المؤلفون: Dai-Jie Lin, Jhih-Yuan Yang, Chih-Kang Chang, Jian-Jang Huang

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 59-64 (2022)

مصطلحات موضوعية: GaN, high-electron mobility transistors (HEMTs), dual-gate structure, current collapse, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/9634172/; https://doaj.org/toc/2168-6734

URL الوصول: https://doaj.org/article/b6f9aa28ceb54898907200cd5ee12d2d

المؤلفون: Jhih-yuan yang, 楊志源

Thesis Advisors: Wen-pei tseng, Ya-wen chen, 曾文培, 陳雅雯

وصف الملف: 68

الاتاحة: http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/42155605087090358810

المؤلفون: 楊志源(Jhih-Yuan Yang), 曾文培(Wen-Pei Tseng), 陳雅雯(Ya-Wen Chen), 劉興華(Shing-Hwa Liu4)

المساهمون: 醫學院醫學系學士班生理學科

Relation: 第 24 屆 生物醫學聯合學術年會; http://ir.cmu.edu.tw/ir/handle/310903500/21127

الاتاحة: http://ir.cmu.edu.tw/ir/handle/310903500/21127