-
1
-
2Report
المؤلفون: Hodgson, Craig D., Kricker, Andrew J., Siejakowski, Rafał M.
مصطلحات موضوعية: Mathematics - Geometric Topology, 57M27
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/2109.05355
-
3Report
المؤلفون: Allanson, O., Wilson, F., Neukirch, T., Liu, Y. -H., Hodgson, J. D. B.
المصدر: Geophys. Res. Lett., 44,doi:10.1002/2017GL074168
مصطلحات موضوعية: Physics - Plasma Physics
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1709.02659
-
4Report
-
5Report
المؤلفون: Hodgson, Craig D., Issa, Ahmad, Segerman, Henry
مصطلحات موضوعية: Mathematics - Geometric Topology
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1406.6439
-
6Report
المصدر: Geom. Topol. 19 (2015) 2619-2689
مصطلحات موضوعية: Mathematics - Geometric Topology, 57N10, 57M50 (Primary), 57M25 (Secondary)
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1303.5278
-
7Report
-
8Report
المصدر: Geom. Topol. 15 (2011) 2073-2089
مصطلحات موضوعية: Mathematics - Geometric Topology, 57M50
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1011.3695
-
9Report
-
10Report
المؤلفون: Hodgson, Craig D., Kerckhoff, Steven P.
المصدر: Geom. Topol. 12 (2008) 1033-1090
مصطلحات موضوعية: Mathematics - Geometric Topology, Mathematics - Differential Geometry, 57M50, 57N10
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/0709.3566
-
11Report
-
12
-
13Academic Journal
المؤلفون: Lane, D., Hodgson, P. D., Potter, R. J., Beanland, R., Hayne, M.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 68, issue 5, page 2271-2274 ; ISSN 0018-9383 1557-9646
-
14Report
المؤلفون: Bleiler, Steven A., Hodgson, Craig D., Weeks, Jeffrey R.
المصدر: Geom. Topol. Monogr. 2 (1999), 23-34
مصطلحات موضوعية: Mathematics - Geometric Topology, 57N10, 57M25, 57M50
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/math/9911247
-
15Report
المؤلفون: Hodgson, Craig D., Rivin, Igor, Smith, Warren D.
المصدر: Bull. Amer. Math. Soc. (N.S.) 27 (1992) 246-251
مصطلحات موضوعية: Mathematics - Metric Geometry
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/math/9210218
-
16Academic Journal
المؤلفون: Wilson, T J, Hodgson, P D, Robson, A J, Jackson, C, Grew, B, Hayne, M
المساهمون: Innovate UK, Engineering and Physical Sciences Research Council
المصدر: Semiconductor Science and Technology ; volume 35, issue 5, page 055003 ; ISSN 0268-1242 1361-6641
-
17Periodical
المؤلفون: Lei, Chun, Choquette, Kent D., Jones, S. O., Hodgson, P. D., Hayne, M.
المصدر: Proceedings of SPIE; March 2024, Vol. 12904 Issue: 1 p129040J-129040J-10, 12774971p
-
18Academic Journal
المؤلفون: Chawner, J M A, Chang, Y, Hodgson, P D, Hayne, M, Robson, A J, Sanchez, A M, Zhuang, Q
وصف الملف: text
Relation: https://eprints.lancs.ac.uk/id/eprint/137379/1/Chawner_2019_Control_IOP_SSAT.pdf; Chawner, J M A and Chang, Y and Hodgson, P D and Hayne, M and Robson, A J and Sanchez, A M and Zhuang, Q (2019) Control of complex quantum structures in droplet epitaxy. Semiconductor Science and Technology, 34 (9): 095011. ISSN 0268-1242
-
19Academic Journal
المؤلفون: Poddar, Debasis, Cizek, Pavel, Beladi, Hossein, Hodgson, P. D.
المساهمون: Australian Research Council
المصدر: Philosophical Magazine ; volume 103, issue 10, page 933-947 ; ISSN 1478-6435 1478-6443
-
20Academic Journal
المؤلفون: Haghdadi, N., Cizek, P., Hodgson, P. D., Tari, V., Rohrer, G. S., Beladi, H.
المساهمون: Australian Research Council
المصدر: Philosophical Magazine ; volume 98, issue 14, page 1284-1306 ; ISSN 1478-6435 1478-6443