يعرض 1 - 20 نتائج من 51 نتيجة بحث عن '"Hasanov, N."', وقت الاستعلام: 0.52s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
  2. 2
    Academic Journal
  3. 3
  4. 4
  5. 5
    Academic Journal
  6. 6
    Academic Journal

    المصدر: Optics Express

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: http://dx.doi.org/10.1364/OE.22.00A779; Zhang, Z. H., Liu, W., Tan, S. T., Ju, Z., Ji, Y., Kyaw, Z., . & Zhang, Y. (2014). On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes. Optics express, 22(103), A779-A789.; http://hdl.handle.net/11693/12828

  7. 7
  8. 8
    Conference

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: Инновационный потенциал молодежи: социальная, экологическая и экономическая устойчивость. — Екатеринбург, 2018; Гасанов Н. И. Об опыте гармонизации этноконфессиональных отношений в межнациональной молодежной среде (на примере деятельности Свердловской региональной организации общероссийского общественного движения «Всероссийский межнациональный союз молодежи») / Н. И. Гасанов, Н. А. Горшкова, П. Е. Суслонов // Инновационный потенциал молодежи: социальная, экологическая и экономическая устойчивость : материалы Международной молодежной научно-исследовательской конференции (Екатеринбург, 1–2 октября 2018 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2018. — С. 90-94.; http://elar.urfu.ru/handle/10995/83937

  9. 9
    Academic Journal
  10. 10
  11. 11
    Electronic Resource
  12. 12
  13. 13
    Academic Journal
  14. 14
  15. 15
  16. 16
    Academic Journal

    المصدر: Mechanics of Solids; Jan2020, Vol. 55 Issue 1, p108-113, 6p

  17. 17
    Academic Journal

    المصدر: ACS Photonics

    مصطلحات موضوعية: Gan, Led, Qw, Ebl, Mocvd

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: http://dx.doi.org/10.1021/ph500001e; Ju, Z. G., Liu, W., Zhang, Z. H., Tan, S. T., Ji, Y., Kyaw, Z., . & Hasanov, N. (2014). Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer. Acs Photonics, 1(4), 377-381.; http://hdl.handle.net/11693/12810

  18. 18
    Academic Journal

    المصدر: Applied Physics Letters

    مصطلحات موضوعية: Efficiency Droop, Spontaneous Polarization, High-power, Algan, Layer

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: http://dx.doi.org/10.1063/1.4873395; Kyaw, Z., Zhang, Z. H., Liu, W., Tan, S. T., Ju, Z. G., Zhang, X. L., . & Zhang, Y. (2014). Simultaneous enhancement of electron overflow reduction and hole injection promotion by tailoring the last quantum barrier in InGaN/GaN light-emitting diodes. Applied Physics Letters, 104(16), 161113.; http://hdl.handle.net/11693/12815

  19. 19
    Academic Journal

    المصدر: Applied Physics Letters

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: http://dx.doi.org/10.1063/1.4811698; Ju, Z. G., Liu, W., Zhang, Z. H., Tan, S. T., Ji, Y., Kyaw, Z. B., . & Hasanov, N. (2013). Improved hole distribution in InGaN/GaN light-emitting diodes with graded thickness quantum barriers. Applied Physics Letters, 102(24), 243504.; http://hdl.handle.net/11693/11809

  20. 20
    Academic Journal

    المصدر: Applied Physics Letters

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: http://dx.doi.org/ 10.1063/1.4806978; Zhang, Z. H., Tan, S. T., Kyaw, Z., Ji, Y., Liu, W., Ju, Z., . & Demir, H. V. (2013). InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction. Applied Physics Letters, 102(19), 193508.; http://hdl.handle.net/11693/12130