المؤلفون: Batude, P., Fenouillet-Beranger, C., Pasini, L., Lu, V., Deprat, F., Brunet, L., Sklenard, B., Piegas-Luce, F., Cassé, M., Mathieu, B., Billoint, O., Cibrario, G., Turkyilmaz, O., Sarhan, H., Thuries, S., Hutin, L., Sollier, S., Widiez, J., Hortemel, L., Tabone, C., Samson, M. P., Previtali, B., Rambal, N., Ponthenier, F., Mazurier, J., Beneyton, R., Bidaud, M., Josse, E., Petitprez, E., Rozeau, O., Rivoire, M., Euvard-Colnat, C., Seignard, A., Fournel, F., Benaissa, L., Coudrain, P., Leduc, P., Hartmann, J.M., Besson, P., Kerdiles, S., Bout, C., Nemouchi, F., Royer, A., Agraffeil, C., Ghibaudo, G., Signamarcheix, T., Haond, M., Clermidy, F., Faynot, O., Vinet, M.

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics, ANR-10-EQPX-0030,FDSOI11,Plateforme FDSOI pour le node 11nm(2010), European Project: 619325,EC:FP7:ICT,FP7-ICT-2013-11,COMPOSE3(2013)

المصدر: 2015 VLSI-Technology Technical Digest
2015 IEEE Symposium on VLSI Technology
https://hal.science/hal-02049760
2015 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2015, Kyoto, Japan. pp.T48-T49, ⟨10.1109/VLSIT.2015.7223698⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: Kyoto, Japan

Time: Kyoto, Japan

Relation: info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/619325/EU/Compound Semiconductors for 3D integration/COMPOSE3

الاتاحة: https://hal.science/hal-02049760
https://doi.org/10.1109/VLSIT.2015.7223698

المؤلفون: Brunet, L., Batude, P., Fenouillet-Beranger, C., Besombes, P., Hortemel, L., Ponthenier, F., Previtali, B., Tabone, C., Royer, A., Agraffeil, C., Euvrard-Colnat, C., Seignard, A., Morales, C., Fournel, F., Benaissa, L., Signamarcheix, T., Besson, P., Jourdan, M., Kachtouli, R., Benevent, V., Hartmann, J.-M., Comboroure, C., Allouti, N., Posseme, N., Vizioz, C., Arvet, C., Barnola, S., Kerdiles, S., Baud, L., Pasini, L., Lu, C.-M. V., Deprat, F., Toffoli, A., Romano, G., Guedj, C., Delaye, V., Boeuf, F., Faynot, O., Vinet, M.

المصدر: 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology ; page 1-2

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/vlsit.2016.7573428
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7569798/7573353/07573428.pdf?arnumber=7573428

المؤلفون: Pernel, C., Avale, X., Veillerot, M., Hortemel, L., Leduc, P., Ritzdorf, T.

المصدر: Interconnect Technology Conference & 2011 Materials for Advanced Metallization (IITC/MAM), 2011 IEEE International; 2011, p1-3, 3p