يعرض 1 - 20 نتائج من 54 نتيجة بحث عن '"Jamba, D. M."', وقت الاستعلام: 0.57s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    Molecular beam epitaxial growth and performance of integrated two-color HgCdTe detectors operating in the mid-wave infrared band

    المؤلفون: Rajavel, R. D., Jamba, D. M., Jensen, J. E., Wu, O. K., Le Beau, C., Wilson, J. A., Patten, E., Kosai, K., Johnson, J., Rosbeck, J., Goetz, P., Johnson, S. M.

    المصدر: Journal of Electronic Materials ; volume 26, issue 6, page 476-481 ; ISSN 0361-5235 1543-186X

    الاتاحة: https://doi.org/10.1007/s11664-997-0180-y
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-997-0180-y.pdf
    http://link.springer.com/article/10.1007/s11664-997-0180-y/fulltext.html
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-997-0180-y

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Academic Journal
    Range and shape factors, damage, regrowth, and redistribution for Ag implants in (100) and (111) Si.

    المؤلفون: Wilson, R. G., Jamba, D. M., Sadana, D. K., Hopkins, C. G.

    المصدر: Journal of Applied Physics. 2/15/1987, Vol. 61 Issue 4, p1355. 4p. 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 6 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *SILICON, *ANNEALING of metals


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    Academic Journal
    Atom and acceptor depth distributions for aluminum channeled in silicon as a function of ion energy and crystal orientation.

    المؤلفون: Wilson, R. G., Jamba, D. M., Chu, P. K., Hopkins, C. G., Hitzman, C. J.

    المصدر: Journal of Applied Physics. 10/15/1986, Vol. 60 Issue 8, p2806. 4p. 9 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *SILICON, *ALUMINUM, *SECONDARY ion mass spectrometry


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    Academic Journal
    Unannealed and annealed depth distributions of mercury implanted into silicon.

    المؤلفون: Wilson, R. G., Jamba, D. M., Hopkins, C. G., Norberg, J. C.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Jan1984, Vol. 55 Issue 2, p327-330, 4p


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    Academic Journal
    Depth distributions of sulfur implanted into GaAs as a function of ion energy, ion fluence, and annealing temperature and encapsulation.

    المؤلفون: Wilson, R. G., Jamba, D. M., Deline, V. R., Evans, C. A., Park, Y. S.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Jul1983, Vol. 54 Issue 7, p3849-3854, 6p


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    Academic Journal
    Thermal Emission Microscope Studies of Cesium Surface Ionization on Porous Refractory Metals.

    المؤلفون: Jamba, D. M., Husmann, O. K.

    المصدر: Journal of Applied Physics; May1967, Vol. 38 Issue 6, p2630-2639, 10p


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    Academic Journal
    Mg and Be Ion Implanted GaAs.

    المؤلفون: Hunsperger, R. G., Wilson, R. G., Jamba, D. M.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Mar1972, Vol. 43 Issue 3, p1318-1320, 3p


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    Academic Journal
    Integrated multi-sensor system for real-time monitoring and control of HgCdTe MBE

    المؤلفون: Olson, G. L., Roth, J. A., Brewer, P. D., Rajavel, R. D., Jamba, D. M., Jensen, J. E., Johs, B.

    المصدر: Journal of Electronic Materials ; volume 28, issue 6, page 749-755 ; ISSN 0361-5235 1543-186X

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1007/s11664-999-0065-3
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-999-0065-3.pdf
    http://link.springer.com/article/10.1007/s11664-999-0065-3/fulltext.html
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-999-0065-3

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    Academic Journal
    Molecular beam epitaxial growth and performance of HgCdTe-based simultaneous-mode two-color detectors

    المؤلفون: Rajavel, R. D., Jamba, D. M., Jensen, J. E., Wu, O. K., Brewer, P. D., Wilson, J. A., Johnson, J. L., Patten, E. A., Kosai, K., Caulfield, J. T., Goetz, P. M.

    المصدر: Journal of Electronic Materials ; volume 27, issue 6, page 747-751 ; ISSN 0361-5235 1543-186X

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1007/s11664-998-0047-x
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-998-0047-x.pdf
    http://link.springer.com/article/10.1007/s11664-998-0047-x/fulltext.html
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-998-0047-x

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    Academic Journal
    Measurement of lattice damage caused by ion-implantation doping of semiconductors †

    المؤلفون: Hunsperger, R. G., Wolf, E. D., Shifrin, G. A., Marsh, O. J., Jamba, D. M.

    المصدر: Radiation Effects ; volume 9, issue 1-2, page 133-138 ; ISSN 0033-7579

    الاتاحة: https://doi.org/10.1080/00337577108242045
    http://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/00337577108242045

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  11. 11
    Academic Journal
    High Performance HgCdTe-Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy

    المؤلفون: Rajavel, R. D., Jamba, D. M., Jensen, J. E., Wu, O. K., Cockrum, C. A., Wilson, J. A., Patten, E. A., Kosai, K., Rosbeck, J., Goetz, P., Venzor, G.

    المصدر: MRS Proceedings ; volume 450 ; ISSN 0272-9172 1946-4274

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1557/proc-450-257
    https://www.cambridge.org/core/services/aop-cambridge-core/content/view/S1946427400205770

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  12. 12
    Academic Journal
    HgCdTe molecular beam epitaxy technology: A focus on material properties

    المؤلفون: Wu, Owen K., Jamba, D. M., Kamath, G. S., Chapman, G. R., Johnson, S. M., Peterson, J. M., Kosai, K., Cockrum, C. A.

    المصدر: Journal of Electronic Materials ; volume 24, issue 5, page 423-429 ; ISSN 0361-5235 1543-186X

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1007/bf02657943
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/BF02657943.pdf
    http://link.springer.com/article/10.1007/BF02657943/fulltext.html
    http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/BF02657943

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  13. 13
    Report
    Measurement of lattice damage caused by ion-implantation doping of semiconductors.

    المؤلفون: Hunsperger, R. G, Wolf, E. D, Shifrin, G. A, Marsh, O. J, Jamba, D. M

    مصطلحات موضوعية: Physics, Solid-State

    URL الوصول: https://ntrs.nasa.gov/citations/19720044409

    View record in NASA Technical Reports

    أضف إلى المفضلة
  14. 14
    Report
    Thermal emission microscope studies of cesium surface ionization on porous refractory metals.

    المؤلفون: Husmann, O. K, Jamba, D. M

    المصدر: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS.

    مصطلحات موضوعية: Physics, Atomic, Molecular, And Nuclear

    URL الوصول: https://ntrs.nasa.gov/citations/19670054330

    View record in NASA Technical Reports

    أضف إلى المفضلة
  15. 15
    Report
    Ion-microscope studies of cesium surface ionization on porous refractory metals.

    المؤلفون: Husmann, O. K, Jamba, D. M

    مصطلحات موضوعية: Physics, Plasma

    URL الوصول: https://ntrs.nasa.gov/citations/19660043796

    View record in NASA Technical Reports

    أضف إلى المفضلة
  16. 16
    Report
    Influence of residual gas atmosphere in space chambers on neutral efflux and critical temperature of tungsten ionizers.

    المؤلفون: Denison, D. R, Husmann, O. K, Jamba, D. M

    مصطلحات موضوعية: Propulsion Systems

    URL الوصول: https://ntrs.nasa.gov/citations/19660042488

    View record in NASA Technical Reports

    أضف إلى المفضلة
  17. 17
    Report
    The influence of the residual gas atmosphere in space chambers on the neutral efflux and critical temperature of tungsten ionizers

    المؤلفون: Denison, D. R, Husmann, O. K, Jamba, D. M

    مصطلحات موضوعية: Propellants

    URL الوصول: https://ntrs.nasa.gov/citations/19640022810

    View record in NASA Technical Reports

    أضف إلى المفضلة
  18. 18
    Report
    Differential capacitance-voltage profiling of Schottky barrier diodes for measuring implanted depth distributions in silicon

    المؤلفون: Wilson, R G, Jamba, D M

    الاتاحة: http://dx.doi.org/10.6028/nbs.sp.400-71

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  19. 19
    Academic Journal
    Molecular beam epitaxial growth and properties of short-wave infrared Hg0.3Cd0.7Te films.

    المؤلفون: Rajavel, R. D., Wu, O. K., Jamba, D. M., de Lyon, T. J.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1996, Vol. 14 Issue 3, p2362-2365, 4p


    أضف إلى المفضلة
  20. 20
    Periodical
    Status of HgCdTe-MBE technology for producing dual-band infrared detectors

    المؤلفون: Rajavel, R. D., Brewer, P. D., Jamba, D. M., Jensen, J. E., LeBeau, C., Olson, G. L., Roth, J. A., Williamson, W. S., Bangs, J. W., Goetz, P.

    المصدر: Journal of Crystal Growth; 2000, Vol. 214 Issue: 1 p1100-1105, 6p


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء