يعرض 1 - 3 نتائج من 3 نتيجة بحث عن '"Hirsh, Andreas"', وقت الاستعلام: 0.32s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
  2. 2
    Academic Journal

    المساهمون: Science Foundatiopn Ireland, 15/SIRG/3329, 12/RC/2278, 15/IA/313

    مصطلحات موضوعية: Field-effect transistors (FETs), MoS2, 2D materials

    وصف الملف: 17557-17566; application/pdf

    Relation: Nanoscale; 10; 37; Kim, H., Kim, W., O'Brien, M., McEvoy, N., Yim, C., Marcia, M., Hauke, F., Hirsch, A., Kim, G. & Duesberg, G.S. Optimized single-layer MoS2 field-effect transistors by non-covalent functionalisation. 2018, Nanoscale;, 10;, 37; Y; https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/NR/C8NR02134A#!divAbstract; http://hdl.handle.net/2262/89565; http://people.tcd.ie/mcevoyni; http://people.tcd.ie/duesberg; 193133; http://dx.doi.org/10.1039/c8nr02134a; orcid:0000-0001-5950-8755

  3. 3