يعرض 1 - 20 نتائج من 38 نتيجة بحث عن '"M. I. Voronova"', وقت الاستعلام: 0.61s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal

    المساهمون: The work was carried out with financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation within State Assignment (Fundamental Research Project No. 0718-2020-0031) on the equipment of the Joint Use Center for Materials Science and Metallurgy and with State financial support from the Ministry of Science and Higher Education, Grant No. 075-15-2021-696., Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания (фундаментальные исследования, проект № 0718-2020-0031) и на оборудовании ЦКП «Материаловедение и металлургия» при финансовой поддержке РФ в лице Минобрнауки (№ 075-15-2021-696).

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 1 (2022); 92-102 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 1 (2022); 92-102 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-1

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/472/369; Minami T. Transparent conducting oxide semiconductors for transparent electrodes. Semiconductor Science and Technology. 2005; 20(4): S35. https://doi.org/10.1088/0268-1242/20/4/004; Bhosle V., Prater J.T., Yang F., Burk D., Forrest S.R., Narayan J. Gallium-doped zinc oxide films as transparent electrodes for organic solar cell applications. Journal of Applied Physics. 2007; 102(2): 023501—023501-5. https://doi.org/10.1063/1.2750410; Owen J., Son M.S., Yoo K.-H., Ahn B.D., Lee S.Y. Organic photovoltaic devices with Ga-doped ZnO electrode. Applied Physics Letters. 2007; 90(3): 033512. https://doi.org/10.1063/1.2432951; Kim Y.H., Kim J.S., Kim W.M., Seong T.-Y., Lee J., Müller-Meskamp L., Leo K. Realizing the potential of ZnO with alternative non-metallic co-dopants as electrode materials for small molecule optoelectronic devices. Advanced Functional Materials. 2013; 23(29): 3645—3652. https://doi.org/10.1002/adfm.201202799; Фарафонов С.Б. Химико-механическое полирование монокристаллов ZnO, NiSb, Cu и цилиндрических подложек Si: Дисс. . канд. техн. наук. М.: НИТУ «МИСиС»; 2011. 213 с.; Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Окись цинка. Получение и оптические свойства. М.: Наука; 1984. 166 с.; Артёмов A.C., Горбатенко Л.С., Новодворский O.A., Соколов В.И., Фарафонов С.Б., Храмова О.Д. Подготовка подложек ZnO и а-Al2O3 для создания УФ лазеров. Нанотехника. 2007; 4(12): 46—50.; Shcherbachev K.D., Bublik V.T., Mordkovich V.N., Pazhin D.M. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates. Journal of Physics D: Applied Physics. 2005; 38(10А): A126. https://doi.org/10.1088/0022-3727/38/10a/024; Shalimov A., Shcherbachev K.D., Bak-Misiuk J., Misiuk A. Defect structure of silicon crystals implanted with H2+ ions. Physica Status Solidi A: Applications and Materials. 2007; 204(8): 2638—2644. https://doi.org/10.1002/pssa.200675697; Bowen D.K., Tanner B.K. X-ray metrology in semiconductor manufacturing. Boca Raton: CRC Press; 2006. 279p. https://doi.org/10.1201/9781315222035; Holy V., Baumbach T. Non-specular X-ray reflection from rough multilayers. Physical Review B. 1994; 49(15): 10668—10676. https://doi.org/10.1103/physrevb.49.10668; ISO 16413:2020. Evaluation of thickness, density and interface width of thin films by X-ray reflectometry – Instrumental requirements, alignment and positioning, data collection, data analysis and reporting. Publ. 08.2020. https://www.iso.org/standard/76403.html; Croce R., Nevot L. Étude des couches minces et des surfaces par réflexion rasante, spéculaire ou diffuse, de rayons X. Revue de Physique Appliquée (Paris). 1976; 11(1): 113—125. https://doi.org/10.1051/rphysap:01976001101011300; Artioukov I.A., Asadchikov V.E., Kozhevnikov I.V. Effects of a near-surface transition layer on X-ray reflection and scattering. Journal of X-Ray Science and Technology. 1996; 6(3): 223—243. https://doi.org/10.3233/xst-1996-6301; Croce R., Nevot L., Pardo B. Contribution a l’étude des couches minces par réflexion spéculaire de rayons X. Nouvelle Revue d Optique Appliquée. 1972; 3(1): 37—50. https://doi.org/10.1088/0029-4780/3/1/307; Underwood J.H., Barbee T.W. Layered synthetic microstructures as Bragg diffractors for X-rays and extreme ultraviolet: theory and predicted performance. Applied Optics.1981; 20(17): 3027—3034. https://doi.org/10.1364/ao.20.003027; Benediktovitch A., Feranchuk I., Ulyanenkov A. Theoretical concepts of X-ray nanoscale analysis. Theory and applications. Springer; 2014. 318 p. https://doi.org/10.1007/978-3-642-38177-5; Stoev K., Sakurai K. Recent theoretical models in grazing incidence X-ray reflectometry. The Rigaku Journal. 1997; 14(2): 22—37.; Press W.H., Teukolsky S.A., Vetterling W.T., Flannery B.P. Numerical Recipes in C. NY: Cambridge University Press; 1996. 994p.; Афанасьев A.M., Чуев М.А., Имамов P.M., Ломов А.A., Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В. Исследование многослойных структур на основе слоев GaAs-InxGa1-xAs/GaAs методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии. Кристаллография. 1997; 42(3): 514—523.; Wormington M., Panaccione C., Matney K.M., Bowen D.K. Characterization of structures from X-ray scattering data using genetic algorithms. Philosophical Transactions of the Royal Society of London. Series A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. 1999; 357: 2827. https://doi.org/10.1098/rsta.1999.0469; Афанасьев А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука; 1989. 152 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/472

