradell i Cara, Lluís

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions, Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Processament del senyal::Processament del senyal en les telecomunicacions, Metal oxide semiconductors, Complementary, Electric resistance), Power amplifiers, Reconfigurable, Class-F, Power amplifier (PA), CMOS, Impedance tuner, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Resistència elèctrica, Amplificadors de potència

وصف الملف: 12 p.

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/8415739; info:eu-repo/grantAgreement/MINECO/2PE/TEC2013-48102-C2-1-P; info:eu-repo/grantAgreement/MINECO/2PE/TEC2016-78028-C3-1-P; info:eu-repo/grantAgreement/MINECO/2PE/MDM-2016-0600; Gilasgar, M., Barlabe, A., Pradell, L. A 2.4 GHz CMOS class-F power amplifier with reconfigurable load-impedance matching. "IEEE transactions on circuits and systems I: regular papers", 2019, vol. 66, núm. 1, p. 31-42.; http://hdl.handle.net/2117/125779

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/125779
https://doi.org/10.1109/TCSI.2018.2851608

المؤلفون: Barajas Ojeda, Enrique, Aragonès Cervera, Xavier, Mateo Peña, Diego, Altet Sanahujes, Josep

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Instrumentació i mesura::Sensors i actuadors, Complementary metal oxide semiconductors, Complementary metal oxide semiconductor, CMOS, Temperature sensor, CMOS analog integrated circuits, Differential temperature sensor, Built-in sensor, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: 21 p.; application/pdf

Relation: https://www.mdpi.com/1424-8220/19/21/4815; Barajas, E. [et al.]. Differential temperature sensors: Review of applications in the test and characterization of circuits, usage and design methodology. "Sensors", 5 Novembre 2019, vol. 19, núm. 4815, p. 1-21.; http://hdl.handle.net/2117/178636

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/178636
https://doi.org/10.3390/s19214815

المؤلفون: Vilella Figueras, Eva, Diéguez Barrientos, Àngel, Alonso Casanovas, Oscar, The RD50 Collaboration

المصدر: Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

مصطلحات موضوعية: Detectors, Física de partícules, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Particle physics, Complementary metal oxide semiconductors

وصف الملف: 11 p.; application/pdf

Relation: https://doi.org/10.22323/1.348.0031; Proceedings of Science, 2019; info:eu-repo/grantAgreement/EC/H2020/737089/EU//ChipScope; http://hdl.handle.net/2445/156039; 694680

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2445/156039

المؤلفون: Daniel Fernandez, Piotr Michalik, Juan Valle, Saoni Banerji, Josep Maria Sanchez-Chiva, Jordi Madrenas

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. IS2- Sensors Intel·ligents i Sistemes Integrats

مصطلحات موضوعية: Enginyeria electrònica::Components electrònics [Àrees temàtiques de la UPC], Micromachining, Metal oxide semiconductors, Complementary, CMOS sensors, System-on-chip (SoC), Monolithic integration, Electrical and Electronic Engineering, CMOS-micro-electromechanical system (MEMS), Instrumentation, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::774af3982459ceea0e6146e72653700f
https://hdl.handle.net/2117/384934

المؤلفون: Peris Ponferrada, Alex

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Mateo Peña, Diego, Gómez Fernández, Sergio

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats, Integrated circuits, Metal oxide semiconductors, Complementary, micrelectronic circuits, MOS circuits, Circuitos microelectronicos, circuitos MOS, Circuits integrats, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://hdl.handle.net/2117/400154; ETSETB-230.178838

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/400154

المؤلفون: Cirera, Albert, Fernandez, Carlos, Vourkas, Ioannis, Rubio Sola, Jose Antonio

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. EFRICS - Efficient and Robust Integrated Circuits and Systems

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Circuits electrònics, Integrated circuits, Metal oxide semiconductors, Complementary, Characterization, Conductive channel forming, Knowm, Memristor, ReRAM, Resistive RAM, Resistive switching, Operational amplifiers, Timing circuits, Channel forming, Conductive channels, Random access memory, Resistive random-access memory, Resistive switching devices, RRAM, Circuits integrats, Metall-òxid-semiconductors complementaris

وصف الملف: 4 p.; application/pdf

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/9837684; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2019-103869RB-C33; Cirera, A. [et al.]. Exploring different circuit-level approaches to the forming of resistive random access memories. A: International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies. "2022 11th International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies (MOCAST): Bremen, Germany: June 8-10, 2022: proceedings". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2022, p. 1-4. ISBN 978-1-6654-6717-9. DOI 10.1109/MOCAST54814.2022.9837684.; http://hdl.handle.net/2117/385007

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/385007
https://doi.org/10.1109/MOCAST54814.2022.9837684

المؤلفون: Perpinyà, Xavier, Reverter Cubarsí, Ferran, León, Javier, Barajas Ojeda, Enrique, Vellvehi, Miquel, Jordà, Xavier, Altet Sanahujes, Josep

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. e-CAT - Circuits i Transductors Electrònics, Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació, Amplifiers (Electronics), Metal oxide semiconductors, Complementary--Design and construction, Output Power and Gain Measurement, RF CMOS power amplifiers, Local thermal testing, thermal sensors, Infrared Thermography, Heterodyne driving, Metall-òxid-semiconductors complementaris

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/8482256; Perpinyà, X. [et al.]. Output Power and Gain Monitoring in RF CMOS Class A Power Amplifiers by Thermal Imaging. "IEEE transactions on instrumentation and measurement", 1 Gener 2018.; http://hdl.handle.net/2117/128223

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/128223
https://doi.org/10.1109/TIM.2018.2871289