يعرض 1 - 4 نتائج من 4 نتيجة بحث عن '"MW-CNT networks"', وقت الاستعلام: 0.35s تنقيح النتائج
  1. 1
    Dissertation/ Thesis
    3D integration of single electron transistors in the back-end-of-line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors
    Intégration 3D de dispositifs SETs dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation

    المؤلفون: Ayadi, Yosri

    Thesis Advisors: Lyon, Université de Sherbrooke (Québec, Canada), Drouin, Dominique, Souifi, Abdelkader

    مصطلحات موضوعية: Electronique, Capteur, Transistor mono-Électroniques - SET, Intégration 3D monolithique, Capteur de gaz à base de FET, Capteur de gaz, Détection de dihydrogène, Ultra-Basse consommation, Texturation de surface de la couche sensible, Réseaux de MW-CNTs, Electronics, Sensors, SET - Single Electron Transistor, 3D monolithic integration, FET-Based gas sensor, Hydrogen detection, Sensing layer texturing, MW-CNT networks, 621.370 72

    الاتاحة: http://www.theses.fr/2016LYSEI155/document

    View record in Networked Digital Library of Theses & Dissertations

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Intégration 3D de dispositifs SETs dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation

    المؤلفون: AYADI , Yosri

    المساهمون: INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon, Université de Sherbrooke (Québec, Canada), Dominique Drouin, Abdelkader Souifi, STAR, ABES, INL - Dispositifs Electroniques ( INL - DE ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS )

    المصدر: Electronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2016. English. ⟨NNT : 2016LYSEI155⟩
    Electronics. Université de Lyon, 2016. English. 〈NNT : 2016LYSEI155〉

    مصطلحات موضوعية: Hydrogen detection, SET - Single Electron Transistor, MW-CNT networks, Texturation de surface de la couche sensible, Sensors, Capteur de gaz, Détection de dihydrogène, Intégration 3D monolithique, 3D monolithic integration, Capteur, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, [ SPI.TRON ] Engineering Sciences [physics]/Electronics, Réseaux de MW-CNTs, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, FET-Based gas sensor, Ultra-Basse consommation, Transistor mono-Électroniques - SET, Electronics, Sensing layer texturing, Electronique, Capteur de gaz à base de FET

    وصف الملف: application/pdf

    URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c6fb8409cbf5de7633d1a2da4611f9a4
    https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01753903/document

    View record in OpenAIRE

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    Dissertation/ Thesis
    3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors ; Intégration 3D de dispositifs SET dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation

    المؤلفون: Ayadi, Yosri

    المساهمون: Drouin, Dominique, Souifi, Abdelkader

    مصطلحات موضوعية: Single electron transistors, 3D monolithic integration, FET-based gas sensors, Gas sensing, Hydrogen detection, MW-CNT networks, Ultra-low power, FDSOI, Double gate-SET, Double gate-FET, Sensing layer texturing, Transistors monoélectroniques, Intégration 3D monolithique, Capteur de gaz à base de FET, Capteur de gaz, Détection du dihydrogène, Texturation de surface de la couche sensible, Réseaux de MW-CNTs, Ultra-basse consommation

    Relation: http://hdl.handle.net/11143/10122

    الاتاحة: http://hdl.handle.net/11143/10122

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    Electronic Resource
    3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors

    Additional Titles: Intégration 3D de dispositifs SET dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation

    المؤلفون: Drouin, Dominique, Souifi, Abdelkader, Ayadi, Yosri

    مصطلحات الفهرس: Single electron transistors, 3D monolithic integration, FET-based gas sensors, Gas sensing, Hydrogen detection, MW-CNT networks, Ultra-low power, FDSOI, Double gate-SET, Double gate-FET, Sensing layer texturing, Transistors monoélectroniques, Intégration 3D monolithique, Capteur de gaz à base de FET, Capteur de gaz, Détection du dihydrogène, Texturation de surface de la couche sensible, Réseaux de MW-CNTs, Ultra-basse consommation, Thèse

    URL: http://hdl.handle.net/11143/10122

    View record in OAIster

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء