المؤلفون: Yiting Li, Qianglong Fang, Yang Shen, Shuqin Zhang, Xiaodong Yang, Lanzhi Ye, Liang Chen

المصدر: Processes; Volume 10; Issue 4; Pages: 625

مصطلحات موضوعية: Al 0 . 5 Ga 0 . 5 N nanowires, interstitial defect, vacancy defect, electronic structure

جغرافية الموضوع: agris

وصف الملف: application/pdf

Relation: Materials Processes; https://dx.doi.org/10.3390/pr10040625

الاتاحة: https://doi.org/10.3390/pr10040625