المؤلفون: Kabouche, R., Harrouche, K., Okada, Etienne, Medjdoub, F

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Renatech Network, PCMP CHOP, ANR-17-ASTR-0007,COMPACT,Compréhension et optimisation des phénomènes de pièges dans le cadre du développement de la prochaine génération de composants de puissance à base de GaN fonctionnant au-delà de 30 GHz(2017)

المصدر: 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2020)
https://hal.science/hal-03044147
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2020), Apr 2020, Dallas, TX, United States. pp.1-6, ⟨10.1109/IRPS45951.2020.9129322⟩

مصطلحات موضوعية: GaN, HEMTs, output power density (Pout), power added efficiency (PAE), Q-band, on-wafer short-term reliability, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: Dallas, TX, United States

Relation: hal-03044147; https://hal.science/hal-03044147; https://hal.science/hal-03044147/document; https://hal.science/hal-03044147/file/2020-IRPS-Abstract-final.pdf; WOS: 000612717200137

الاتاحة: https://hal.science/hal-03044147
https://hal.science/hal-03044147/document
https://hal.science/hal-03044147/file/2020-IRPS-Abstract-final.pdf
https://doi.org/10.1109/IRPS45951.2020.9129322

المؤلفون: Harrouche, K., Kabouche, Riad, Zegaoui, Malek, Medjdoub, F

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)

المصدر: 2019 WOCSDICE proceeding
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019
https://hal.science/hal-02356889
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, France

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: Cabourg, France

Relation: hal-02356889; https://hal.science/hal-02356889; https://hal.science/hal-02356889/document; https://hal.science/hal-02356889/file/papier%20wocsdice%20Kathia.pdf

الاتاحة: https://hal.science/hal-02356889
https://hal.science/hal-02356889/document
https://hal.science/hal-02356889/file/papier%20wocsdice%20Kathia.pdf

المؤلفون: Said, N., Harrouche, K., Medjdoub, F., Labat, N., Tartarin, J.G., Malbert, N.

المصدر: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117807
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10117589/10117581/10117807.pdf?arnumber=10117807

المؤلفون: Said, N., Harrouche, K., Medjdoub, F., Labat, N., Tartarin, J.G., Malbert, N.

المساهمون: LabEx GANEX

المصدر: Microelectronics Reliability ; volume 150, page 115110 ; ISSN 0026-2714

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115110
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S002627142300210X?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S002627142300210X?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Gao Z., Meneghini M., Harrouche K., Kabouche R., Chiocchetta F., Okada E., Rampazzo F., De Santi C., Medjdoub F., Meneghesso G., Zanoni E.

المساهمون: Gao, Z., Meneghini, M., Harrouche, K., Kabouche, R., Chiocchetta, F., Okada, E., Rampazzo, F., De Santi, C., Medjdoub, F., Meneghesso, G., Zanoni, E.

مصطلحات موضوعية: AINIGaN HEMT, breakdown mechanism, electric field, radio frequency, reliability, stress

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/isbn/978-1-7281-6169-3; ispartofbook:Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA; 2020 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA 2020; volume:2020-; firstpage:1; lastpage:6; numberofpages:6; http://hdl.handle.net/11577/3365271; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85098148111

الاتاحة: http://hdl.handle.net/11577/3365271
https://doi.org/10.1109/IPFA49335.2020.9260793

المؤلفون: Gao Z. H., Meneghini M., Harrouche K., Kabouche R., Chiocchetta F., Okada E., Rampazzo F., De Santi C., Medjdoub F., Meneghesso G., Zanoni E.

المساهمون: Gao, Z. H., Meneghini, M., Harrouche, K., Kabouche, R., Chiocchetta, F., Okada, E., Rampazzo, F., De Santi, C., Medjdoub, F., Meneghesso, G., Zanoni, E.

مصطلحات موضوعية: AlN/GaN HEMT, Breakdown mechanism, Electric field, Reliability, Stress

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000687714300002; volume:123; firstpage:114199; journal:MICROELECTRONICS RELIABILITY; http://hdl.handle.net/11577/3398483; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85110152103

الاتاحة: http://hdl.handle.net/11577/3398483
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114199

المؤلفون: Harrouche, K, Rili, W, Carneiro, E, Mehta, J, Abid, I, Medjdoub, F

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)

المصدر: Transducers 2021 ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03256885 ; Transducers 2021, Jun 2021, online, France

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: online, France

Relation: hal-03256885; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03256885

الاتاحة: https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03256885

المؤلفون: Harrouche, K, Rili, W, Carneiro, E, Mehta, J, Abid, I, Medjdoub, F

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), projet DGA GREAT, Renatech Network, PCMP CHOP

المصدر: Transducers 2021
Transducers 2021, Jun 2021, online, France

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bd079342e50ec6afcd06e7db70bb1590
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03256885

المؤلفون: Harrouche, K, Renard, JF, Bouider, N, De Tullio, Pascal, Goffin, Eric, Lebrun, P, Faury, G, Pirotte, Bernard, Khelili, S

المصدر: European Journal of Medicinal Chemistry, 115, 352-360 (2016)

مصطلحات موضوعية: Human health sciences, Pharmacy, pharmacology & toxicology, Sciences de la santé humaine, Pharmacie, pharmacologie & toxicologie

Relation: urn:issn:0223-5234; urn:issn:1768-3254; https://orbi.uliege.be/handle/2268/199460; info:hdl:2268/199460; info:pmid:27031211

الاتاحة: https://orbi.uliege.be/handle/2268/199460
https://doi.org/10.1016/j.ejmech.2016.03.028

المؤلفون: Harrouche, K., Rouvaen, Jean-Michel, Duquennoy, Marc, Ourak, Mohamed, Ouaftouh, Mohammadi

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: American Institute of Physics Conference Proceedings, 509 ; 26th Annual Review of Progress in Quantitative Nondestructive Evaluation ; https://hal.science/hal-00250452 ; 26th Annual Review of Progress in Quantitative Nondestructive Evaluation, 2000, Canada. pp.1191-1198

Relation: hal-00250452; https://hal.science/hal-00250452

الاتاحة: https://hal.science/hal-00250452

المؤلفون: Harrouche, K., Rouvaen, Jean-Michel, Ouaftouh, Mohammadi, Ourak, Mohamed, Haine, F.

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: ISSN: 0957-0233.

Relation: hal-00159046; https://hal.science/hal-00159046

الاتاحة: https://hal.science/hal-00159046

المؤلفون: Harrouche, K., Rouvaen, Jean-Michel, Ouaftouh, Mohammadi, Ourak, Mohamed, Haine, F.

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: ISSN: 0957-0233.

Relation: hal-00159068; https://hal.science/hal-00159068

الاتاحة: https://hal.science/hal-00159068

المؤلفون: Harrouche, K, Rouvaen, J M, Ouaftouh, M, Ourak, M, Haine, F

المصدر: Measurement Science and Technology ; volume 11, issue 3, page 285-290 ; ISSN 0957-0233 1361-6501

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1088/0957-0233/11/3/317

المؤلفون: Rouvaen, J.M., Harrouche, K., Ourak, M., El Khaldi, B.

المصدر: 1994 Proceedings of IEEE Ultrasonics Symposium; 1994, Issue 2, p907-907, 1p