  2. 2
  3. 3
  4. 4
    Academic Journal

    المساهمون: The work was performed with financial support from the Ministry of Science and Education of the Russian Federation as part of the State task for the university No. 3.2794.2017/ PCh, No. 11.5583.2017/ITR (11.5583.2017/7.8), No. 11.6181.2017/ITR (11.6181.2017/7.8), No. 11.9706.2017/ITR (11.9706.2017/7.8) and the Russian Foundation for Basic Research (Grant No. 16−32−50032). X-Ray Diffraction and Scanning Probe Microscopy Studies were Performed at the Materials Science and Metallurgy Joint Use Center of NUST «MISiS»., Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках Государственного задания вузу № 3.2794.2017/ПЧ, № 11.5583.2017/ИТР (11.5583.2017/7.8), № 11.6181.2017/ИТР (11.6181.2017/7.8), № 11.9706.2017/ ИТР (11.9706.2017/7.8) и РФФИ (Грант № 16−32−50032). Исследования образцов методами рентгенодифракционного анализа и сканирующей зондовой микроскопии проведены в ЦКП «Материаловедение и металлургия» на базе НИТУ «МИСиС».

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 2 (2017); 107-114 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 2 (2017); 107-114 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-2

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/307/244; Кузьминов Ю. С. Электрооптический и нелинейно оптический кристалл ниобата лития. М.: Наука, 1987. 264 с.; Abrahams S. C. Properties of lithium niobate. EMIS Datareviews Series No. 5. London: The Institution of Engineers, 1989. 234 p.; Вольпян О. Д., Кузьмичёв А. И. Применение импульсного магнетронного распыления для получения оптических метапокрытий с продольным наноградиентом показателя преломления // Электроника и связь. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». 2010. Вып. 2. С. 28—33.; Zhukov R. N., Ksenich S. V., Bykov A. S., Kiselev D. A., Malinkovich M. D., Parkhomenko Yu. N. Synthesis and properties of the LiNbO3 thin films intended for nanogradient structures // PIERS Proc. 2013. P. 98—101. DOI:10.1143/JJAP.47.4056; Shih W.−Ch., Wang Tz.−L., Sun X.−Y., Wu M.−Sh. Growth of c−axis−oriented LiNbO3 Films on ZnO/SiO2/Si substrate by pulsed laser deposition for surface acoustic wave applications // Jpn. J. Appl. Phys. 2008. V. 47, N 5. P. 4056—4059. DOI:10.1143/JJAP.47.4056; Simoes A. Z., Gonzalez A. H. M., Ries A., Zaghete M. A., Stojanovic B. D., Varela J. A. Influence of thickness on crystallization and properties of LiNbO3 thin films // Materials Characterization. 2003. V. 50. P. 239—244. DOI:10.1016/S1044-5803(03)00089-5; Shandilya S., Sreemvas K., Katiyar R. S., Gupta V. Structural and optical studies on texture LiNbO3 thin film on (0001) sapphire // Indian J. Engineering and Materials Sciences. 