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1Book
المؤلفون: Meneghini M., Chowdhury S., Derluyn J., Medjdoub F., Ji D., Chun J., Kabouche R., De Santi C., Zanoni E., Meneghesso G.
المساهمون: Meneghini, M., Chowdhury, S., Derluyn, J., Medjdoub, F., Ji, D., Chun, J., Kabouche, R., De Santi, C., Zanoni, E., Meneghesso, G.
وصف الملف: STAMPA
Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/isbn/978-3-030-79826-0; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/isbn/978-3-030-79827-7; ispartofbook:Springer Handbook of Semiconductor Devices; firstpage:525; lastpage:578; numberofpages:54; https://hdl.handle.net/11577/3471038; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85142114474; https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-030-79827-7_15
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2Conference
المؤلفون: Kabouche, R., Harrouche, K., Okada, Etienne, Medjdoub, F
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Renatech Network, PCMP CHOP, ANR-17-ASTR-0007,COMPACT,Compréhension et optimisation des phénomènes de pièges dans le cadre du développement de la prochaine génération de composants de puissance à base de GaN fonctionnant au-delà de 30 GHz(2017)
المصدر: 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2020)
https://hal.science/hal-03044147
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2020), Apr 2020, Dallas, TX, United States. pp.1-6, ⟨10.1109/IRPS45951.2020.9129322⟩مصطلحات موضوعية: GaN, HEMTs, output power density (Pout), power added efficiency (PAE), Q-band, on-wafer short-term reliability, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
جغرافية الموضوع: Dallas, TX, United States
Relation: hal-03044147; https://hal.science/hal-03044147; https://hal.science/hal-03044147/document; https://hal.science/hal-03044147/file/2020-IRPS-Abstract-final.pdf; WOS: 000612717200137
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3Conference
المؤلفون: Tajalli, A, MENEGHINI, M., Kabouche, R, Abid, I, Zegaoui, M., Püsche, R, Derluyn, J, Degroote, S, Germain, Marie, Medjdoub, F., Meneghesso, G.
المساهمون: Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione Padova (DEI), Universita degli Studi di Padova, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire de physique subatomique et des technologies associées (SUBATECH), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom Paris (IMT)-Institut Mines-Télécom Paris (IMT)
المصدر: 2019 WOCSDICE proceeding
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356881
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, cabourg, Franceمصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Relation: hal-02356881; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356881; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356881/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356881/file/Wocsdice_abs_final.pdf
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4Conference
المؤلفون: Harrouche, K., Kabouche, R, Zegaoui, M., Medjdoub, F.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: 2019 WOCSDICE proceeding
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356889
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, cabourg, Franceمصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Relation: hal-02356889; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356889; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356889/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356889/file/papier%20wocsdice%20Kathia.pdf
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5Conference
المؤلفون: Kabouche, R, Abid, I, Zegaoui, M., Cheng, K, Medjdoub, F.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: 2019 CS MANTECH proceeding
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, CS MANTECH 2019
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356891
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, CS MANTECH 2019, Apr 2019, Minneapolis, United Statesمصطلحات موضوعية: GaN power devices, trapping, high voltage, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
جغرافية الموضوع: Minneapolis, United States
Relation: hal-02356891; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356891; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356891/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356891/file/2019_CS_MANTECH_Medjdoub_final.pdf
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6Conference
المؤلفون: Abid, I, Kabouche, R, Zegaoui, M., Bougerol, C., Comyn, R., Cordier, Y., Medjdoub, F.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (. - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
المصدر: 2019 WOCSDICE proceeding
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356886
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, Franceمصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Relation: hal-02356886; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356886; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356886/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356886/file/wocsdice_final.pdf
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7Conference
المؤلفون: Rzin, M, Meneghini, M, Rampazzo, F, Gao Zhan, V, De Santi, C, Kabouche, R, Zegaoui, M, Medjdoub, F, Meneghesso, G, Zanoni, E
المساهمون: Department of Information Engineering Padova (DEI), Universita degli Studi di Padova, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: 2019 ESREF proceeding
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03048726
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Sep 2019, Toulouse, Franceمصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-03048726; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03048726; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03048726/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03048726/file/ESREF_2019_VF.pdf
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8Academic Journal
المؤلفون: Chikoidze, E., Tchelidze, T., Sartel, C., Chi, Z., Kabouche, R., Madaci, I., Rubio, C., Mohamed, H., Sallet, V., Medjdoub, F, Perez-Tomas, A., Dumont, Y.
المساهمون: Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ivane Javakhishvili Tbilisi State University (TSU), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), ICN2 - Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia (ICN2), Universitat Autònoma de Barcelona = Autonomous University of Barcelona = Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), National Research Centre - NRC (EGYPT), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Fondo Europeo de Desarrollo Regional (FEDER) under contract ENE2015-74275-JIN, PCMP CHOP
المصدر: ISSN: 2542-5293 ; Materials Today Physics ; https://hal.science/hal-02984814 ; Materials Today Physics, 2020, 15, 100263, 9 p. ⟨10.1016/j.mtphys.2020.100263⟩.
مصطلحات موضوعية: Ultra-wide band gap, MOCVD growth, p type β-Ga2O3, Electrical properties, Critical Electrical field, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-02984814; https://hal.science/hal-02984814; https://hal.science/hal-02984814/document; https://hal.science/hal-02984814/file/2020%20Chikoidze%20High%20electric%20field%20-HAL.pdf
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9Academic Journal
المؤلفون: Chikoidze, Ekaterine, Tchelidze, Tamar, Sartel, Corinne, Chi, Zeyu, Kabouche, R., Madaci, Ismail, Rubio, Carles, Mohamed, Hagar, Sallet, Vincent, Medjdoub, Farid, Perez-Tomas, Amador, Dumont, Yves.
مصطلحات موضوعية: Ultra-wide band gap, MOCVD growth, P type β-Ga₂O₃, Electrical properties, Critical electrical field
وصف الملف: application/pdf
Relation: Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2017-0706; Ministerio de Economía y Competitividad ENE2015-74275-JIN; Materials today physics; Vol. 15 (Dec. 2020), art. 100263; https://ddd.uab.cat/record/233971; urn:10.1016/j.mtphys.2020.100263; urn:oai:ddd.uab.cat:233971; urn:scopus_id:85090740614; urn:articleid:25425293v15p100263; urn:icn2uab:6384234
الاتاحة: https://ddd.uab.cat/record/233971
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10Conference
المؤلفون: Pecheux, R, Kabouche, R, Zegaoui, M., Chen, J, Kordina, O, Medjdoub, F.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356908
9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop, Oct 2018, Harwell, Irelandمصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Relation: hal-02356908; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356908; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356908/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356908/file/ESA%20full%20paper.pdf
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11Conference
المؤلفون: Kabouche, R., Derluyn, J., Pusche, R., Degroote, S., Germain, M., Pecheux, R., Okada, E., Zegaoui, M., Medjdoub, F.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)
المصدر: 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2018)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356753
13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2018), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.5-8, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539962⟩مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
جغرافية الموضوع: Spain
Time: Madrid, Spain
Relation: hal-02356753; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356753; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356753/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356753/file/paper_eumw_2018.pdf
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12Conference
المؤلفون: Pecheux, R., Kabouche, R., Okada, E., Zegaoui, M., Medjdoub, F.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thalès Optronique, Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)
المصدر: International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits (INMMIC 2018) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356756 ; International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits (INMMIC 2018), Jul 2018, Brive La Gaillarde, France. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMIC.2018.8430021⟩
مصطلحات موضوعية: high electron mobility transistors (HEMTs), GaN, Carbon doped, output power density and power added efficiency (PAE), [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
جغرافية الموضوع: Brive La Gaillarde, France
Relation: hal-02356756; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356756; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356756/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356756/file/inmmic.pdf
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13Academic Journal
المؤلفون: Rzin, M., MENEGHINI, M., Rampazzo, F., Gao Zhan, V, De Santia, C, Kabouche, R., Zegaoui, M., Medjdoub, F., Meneghesso, G., Zanoni, E.
المساهمون: Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione Padova (DEI), Universita degli Studi di Padova, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: ISSN: 0026-2714 ; Microelectronics Reliability ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356749 ; Microelectronics Reliability, Elsevier, 2019, 100-101, pp.113388. ⟨10.1016/j.microrel.2019.06.080⟩.
مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Relation: hal-02356749; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356749; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356749/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356749/file/MR_2019_IEMN.pdf
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14Conference
المؤلفون: Pecheux, R, Kabouche, R, Dogmus, E, Linge, A, Zegaoui, M, Medjdoub, F
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Renatech Network
المصدر: Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE2017 ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03298883 ; Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE2017, May 2017, Las Palmas de Gran Canaria, Spain ; https://wocsdice2017.iuma.ulpgc.es/
مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
جغرافية الموضوع: Las Palmas de Gran Canaria, Spain
Relation: hal-03298883; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03298883; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03298883/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03298883/file/wocsdice_final.pdf
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15Conference
المؤلفون: Gao Z., Meneghini M., Harrouche K., Kabouche R., Chiocchetta F., Okada E., Rampazzo F., De Santi C., Medjdoub F., Meneghesso G., Zanoni E.
المساهمون: Gao, Z., Meneghini, M., Harrouche, K., Kabouche, R., Chiocchetta, F., Okada, E., Rampazzo, F., De Santi, C., Medjdoub, F., Meneghesso, G., Zanoni, E.
مصطلحات موضوعية: AINIGaN HEMT, breakdown mechanism, electric field, radio frequency, reliability, stress
Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/isbn/978-1-7281-6169-3; ispartofbook:Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA; 2020 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA 2020; volume:2020-; firstpage:1; lastpage:6; numberofpages:6; http://hdl.handle.net/11577/3365271; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85098148111
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16Academic Journal
المؤلفون: Gao Z. H., Meneghini M., Harrouche K., Kabouche R., Chiocchetta F., Okada E., Rampazzo F., De Santi C., Medjdoub F., Meneghesso G., Zanoni E.
المساهمون: Gao, Z. H., Meneghini, M., Harrouche, K., Kabouche, R., Chiocchetta, F., Okada, E., Rampazzo, F., De Santi, C., Medjdoub, F., Meneghesso, G., Zanoni, E.
مصطلحات موضوعية: AlN/GaN HEMT, Breakdown mechanism, Electric field, Reliability, Stress
Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000687714300002; volume:123; firstpage:114199; journal:MICROELECTRONICS RELIABILITY; http://hdl.handle.net/11577/3398483; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85110152103
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17Academic Journal
المؤلفون: Tajalli A., Borga M., Meneghini M., Santi C. D., Benazzi D., Besendorfer S., Pusche R., Derluyn J., Degroote S., Germain M., Kabouche R., Abid I., Meissner E., Zanoni E., Medjdoub F., Meneghesso G.
المساهمون: Tajalli, A., Borga, M., Meneghini, M., Santi, C. D., Benazzi, D., Besendorfer, S., Pusche, R., Derluyn, J., Degroote, S., Germain, M., Kabouche, R., Abid, I., Meissner, E., Zanoni, E., Medjdoub, F., Meneghesso, G.
مصطلحات موضوعية: Buffer trapping effect, Gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs), Vertical breakdown voltage
Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/pmid/31963553; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000514309100100; volume:11; issue:1; firstpage:101; journal:MICROMACHINES; http://hdl.handle.net/11577/3329665; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85079121232; https://res.mdpi.com/d_attachment/micromachines/micromachines-11-00101/article_deploy/micromachines-11-00101.pdf
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18Academic Journal
المؤلفون: Tajalli A., Meneghini M., Besendorfer S., Kabouche R., Abid I., Pusche R., Derluyn J., Degroote S., Germain M., Meissner E., Zanoni E., Medjdoub F., Meneghesso G.
المساهمون: Tajalli, A., Meneghini, M., Besendorfer, S., Kabouche, R., Abid, I., Pusche, R., Derluyn, J., Degroote, S., Germain, M., Meissner, E., Zanoni, E., Medjdoub, F., Meneghesso, G.
مصطلحات موضوعية: GaN, High-electron-mobility transistor (HEMT), Trapping effect back-gating analysis
Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/pmid/32992721; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000586536400001; volume:13; issue:19; firstpage:4271; journal:MATERIALS; http://hdl.handle.net/11577/3365265
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19Conference
المؤلفون: Abid, I., Kabouche, R., Medjdoub, F., Besendörfer, S., Meissner, E., Derluyn, J., Degroote, S., Germain, M., Miyake, H.
Time: 670, 620, 530
Relation: International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 2020; 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020. Proceedings; https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/409538
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20Academic Journal
المؤلفون: Kabouche R., Abid I., Pusche R., Derluyn J., Degroote S., Germain M., Tajalli A., Meneghini M., Meneghesso G., Medjdoub F.
المساهمون: Kabouche, R., Abid, I., Pusche, R., Derluyn, J., Degroote, S., Germain, M., Tajalli, A., Meneghini, M., Meneghesso, G., Medjdoub, F.
مصطلحات موضوعية: GaN, low on-resistance, low trapping effect, silicon, superlattices
Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000495491100001; firstpage:1900687; journal:PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE; http://hdl.handle.net/11577/3329687; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85074830684; http://onlinelibrary.wiley.com/journal/10.1002/(ISSN)1862-6319