2008. V. 15, Iss. 4. P. 355—357.; Jelínek M., Havránek V., Remsa J., Kocourek T., Vincze A., Bruncko J., Studnička V., Rubešová K. Composition, XRD and morphology study of laser prepared LiNbO3 films // Appl. Phys. A. 2013. V. 110, Iss. 4. P. 883—888. DOI:10.1007/s00339-012-7191-0; Hao L., Li Y. , Zhu J. , Wu Z., Deng J. , Liu X., Zhang W. Fabrication and electrical properties of LiNbO3/ZnO/n-Si heterojunction // AIP Advances. 2013. V. 3, Iss. 4. P. 042106−1—042106−15. DOI:10.1063/1.4800705; Блистанов А. А., Гераськин В. В., Гореева Ж. А., Клюхина Ю. В. Определение параметров векторного OOE−синхронизма в LiNbO3 // Кристаллография. 2004. Т. 49, № 2. С. 268—270.; Блистанов А. А., Гераськин В. В., Гореева Ж. А., Клюхина Ю. В. Определение соотношения Li/Nb в кристаллах LiNbO3 по углу внешнего конуса излучения второй гармоники // Изв. РАН. Сер. Физическая. 2003. Т. 67, Вып. 8. С. 1124—1127.; Tikhonravov A. V., Trubetskov M. K., Amotchkina T. V., DeBell G., Pervak V., Krasilnikova Sytchkova A., Grilli M. L., Ristau D. Optical parameters of oxide films typically used in optical coating production // Appl. Opt. 2011. V. 50, N 9. P. C1—C12. DOI:10.1364/AO.50.000C75; Tikhonravov A. V. , Amotchkina T. V., Trubetskov M. K., Francis R. J., Janicki V., Sancho−Parramon J., Zorc H., Pervak V. Optical characterization and reverse engineering based on multiangle spectroscopy // Appl. Optics. 2012. V. 51, N 2. P. 245—254. DOI:10.1364/AO.51.000245; Киселев Д. А., Жуков Р. Н., Быков А. С., Воронова М. И., Щербачев К. Д., Малинкович М. Д., Пархоменко Ю. Н. Влияние отжига на структуру и фазовый состав тонких электрооптических пленок ниобата лития // Неорган. материалы. 2014. Т. 50, № 4. С. 453. DOI:10.7868/S0002337X14040071; Аюпов Б. М., Зарубин И. А., Лабусов В. А., Суляева В. С., Шаяпов В. Р. Поиск первоначального приближения при решении обратных задач в эллипсометрии и спектрофотометрии // Оптический журнал. 2011. Т. 78, № 6. С. 3—9.; Соболев В. В., Немошкаленко В. В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев: Наукова думка, 1988. 424 с.; Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970. 855 c.; Константинова А. Ф., Гречушников Б. Н., Бокуть Б. В., Валяшко Е. Г. Основы оптики. Минск: Навука i тэхнiка, 1995. 302 с.; Химмельблау Д. Прикладное нелинейное программирование. М.: Мир, 1975. 536 c.; Handbook of optical constants of solids / Ed. by E. D. Palik. N.−Y.: Acad. Press, 1998. 804 p.; Lundberg M. The crystal structure of LiNb3O8 // Acta Chemica Scandinavica. 1971. V. 25. P. 3337—3346. DOI:10.3891/acta. chem.scand.25-3337; Muir A. C. Interactions of single−crystal lithium niobate surfaces with ultra−violet laser radiation. Doctoral Thesis. Southampton (UK): University of Southampton, 2008. 227 p. URL: https:// eprints.soton.ac.uk/63325/; https://met.misis.ru/jour/article/view/307

  5. 5
  6. 6
  7. 7
    Academic Journal

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2012); 68-71 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2012); 68-71 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-3

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/45/41; Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. Л. С. Смирнова − Новосибирск : Наука, 1977. − 256 с.; Morozov, N. P. Radiation defect formation at ion implantation of semiconductors in the presence of force−fields / N. P. Morozov, D. I. Tetelbaum // Phys. status solidi (a). − 1979. − V. 51. − P. 629—640.; Акимов, А. Г. Управляемый резистор с функциями полевого транзистора и полевого датчика Холла / А. Г. Акимов,М. Ю. Барабаненков, В. Н. Мордкович // Приборы и техника эксперимента. − 1988. − № 5. − С. 123—128.; Щербачев, К. Д. Применение трехкристальной рентгеновской дифрактометрии для исследования ионоимплантированных слоев / К. Д. Щербачев, А. В. Курипятник, В. Т. Бублик // Заводская лаборатория. − 2003. − № 6. − С. 23—31.; Wie, C. R. Dynamical X−ray diffraction from nonuniform crystalline films: Application to X−ray rocking curve analysis / C. R. Wie, T. A. Tombrello, T. Vreeland // J. Appl. Phys. − 1986. − V. 59. − P. 3743—3746.; Кривоглаз, М. А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах / М. А. Кривоглаз. − Киев : Наукова думка, 1983. − 407 с.; Servidory, M. Analysis of (n,−n) and (n, −n, n) X−ray rocking curves of processed silicon / M. Servidory, R. Fabri // J. Phys. B: Appl. Phys. − 1993. − V. 26. − P. A22—A28.; Goldberg, R. D. Secondary defect formation in self−ion irradiated silicon / R. D. Goldberg, T. W. Simpson, I. V. Mitchell, P. J. Simpson, M. Prikryl, G. C. Weatherly // Nucl. Instrum. And Meth. in Phys. Res. B. − 1995. − V. 106. − P. 216—221.; Gartner, K. Energy dependence of dechanneling due to dislocation loops / K. Gartner, A. Uguzzoni // Ibid. − 1992. − V. 67. − P. 189—193.; Gartner, K. Axial dechanneling in compound crystals with point defects and defect analysis by RBS / K. Gartner // Ibid. − 1997. − V. 132. − P. 147—158.; Lyndard, J. Influence of crystal lattice on motion of energetic charged particles / J. Lyndard, K. Dan Vid Selsk // Mat. Fys. Medd. − 1965. − V. 34, N 14. − P. 1—65.; Bonderup, E. Calculations on axial dechanneling / E. Bonderup, H. Esbensen, J. U. Andersen, H. E. Schitt // Radiat. Effects. − 1972. − V. 12. − P. 261—266.; Щербачев, К. Д. Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур «кремний−на−изоляторе» К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, В. Н. Мордкович, Д. М. Пажин // Физика и техника полупроводников. − 2011. − Т. 45, № 6. − С. 754—758.; https://met.misis.ru/jour/article/view/45

  8. 8
    Academic Journal

    المساهمون: Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Министерства науки и образования Российской Федерации (государственныйконтракт от 16 марта 2012 г. № 12.527.12.3001)

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2013); 46-50 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2013); 46-50 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2013-3

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/75/68; Guter, W. W. Current−matched triple junction solar cell reaching 41,1 % conversion efficiency under contrated sunlight / W. W. Guter, J. Schone, S. P. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A. W. Bett, F. Dimroth // Appl. Phys. Lett. − 2009. − V. 94, Iss. 22. − P. 223504.; Law, D. C. Future technology pathways of terrestrial III–V multijunction solar cells for concentrator photovoltaic systems / D. C. Law, R. R. King, H. Yoon, M. J. Archer, A. Boca, C. M. Fetzer, D. Mesropian, T. Isshiki, M. Haddad, K. M. Edmondson, D. Bhusari, J. Yen, R. A. Sherif, H. A. Atwater, N. H. Karam // Sol. Energy Mater. and Sol. Cells. − 2010. − V. 94, N 8. − P. 1314—1318.; Newman, F. D. Optimization of inverted metamorphic multijunction solar cells for field−deployed concentrating PV systems/ F. D. Newman, D. J. Aiken, P. M. Patel, D. R. Chumney, I. Aeby, R. W. Hoffman, P. R. Sharps // Proc. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. − Philadelphia (PA), 2009. − P. 001611.; Lantratov, V. M. Vysokoeffektivnye dvuhperehodnye GaInP/GaAs solnechnye elementy, poluchennye metodom MOS−gidridnoi epitaksii / V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyi, S. A. Mintairov, N. H. Timoshina, M. Z. Shvarc, V. M. Andreev // FTP. − 2007. − T. 41, Iss. 6. − P. 751—755.; Fraas, I. Demonstration of a 33 % efficient Cassegrainian solar modul / I. Fraas, J. Avery, H. Huang, L. Minkin, E. Shifman // Proc. IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion. − Hawaii, 2006.; Barnett, A. Very high efficiency solar cell modules / A. Barnett, D. Kirkpatrick, C. Honsberg, D. Moore, M. Wanlass, K. Emery, R. Schwartz, D. Carlson, S. Bowden, D. Aiken, A. Gray, S. Kurtz, L. Kazmerski, M. Steiner, J. Gray, T. Davenport, R. Buelow, L. Takacs, N. Shatz, J. Bortz, O. Jani, K. Goossen, F. Kiamilev, A. Doolittle, I. Ferguson, B. Unger, G. Schmidt, E. Christensen, D. Salzman // Progr. Photovolt.: Res. Appl. − 2009. − V. 17, N 1. − P. 75.; Groβ, B. Highly efficient light splitting photovoltaic receiver / B. Groβ, G. Peharz, G. Siefer, M. Peters, J. S. Goldschmidt, M. Steiner, W. Guter, V. Klinger, B. George, F. Dimroth // Proc. 24th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. − Hamburg, 2009. − P. 130.; Wang, X. Outdoor Measurements for High Efficiency Solar Cell Assemblies / X. Wang, N. Wait, P. Murcia, K. Emery, M. Steiner, F. Kiamilev, K. Goossen, C. Honsberg, A. Barnett // Ibid. − Hamburg, 2009. − P. 811.; Hvostikov, V. P. Vysokoeffektivnyi (eta = 39,6 %, AM 1.5D) kaskad fotopreobrazovatelei v sisteme so spektral’nym rasshepleniem solnechnogo izlucheniya / V. P. Hvostikov, A. S. Vlasov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, N. H. Timoshina, M. Z. Shvarc, V. M. Andreev // FTP. − 2011. − T. 45, Iss. 6. − P. 810—815.; Barnett, A. Initial test bed for very high efficiency solar cells / A. Barnett, X. Wang, N. Waite, P. Murcia, C. Honsberg, D. Kirkpatrick, D. Laubacher, F. Kiamilev, K. Goossen, M. Wanlass, M. Steiner, R. Schwartz, J. Gray, A. Gray, P. Sharps, K. Emery, L. Kaz merski // Proc. IEEE Photovoltaic Specialists Conf. − San Diego, 2008. − P. 1563.; Khvostikov, V. P. Single−junction solar cells for spectrum splitting PV system / V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, A. S. Vlasov, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev // Proc. 25th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. − Valencia, 2010. − P. 167—171.; Brown, G. F. Finite element simulations of compositionally graded InGaN solar cells / G. F. Brown, J. W. Ager, W. Walukiewicz, J. Wu // Sol. Energy Materials and Sol. Cells. − 2010. − V. 94, Iss. 3. − P. 478—483.; Shen, X. Simulation of the InGaN-based tandem solar cells / X. Shen, S. Lin, F. Li, Y. Wei, S. Zhong, H. Wan, J. Li // Proc. SPIE 7045. Photovoltaic Cell and Module Technologies II, 70450E. − 2008.; Semiconductors on NSM // http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/; https://met.misis.ru/jour/article/view/75

  9. 9
    Academic Journal

    المساهمون: Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (государственный контракт № 14.513.11.0006)

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2013); 54-59 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2013); 54-59 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2013-3

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/79/72; Al’shic, V. I. Magnitoplasticheskii effekt: osnovnye svoistva i fizicheskie mehanizmy / V. I. Al’shic, E. V. Darinskaya, M. V. Koldaeva, E. A. Petrzhik // Kristallografiya. − 2003. − T. 48, N 5. − P. 838—867.; Golovin, Yu. I. Magnitoplastichnost’ tverdyh tel / Yu. I. Golovin. − M. : Mashinostroenie−1, 2003. − 107 p. 3. Morgunov R. B. Spinovaya mikromehanika v fizike plastichnosti / R. B. Morgunov //UFN. − 2004. − T. 174, N 2. − P. 131—153.; Golovin, Yu. I. Vliyanie magnitnogo polya na plastichnost’, foto− i elektrolyuminescenciyu monokristallov ZnS / Yu. I. Golovin, R. B. Morgunov, A. A. Baskakov, M. V. Badylevich, S. Z. Shmurak // PZhETF. − 2004. − T. 69, vyp. 2 − P. 114—118.; Golovin, Yu. I. Vliyanie magnitnogo polya na intensivnost’ elektrolyuminescencii monokristallov ZnS / Yu. I. Golovin, R. B. Morgunov, A. A. Baskakov, S. Z. Shmurak // FTT. − 1999. − T. 41, N 11. − P. 1944—1947.; Koplak, O. V. Magnitomehanicheskii effekt v pripoverhnostnyh sloyah kremniya Cz−Si /O. V. Koplak, A. I. Dmitriev, R. B. Morgunov // FTT. − 2012. − T. 54, Iss. 7. − P. 1350—1355.; Makara, V. A. Vliyanie slabogo magnitnogo polya na mikromehanicheskie i elektrofizicheskie harakteristiki kremniya dlya solnechnoi energetiki / V. A. Makara, O. A. Korotchenkov, L. P. Steblenko, A. A. Podolyan, D. V. Kalinichenko // FTP. − 2013. − T. 47, Iss. 5. − P. 652—657.; Lee, J. D. Magnetic field effects on the surface morphology of Mn−oxide / J. D. Lee, H. S. Kim, S. Y. Jeong, K. H. Kim, J. J. Lee, B. Y. Ahn, S. I. Kim // J. Korean Phys. Soc. − 2007. − V. 51, N 3. − P. 1109—1112.; Kim, J.−S. The effect of an applied magnetic field on the (111) texture of a NiFe layer for perpendicular magnetic recording media / J.−S. Kim, S.−H. Na, S.−K. Lim // J. Korean Phys. Soc. − 2012. − V. 61, N 1. − P. 93—96.; Chibirova, F. Kh. Magnetic effects in Co3−Xo4 defect films from the data of emission Mössbauer spectroscopy / F. Kh. Chibirova // Phys. solid state. − 2001. − V. 43, N 7. − P. 1291—1298.; Chibirova, F. H. Osobennosti perestroiki defektnoi struktury magnetita v vihrevom magnitnom pole po dannym messbauerovskoi spektroskopii / F. H. Chibirova // ZhFH. − 2008. − T. 82, N 9. − P. 1—3.; Grosvenor, A. P. Investigation of multiplet splitting of Fe 2p XPS spectra and bonding in iron compounds / A. P. Grosvenor, B. A. Kobe, M. C. Biesinger, N. S. McIntyre // Surf. Interface Anal. − 2004. − V. 36. − P. 1564—1574.; Grosvenor, A. P. Studies of the oxidation of iron by water vapour using X−ray photoelectron spectroscopy and QUASES / A. P. Grosvenor, B. A. Kobe, N. S. McIntyre // Surf. Sci. − 2004. − V. 572. − P. 217—227.; Stervoedov, A. N. Osobennosti primeneniya rentgenovskoi fotoelektronnoi spektroskopii dlya opredeleniya tolshiny ul’tratonkih plenok / A. N. Stervoedov, V. M. Beresnev, N. V. Sergeeva // FIP FIP PSE. − 2010. − T. 8, N 1. − P. 88—92.; Mohai, M. Calculation of overlayer thickness on curved surfaces based on XPS intensities / M. Mohai, I. Bertoti / Surf. Interface Anal. − 2004. − V. 36. − P. 805—808.; Tanuma, S. Calculations of electron inelastic mean free paths for 31 materials / S. Tanuma, C. J. Powell, D. R. Penn // Ibid. − 1988. − V. 11. − P. 577—589.; https://met.misis.ru/jour/article/view/79

  10. 10
  11. 11
  12. 12
  13. 13
  14. 14
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
  19. 19
  20. 20